2024存儲市場:AI驅(qū)動與企業(yè)級存儲熱消費,電子復蘇緩

2024年，存儲市場經(jīng)歷了一場復雜多變的“冰與火”交織的變革。一方面，AI應用的蓬勃發(fā)展推動了高性能存儲產(chǎn)品如HBM、QLC SSD的需求激增；另一方面，消費電子市場復蘇緩慢，導致消費類存儲產(chǎn)品需求平淡。這種兩極分化趨勢引領了存儲市場的未來發(fā)展路徑。

為了應對市場變化，存儲原廠在2023年下半年開始調(diào)整產(chǎn)能，旨在優(yōu)化供需關系。到了2024年，這些調(diào)整逐漸顯現(xiàn)成效，多家存儲廠商重新步入盈利軌道。

然而，存儲器市場合約價的走勢卻顯得頗為波折。2024年上半年，存儲器合約價持續(xù)上漲，但下半年市場需求的變化導致合約價承壓。特別是第四季度，DRAM漲幅明顯收窄，而NAND Flash價格甚至出現(xiàn)反轉(zhuǎn)下跌。

展望2025年，盡管AI應用依然強勁，但消費電子市場的復蘇信號依然不明朗。因此，存儲市場可能面臨終端需求疲軟、價格下跌和產(chǎn)能過剩三大挑戰(zhàn)。

具體來看，智能手機和筆記本電腦市場在過去一年中持續(xù)疲軟，2025年的復蘇動能依然有待觀察。智能手機品牌廠商在2024年采取了謹慎的備貨策略，以避免庫存積壓。而筆記本電腦市場雖然預計2025年將實現(xiàn)4.9%的增長，但消費市場增長預計會放緩。

在存儲器價格方面，2024年第四季度DRAM整體平均價格上漲幅度明顯收斂，而NAND Flash產(chǎn)品整體合約價則出現(xiàn)季減。展望2025年，DRAM和NAND Flash的合約價均預計下跌。其中，DRAM市場受消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮影響，而NAND Flash市場則面臨庫存持續(xù)上升和訂單需求下降的挑戰(zhàn)。

值得注意的是，為應對市場需求變化，多家存儲大廠已經(jīng)開始調(diào)整生產(chǎn)計劃，NAND Flash成為重點調(diào)整對象。美光、三星等存儲巨頭紛紛表示將削減NAND Flash產(chǎn)量，以應對市場下滑和產(chǎn)能過剩的問題。

盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但存儲產(chǎn)業(yè)的未來依然值得期待。AI應用的持續(xù)增長為存儲市場孕育了無限的發(fā)展機會。同時，存儲廠商也在積極調(diào)節(jié)產(chǎn)能，推動高性能、高利潤存儲產(chǎn)品的生產(chǎn)，以改善供需關系并推動產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展。

展望未來，隨著存儲廠商對產(chǎn)能的精準調(diào)控和市場需求的逐步回升，NAND Flash合約價有望在2025年下半年迎來好轉(zhuǎn)。同時，AI應用的持續(xù)推動也將為存儲市場帶來新的增長點和發(fā)展機遇。