安森美半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

650 V SiC肖特基二極管開關(guān)性能出色和更可靠。

2018年2月28日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)。

安森美半導(dǎo)體最新發(fā)布的650 V SiC 二極管系列提供6安培（A）到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)。

工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

這些650 V器件提供的系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無反向恢復(fù)電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復(fù)速度令開關(guān)速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，實現(xiàn)更高的功率密度和更小的整體電路設(shè)計。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性。

安森美半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管具有獨特的專利終端結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）能力和最低的電流泄漏。

安森美半導(dǎo)體MOSFET業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示：“安森美半導(dǎo)體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現(xiàn)有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產(chǎn)品范圍。SiC技術(shù)利用寬帶隙 （WBG） 材料的獨特特性，比硅更實惠，其穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設(shè)計更小的新器件?！?/p>

封裝與定價

650 V SiC二極管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價為1.30美元至14.39美元。

歡迎蒞臨安森美半導(dǎo)體在美國APEC #601號展臺，觀看SiC MOSFET和二極管的現(xiàn)場演示，展示安森美半導(dǎo)體最新的仿真建模技術(shù)如何精確地匹配真實的器件工作。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項目，一套強(qiáng)有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。