共振腔中雷射光來回(round trip)振蕩后保持光學自再現(xiàn)(self-consistency)的邊界條件,讓我們可以求得雷射要穩(wěn)定存在于共振腔必須符合兩條件,第一部分為振幅條件,第二則為相位條件。振幅條件說明了“閾值條件為增益與損耗相等”,接著就可以由閾值條件求得半導體雷射的閾值載子濃度(threshold carrier density)與閾值電流(threshold current)。接下來我們就可以推導在閾值條件以上時雷射光輸出的功率和注入電流的關(guān)系,進而討論半導體雷射的操作效率。下一節(jié),我們再引入半導體雷射的速率方程式(rate equation)來推導閾值條件與輸出特性。
圖2-6中,主動層為提供增益的區(qū)域,而主動層中的折射率和披覆層的折射率因存在差異而形成波導結(jié)構(gòu)。我們先來看雷射振蕩的第一個條件—振幅條件:
在(2-27)式中,左側(cè)為半導體主動層的增益,「為光學局限因子(opticalconfinement factor),代表光強度在主動層中占所有光強的比率,相關(guān)的推導會在下一章中詳細介紹,ai與am分別為內(nèi)部損耗(internal loss)與鏡面損耗(mirror loss)。增益系數(shù)隨著注入載子濃度增加而變大,當增益等于(2-27)式右側(cè)固定內(nèi)部損耗時及鏡面損耗,會達到穩(wěn)定條件而發(fā)出雷射光,此時的增益值即稱閾值增益(threshold gain)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標題:半導體雷射震蕩條件
文章出處:【微信號:Semi Connect,微信公眾號:Semi Connect】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
從前面一小節(jié)對半導體雷射線寬的討論可以知道,即使半導體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下,還是會有因為自發(fā)輻射所引起的相位的雜訊,除此之外,雷射操作的雜
發(fā)表于 01-09 16:00
?76次閱讀
從前面的例子中,可以知道線寬增強因子會讓半導體雷射在動態(tài)操作時譜線變寬,接下來我們要討論的是半導體雷射在穩(wěn)態(tài)操作下的發(fā)光線寬。 同樣的,假設(shè)在一單模操作的
發(fā)表于 01-08 09:46
?69次閱讀
當半導體雷射從閾值條件以下要達到雷射的操作,其主動層中的載子必須要先達到閾值載子濃度才會有雷射光輸出,這段載子累積的時間稱為導通延遲(tur
發(fā)表于 01-06 14:48
?158次閱讀
建在水源附件,比如月量產(chǎn)1萬片的生產(chǎn)線需要消耗的超純水達3000噸,而地下水和河水均可作為超純水的水源,大量水源的長期穩(wěn)定供給是芯片工廠的必要條件。
除了水還有電,因為半導體工廠的基本能源是電力,工廠
發(fā)表于 12-29 17:52
本書深入淺出,沒有晦澀難懂的公式和高深的理論,有的是豐富的彩色配圖,可以作為一本案頭小品來看,看完本書之后對制造半導體芯片的工藝等有個基本全面的了解。
跟著本書就好比參觀了一遍制造工廠和生產(chǎn)線
發(fā)表于 12-16 22:47
早期面射型雷射由于半導體磊晶技術(shù)簡在發(fā)展初期階段,因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導體分布布拉格反射器,以Iga?教授團隊所發(fā)表的最早電激發(fā)光?VCSEL?元件為例,所
發(fā)表于 12-10 10:52
?194次閱讀
早期所謂的面射型雷射(surface emitting laser, EBL)本質(zhì)上仍然是邊射型雷射的延伸,基本上其元件結(jié)構(gòu)的共振腔方向仍然與磊晶面互相平行,光子在水平方向的共振腔中來回震蕩直到
發(fā)表于 12-09 09:52
?133次閱讀
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission of radiation”的縮寫,臺灣音譯為雷射,中國大陸意譯為激光,意指光在受激發(fā)放大情況下所
發(fā)表于 12-06 16:26
?194次閱讀
如何從人、產(chǎn)品、資金和產(chǎn)業(yè)的角度全面理解半導體芯片?甚是好奇,望求解。
發(fā)表于 11-07 10:02
今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導體專業(yè)著作《芯鏡》來展開介紹日本半導體的得失,以及對咱們中國半導體發(fā)展的啟發(fā)。
一芯片強國的初、興、盛、衰
首先,大家可以先了解一下日本半導體
發(fā)表于 11-04 12:00
P型半導體和N型半導體是半導體材料的兩種基本類型,它們在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 定義 P型半導體和N型半導體都是由
發(fā)表于 08-16 11:22
?6937次閱讀
本人接觸質(zhì)量工作時間很短,經(jīng)驗不足,想了解一下,在半導體行業(yè)中,由于客戶端使用問題造成器件失效,失效率為多少時會接受客訴
發(fā)表于 07-11 17:00
臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
發(fā)表于 03-27 16:17
臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
發(fā)表于 03-13 16:52
想問一下,半導體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺有沒有用到,具體要求是那些,
發(fā)表于 03-08 17:04
評論