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腔室壓力對(duì)刻蝕的影響

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-17 18:11 ? 次閱讀

本文介紹了腔室壓力對(duì)刻蝕的影響。

腔室壓力是如何調(diào)節(jié)的?對(duì)刻蝕的結(jié)果有什么影響?

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什么是腔室壓力? 腔室壓力是指在刻蝕設(shè)備的工藝腔室內(nèi)的氣體壓力,通常以托(Torr)或帕斯卡(Pa)為單位。

腔室壓力由什么決定的?

1,氣體流量越高,壓力越大。

2,真空泵排氣,泵速越高,腔室壓力越低。

腔室壓力對(duì)于刻蝕的影響

1,離子轟擊能量。低壓力,分子平均自由程大,離子的碰撞幾率小,能量耗散少,故能量高。

2,離子與自由基的比例。低壓力時(shí),離子的比例高,有利于物理刻蝕。高壓力時(shí),自由基比例高,有利于化學(xué)刻蝕。

3,刻蝕均勻性。高壓力時(shí),高頻碰撞會(huì)使氣體流速降低,自由基更容易擴(kuò)散到晶圓表面各處,包括邊緣區(qū)域,整個(gè)晶圓表面接觸到的反應(yīng)物濃度均勻,刻蝕速率趨于一致。

總結(jié) 隨著腔室壓力的提高,刻蝕反應(yīng)逐漸由物理刻蝕到物理+化學(xué)刻蝕到化學(xué)刻蝕所轉(zhuǎn)變。

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原文標(biāo)題:腔室壓力對(duì)刻蝕有什么影響?

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