PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)

PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)

氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對(duì)較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高功率輸出的場(chǎng)景中，其價(jià)值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。

PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。

PD快充芯片U8608采用ASOP7-T4封裝，引腳說明：

1 NTC I/O 外置過溫檢測(cè)管腳

2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。

3 FB I/O 輸出反饋、消磁檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 CS I/O 電流采樣輸入管腳、最高頻率選擇管腳

6 GND P 芯片參考地

7 Drain P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

YLB

U8608

PD快充芯片U8608采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8608采用了谷底鎖定工作模式，在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

在當(dāng)下的消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域，氮化鎵芯片已然成為了 “明星材料”，尤其在快充電源方面有著極為出色的表現(xiàn)。深圳銀聯(lián)寶科技不同功率段的氮化鎵PD快充芯片也不斷涌現(xiàn)，可滿足客戶的各類需求，保障電源供應(yīng)的穩(wěn)定與高效！