格芯以eVaderis超低耗電MCU參考設計強化22FDX? eMRAM平臺

雙方共同開發(fā)的技術解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸。

美國加利福尼亞圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）——今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。雙方合作所提供的技術解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與 eVaderis的超低耗電IP結合，適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費及工業(yè)用微處理器、車用控制器等各種應用。

eVaderis 的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平臺高效的電源管理能力，相較于上一代 MCU，電池續(xù)航力可提高到10 倍以上，同時芯片尺寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator?合作項目（FDXcelerator? Partner Program）開發(fā)的技術，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對功耗敏感的應用， 可幫助芯片設計人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 創(chuàng)新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM 技術為基礎打造，非常適合常閉的（normally-off）物聯(lián)網(wǎng)應用?！眅Vaderis 總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM 作為工作內(nèi)存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會引起MCU的性能損失。eVaderis 希望能在今年年底之前將這項通過驗證的 IP 提供給客戶?！?/p>

“穿戴式和物聯(lián)網(wǎng)裝置需要耐久的電池續(xù)航力、更高的運行能力并集成先進的傳感器?！备裥厩度胧酱鎯ζ魇聵I(yè)部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為 FDXcelerator 合作伙伴，eVaderis運用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技術， 開發(fā)全新的MCU架構，幫助客戶達成更高的需求?！?/p>

格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技術共同開發(fā)的參考設計將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM 和射頻解決方案的22FDX設計套件現(xiàn)已發(fā)布。用于客戶進行原型驗證的多項目晶圓（MPW）已經(jīng)開放，現(xiàn)成的eMRAM 模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進行產(chǎn)品設計。格芯預計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產(chǎn)。

關于 eVaderis

eVaderis創(chuàng)立于 2014 年，是全球首家以MRAM及RRAM等新型顛覆性內(nèi)嵌內(nèi)存技術為基礎，提供創(chuàng)新IP解決方案的公司。該公司提供具備高競爭力的產(chǎn)品級設計服務，可滿足生產(chǎn)高階非揮發(fā)性內(nèi)存、編譯程序、邏輯組件庫及處理器子系統(tǒng)的需求，為新芯片設計模式建立基礎。eVaderis是格芯FDXcelerator?合作伙伴計劃的成員。

關于格芯

格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發(fā)和制造服務。伴隨著全球生產(chǎn)基地橫跨三大洲的發(fā)展步伐，格芯促生了改變行業(yè)的技術和系統(tǒng)的出現(xiàn)，并賦予了客戶塑造市場的力量。