基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用

近日，由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會在深圳隆重召開。其中，基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)用”作為深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用之一，在會議期間進(jìn)行了重點推介和展示，彰顯了深圳第三代半導(dǎo)體企業(yè)的科技實力。

伴隨新能源汽車產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展和“超充之城”建設(shè)的深入推進(jìn)，深圳充換電基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)業(yè)和技術(shù)也迎來了發(fā)展良機(jī)。目前深圳已累計建成超充站1002座，率先實現(xiàn)超充站數(shù)量超過加油站，充電槍數(shù)量超過加油槍。

高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)用解決方案

碳化硅器件具備寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性，能大幅提高單位功率密度，減小模塊體積并簡化電路設(shè)計，滿足充電樁設(shè)備耐高壓、耐高溫、更小型化以及降低成本的需求，幫助新能源汽車實現(xiàn)快速充電的目標(biāo)。

作為國產(chǎn)碳化硅功率器件的領(lǐng)跑者，基本半導(dǎo)體潛心研發(fā)，針對高壓快充領(lǐng)域推出了多款碳化硅MOSFET，碳化硅二極管，E1B、E2B工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊，頂部散熱MOSFET模塊以及門極隔離驅(qū)動芯片BTD25350、BTD5350等系列產(chǎn)品。目前，基本半導(dǎo)體已和國內(nèi)眾多充電設(shè)施企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在雙向充電樁模塊中的選型推薦

“光儲超充車網(wǎng)互動，一杯咖啡滿電出發(fā)。”在朝著“超充之城”不斷邁進(jìn)的路上，基本半導(dǎo)體與上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作，以高性能的碳化硅功率器件解決方案賦能充換電產(chǎn)業(yè)高水平發(fā)展，為構(gòu)建高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系貢獻(xiàn)企業(yè)力量。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊，核心團(tuán)隊由來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，擁有知識產(chǎn)權(quán)兩百余項，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動汽車、風(fēng)光儲能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。