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什么是 IBE ?

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動能, 削去基板表面材料的現(xiàn)象. 是一種物理納米干法刻蝕, 當(dāng)離子束與基板表面碰撞時, 破壞表面存在的原子間結(jié)合力(數(shù) eV左右), 將表面的原子拋出.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機包括用于產(chǎn)生和加速離子的考夫曼離子源, 用于使帶正電荷的離子束電中性化的中和器, 用于保持基片的樣品臺, 真空系統(tǒng)(德國 Pfeiffer 真空泵)等.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機特性

1. 客制化設(shè)計, 超高自由度

2. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度

3. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀

4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.

5. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu) ”DryChuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%

6. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料

7. 機臺設(shè)計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過程

IBE 離子束刻蝕機型號


10IBE 小型離子蝕刻機適用于科研院所 10cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 1	20IBE-C 中等規(guī)模量產(chǎn) 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 6或 3”φ X 8	20IBE-J 大規(guī)模量產(chǎn) 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 12或 6”φX 8

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機主要應(yīng)用


自旋電子學(xué) 在自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域擁有大量的案例. 結(jié)合端點檢測器, 可實現(xiàn)超薄磁性層蝕刻控制.	各類傳感器多層膜結(jié)構(gòu)的金屬膜（Ti, Pt, Au 等）可通過單一工藝進行加工.反應(yīng)蝕刻難蝕刻材料如燙金等磁性材料也可輕松加工.	化合物半導(dǎo)體氬氣工藝使金的配線刻蝕以及電鍍種子層的去除成為可能. 特別是在長時間刻蝕的情況下, 批處理方式在吞吐量方面非常有優(yōu)勢.

Hakuto日本原裝設(shè)計制造離子束刻蝕機IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要. IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.

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