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弛豫頻率與截止頻率計(jì)算

Semi Connect ? 來(lái)源:Semi Connect ? 2025-01-03 11:27 ? 次閱讀

(4-25) 式為我們可以量測(cè)得到的半導(dǎo)體雷射調(diào)制響應(yīng)。將之取對(duì)數(shù)乘上10之后,其單位即為dB,如圖42所示。當(dāng)小信號(hào)頻率遠(yuǎn)小于弛豫頻率時(shí),(4-25)式可以近似成1,也就是小信號(hào)的輸出振幅和穩(wěn)態(tài)時(shí)所獲得的振幅相同,相位也一致。當(dāng)小信號(hào)頻率接近弛豫頻率時(shí),我們可以發(fā)現(xiàn)調(diào)制響應(yīng)的曲線中會(huì)出現(xiàn)一個(gè)峰值,此峰值的頻率可以借由計(jì)算(4-25)式的分母中找到最小值獲得:

44307e72-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

而在W=Wp時(shí),調(diào)制響應(yīng)的峰值為:

4453f6a4-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

由上二式可知,峰值的頻率與調(diào)制響應(yīng)峰值的大小與Wr/Ω相關(guān),在一般常用的半導(dǎo)體雷射中,弛豫頻率通常都遠(yuǎn)大于阻尼常數(shù),因此Wr/Ω遠(yuǎn)大于1,使得峰值的頻率即可代表為弛豫頻率,而調(diào)制響應(yīng)峰值的大小則趨近于Wr/Ω。因此,弛豫頻率可以代表此雷射系統(tǒng)的共振頻率,當(dāng)雷射操作于此頻率時(shí),小信號(hào)的輸出會(huì)有最大的振幅,不過(guò)在相位方面也會(huì)伴隨著劇烈的變化。

相反的,若雷射系統(tǒng)中的阻尼常數(shù)愈來(lái)愈大,將會(huì)使得調(diào)制響應(yīng)的峰值下降,如圖4-2中Wr/Ω=1的情況,共振現(xiàn)象變得不明顯,而峰值頻率也會(huì)小于弛豫頻率。這是因?yàn)樽枘岢?shù)會(huì)使得系統(tǒng)的振蕩振幅迅速衰減,導(dǎo)致調(diào)制響應(yīng)的表現(xiàn)趨于平緩,關(guān)于阻尼常數(shù)的意義,會(huì)在稍后章節(jié)討論。

在調(diào)制響應(yīng)中,若輸入小信號(hào)的頻率遠(yuǎn)大于弛豫頻率,(4-25)式將會(huì)趨近于零,這表示在此高頻率操作的情況下,雷射的輸出小信號(hào)振幅跟不上輸入信號(hào)的變化,使得雷射系統(tǒng)趨于穩(wěn)態(tài)。為了定義雷射的系統(tǒng)何時(shí)會(huì)趨于穩(wěn)態(tài),我們定義當(dāng)輸出小信號(hào)振幅降為低頻振幅的一半時(shí)的頻率范圍為此雷射的操作頻寬,而此頻率被稱為3dB頻率(W3dB)或

446c9b0a-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

是截止頻率(cut-off frequency,Wc)。因此根據(jù)定義:

449d9c8c-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

假設(shè)Wc2Ω2

44af248e-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

44e001e4-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

由此可知雷射系統(tǒng)操作的截止頻率和弛豫頻率成正比,獲取半導(dǎo)體雷射的弛豫頻率即可預(yù)測(cè)此雷射的操作頻寛。若不用角頻率的型式,根據(jù)(4-18)式,我們可得:

44feb24c-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

因?yàn)楣庾釉黾拥乃俾实扔谧⑷胼d子在閾值條件以上減少的速率,即:

451857c4-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

其中Vp為雷射光學(xué)模態(tài)的體積,將上式代入(4-32)式,我們可以替換得另一種弛豫頻率的表示式:

453ac9a8-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

其中Va為主動(dòng)層的體積,

我們也可以將上式中電流的部分替換成雷射的輸出功率,由于:

45496b34-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

代入(4-34)式可得:

4564b63c-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

上式給我們一個(gè)很重要的訊息,當(dāng)半導(dǎo)體雷射的輸出功率增加時(shí),弛豫頻率會(huì)跟著增加,當(dāng)然雷射系統(tǒng)的操作頻寬會(huì)隨之增加。如圖4-3所示,在理想的情況下,半導(dǎo)體雷射之弛豫頻率和輸出功率的根號(hào)成正比;而在相同的主動(dòng)層結(jié)構(gòu)下,若雷射的共振腔愈短或是DBR反射率愈低,其弛豫頻率愈高,這是因?yàn)楣舱袂挥檀砉庾由谝灿蹋鶕?jù)(4-32)式可知,其弛豫頻率反而會(huì)變大。

我們也可以將弛豫頻率表示式中的微分增益系數(shù)替換掉,由于:

45749016-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

458a1166-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

45b63ee4-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

因此,

45e6afca-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

此外,由(4-33)式,

4601b766-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

將(4-38)式與(4-39)式代入(4-32)式中,可得:

462933a4-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

若透明電流密度很小,即Jth>>Jtr,則上式可近似為:

465ba08c-c8ae-11ef-9310-92fbcf53809c.png

此式說(shuō)明了半導(dǎo)體雷射的閾值電流愈小或操作電流愈高,其弛豫頻率愈高。

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原文標(biāo)題:弛豫頻率與截止頻率

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