安森美收購碳化硅JFET技術(shù)，強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項(xiàng)重大收購計(jì)劃，已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，將以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)，以及Qorvo旗下的子公司United Silicon Carbide。
此次收購對于安森美來說意義重大。SiC JFET技術(shù)的加入，將極大地豐富安森美現(xiàn)有的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能夠更全面地滿足人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的迫切需求。在當(dāng)前數(shù)據(jù)中心日益追求高效能和低能耗的背景下，這一收購無疑為安森美提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持和市場競爭力。
此外，該收購還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的布局和拓展。隨著電動汽車和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展，這些新興市場對高性能、高可靠性的碳化硅器件需求日益旺盛。安森美憑借此次收購，將有望在這些領(lǐng)域取得更加顯著的突破和進(jìn)展。
未來，安森美將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1693瀏覽量
92092 -
JFET
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
142瀏覽量
22102 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
87文章
31223瀏覽量
269579 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2786瀏覽量
49136
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù)，碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）安森美在12月10日宣布，已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)
安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美
安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢
此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在
安森美宣布將收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)
的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能夠更好地應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。同時，這也將加速安森美
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
安森美官方微信發(fā)布的信息，此次收購旨在進(jìn)一步鞏固安森美在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。碳化硅作為一種
安森美以1.15億美元收購Qorvo的SiC JFET技術(shù)
UnitedSiliconCarbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）
安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議
近日，工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Entegris將為安森美提供制造碳化硅（SiC）半導(dǎo)體的專業(yè)技術(shù)解決方
安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型
經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)，以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗 與安森美 (onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時間
發(fā)表于 07-22 11:31
?204次閱讀
安森美推出新款碳化硅芯片，助力AI數(shù)據(jù)中心節(jié)能
全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列創(chuàng)新的碳化硅（SiC）芯片。這些新型芯片的設(shè)計(jì)初衷，是借鑒其在電動汽車領(lǐng)域已經(jīng)成熟的技術(shù)，為驅(qū)動人工智能（
安森美推出高效數(shù)據(jù)中心電源解決方案
2024年6月6日 - 數(shù)據(jù)中心的人工智能計(jì)算需求日益增長，能耗隨之變大。因此，如何提升其能效成為了關(guān)鍵挑戰(zhàn)。針對此問題，安森美推出了全新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強(qiáng)大組合
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)
納微半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)頭羊，近日公布了其針對AI人工智能數(shù)據(jù)中心的最新電源技術(shù)路線圖。此
納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
納微半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和
發(fā)表于 03-13 13:48
?610次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
發(fā)表于 03-08 08:37
工商網(wǎng)監(jiān)
評論