Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜

納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內的應用材料，是納米晶粒在二維平面內按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級的特點。目前行業(yè)內已經(jīng)探索出可以應用在表層防護材料、平面顯示器、超導材料、氣體催化材料、過濾器材料、光敏材料、高密度的磁性記錄材料。那么功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？

首先，我們來聊一聊納米薄膜材料的性質：

1.藍移和寬化

納米顆粒膜，特別是Ⅱ—Ⅵ族半導體CdSxSe1-x。以及Ⅲ-V族半導體CaAs的顆粒膜，都觀察到光吸收帶邊的藍移和帶的寬化現(xiàn)象。有人在CdSxSe1-x／玻璃的顆粒膜上觀察到光的“退色現(xiàn)象”，即在一定波長光的照射下，吸收帶強度發(fā)生變化的現(xiàn)象。

2.光的線性與非線性

光學線性效應是指介質在光波場（紅外、可見、紫外以及X射線）作用下，當光強較弱時，介質的電極化強度與光波電場的一次方成正比的現(xiàn)象。

3.電學特性

納米薄膜的電學性質是當前納米材料科學研究中的熱點，這是因為，研究納米薄膜的電學性質，可以搞清導體向絕緣體的轉變，以及絕緣體轉變的尺寸限域效應。我們知道，常規(guī)的導體，例如金屬，當尺寸減小到納米數(shù)量級時，其電學行為發(fā)生很大的變化。有人在Au／Al203的顆粒膜上觀察到電阻反?，F(xiàn)象，隨著Au含量的增加（增加納米Au顆粒的數(shù)量），電阻不但不減小，反而急劇增加。

4.磁阻效應

材料的電阻值隨磁化狀態(tài)變化的現(xiàn)象稱為磁（電）阻效應。對非磁性金屬，其值甚小，在鐵磁金屬與合金中發(fā)現(xiàn)有較大的數(shù)值。鐵鎳合金磁阻效應可達2％—3％，且為各向異性。顆粒膜的巨磁阻效應與磁性顆粒的直徑呈反比關系，要在顆粒膜體系中顯示出巨磁阻效應，必須使顆粒尺寸及其間距小于電子平均自由程。

那么，功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？

納米薄膜的制備方法按原理可分為物理方法和化學方法兩大類。粒子束濺射沉積和磁空濺射沉積，以及新近出現(xiàn)的低能團簇束沉積法都屬于物理方法:化學氣相沉積(CVD)、溶膠-凝膠(Sol-Gel)法和電沉積法屬于化學方法。而在制備(1~100nm)級的納米薄膜的過程中功率放大器可以為制備系統(tǒng)提供足夠大的電壓，進行大功率輸出。

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審核編輯 黃宇