0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶圓的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

廣州萬(wàn)智光學(xué)技術(shù)有限公司 ? 2024-12-17 10:01 ? 次閱讀

晶圓的TTV、BOW、WARP、TIR是評(píng)估晶圓質(zhì)量和加工精度的重要指標(biāo),以下是它們的詳細(xì)介紹:

TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)

定義:晶圓的總厚度變化,指晶圓在其直徑范圍內(nèi)的最大和最小厚度之間的差異。

測(cè)量方法:晶圓在未緊貼狀態(tài)下,測(cè)量晶圓中心點(diǎn)表面距離參考平面的最小值和最大值之間的偏差,偏差包括凹形和凸形的情況。凹形彎曲度為負(fù)值,凸形彎曲度為正值。

重要性:TTV用于評(píng)估晶圓的厚度均勻性,確保晶圓在加工過(guò)程中厚度分布均勻,避免影響后續(xù)工藝步驟和最終產(chǎn)品的性能。

BOW(彎曲度)

定義:晶圓的彎曲度,表示晶圓中心與邊緣之間的垂直距離變化。

測(cè)量方法:晶圓在未緊貼狀態(tài)下,通常以晶圓背面為參考平面,測(cè)量的晶圓表面距離參考平面的最小值和最大值之間的偏差。偏差同樣包括凹形和凸形的情況。

重要性:BOW是衡量晶圓制造質(zhì)量和可靠性的重要參數(shù),較低的BOW值通常意味著晶圓表面更清潔、更平整,加工過(guò)程中的瑕疵更少,這有助于提高芯片的良品率,降低生產(chǎn)成本。

WARP(翹曲度)

定義:晶圓的扭曲度,與BOW類(lèi)似,但WARP通常是指晶圓表面整體的不規(guī)則扭曲或變形,而不是局部的彎曲。

測(cè)量方法:晶圓在夾緊緊貼情況下,以晶圓表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)的所有的點(diǎn)的截距之和最小的面為參考平面,測(cè)量晶圓表面與參考平面最大距離和最小距離的偏差值。

重要性:WARP是衡量晶圓整體平整度的關(guān)鍵指標(biāo),對(duì)后續(xù)的光刻、刻蝕等工藝有重要影響。

TIR(Total Indicated Reading,總指示讀數(shù))

定義:通常用于描述晶圓或其他表面的平面度或平整度,即表面的全局平坦度。

測(cè)量方法:需要使用專(zhuān)業(yè)的測(cè)量?jī)x器,如激光干涉儀等。測(cè)量時(shí),將晶圓夾緊在測(cè)量?jī)x器上,然后測(cè)量晶圓表面與參考平面的距離差。

重要性:TIR是半導(dǎo)體制造中非常重要的指標(biāo)之一,因?yàn)榫A表面的平整度直接影響到芯片的性能和可靠性。通過(guò)測(cè)量TIR,可以確保晶圓表面的平整度符合要求,從而保證芯片的性能和可靠性。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總指示讀數(shù),STIR(Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等這類(lèi)技術(shù)指標(biāo)。

wKgZO2dOp6CAW_NpAAtmqaosFYk083.pngwKgZPGdOp6OALB0JAAe_IGC_Ayc011.pngwKgZPGdOp6aAHRUIAAZVp9vm39M666.png

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片,一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。

wKgZPGdOp62AN0fqAACccVZKWVA474.png

重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè))

wKgZPGdOp7CAZV02AAE1uE--_rA542.png

粗糙的晶圓表面,(點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測(cè)方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓)

wKgZPGdOp7OAKtQyAABk8Zx6e5s662.png

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過(guò)對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比)

wKgZO2dOp7eAZ0ZqAADZ4qUt_w0436.png

絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時(shí)測(cè)量多層結(jié)構(gòu),厚度可從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。

wKgZO2dOp7qAdvf9AABqVmhXSYo839.png

可用于測(cè)量各類(lèi)薄膜厚度,厚度最薄可低至4μm ,精度可達(dá)1nm。

1,可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),一改過(guò)去傳統(tǒng)晶圓測(cè)量對(duì)于“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的重度依賴,成本顯著降低。

wKgZO2dOp76AXh0TAARjf1A7l_0076.png

2,靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。

綜上所述,TTV、BOW、WARP、TIR這四個(gè)參數(shù)在晶圓制造和加工過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用,它們共同構(gòu)成了評(píng)估晶圓質(zhì)量和加工精度的重要標(biāo)準(zhǔn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Warp
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    10

    瀏覽量

    9611
  • 測(cè)厚
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    14

    瀏覽量

    5274
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    WD4000系列幾何量測(cè)系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè),保障制造工藝質(zhì)量

    面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中
    的頭像 發(fā)表于 06-01 08:08 ?1086次閱讀
    WD4000系列<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>幾何量測(cè)系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè),保障<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造工藝質(zhì)量

    是什么?硅有區(qū)別嗎?

    `什么是硅呢,硅就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。是制造IC的基本原料。硅
    發(fā)表于 12-02 14:30

    什么?如何制造單晶的

    納米到底有多細(xì)微?什么?如何制造單晶的
    發(fā)表于 06-08 07:06

    一種表面形貌測(cè)量方法-WD4000

    WD4000無(wú)圖幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量Thickness、
    的頭像 發(fā)表于 10-24 09:42 ?1597次閱讀
    一種<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面形貌測(cè)量方法-WD4000

    WD4000無(wú)圖檢測(cè)機(jī):助力半導(dǎo)體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器

    WD4000無(wú)圖檢測(cè)機(jī)集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組,非接觸厚度、三維維納形貌一體測(cè)量,使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、
    的頭像 發(fā)表于 10-25 13:31 ?810次閱讀
    WD4000無(wú)圖<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>檢測(cè)機(jī):助力半導(dǎo)體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器

    “芯”動(dòng)未來(lái),無(wú)圖幾何量測(cè)系統(tǒng)提升半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力

    無(wú)圖幾何量測(cè)系統(tǒng),適用于線切、研磨、拋光工藝后,進(jìn)行wafer厚度(THK)、整體厚度變化(TTV)、翹曲度(Warp)、彎曲度(Bow
    的頭像 發(fā)表于 02-29 09:14 ?1029次閱讀
    “芯”動(dòng)未來(lái),無(wú)圖<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>幾何量測(cè)系統(tǒng)提升半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力

    表面特性和質(zhì)量測(cè)量的幾個(gè)重要特性

    用于定義表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術(shù)語(yǔ)通常在描述表面光潔度的質(zhì)量時(shí)引用。首先定義以下術(shù)語(yǔ)以描述
    發(fā)表于 04-10 12:23 ?8594次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面特性和質(zhì)量測(cè)量的幾個(gè)重要特性

    WD4000系列幾何量測(cè)系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè),保障制造工藝質(zhì)量

    TTV、BOW、WARP對(duì)制造工藝的影響對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光工藝的影響:拋光不均勻,可能會(huì)導(dǎo)致CMP過(guò)程中的不均勻拋光,從而造成表面粗糙和殘留
    發(fā)表于 06-07 09:30 ?0次下載

    通用半導(dǎo)體:SiC錠激光剝離全球首片最薄130μm片下線

    SiC片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)6寸和8寸SiC錠的全自動(dòng)分片,包含錠上料,錠研磨,激光切割,晶片分離和晶片收集的全自動(dòng)工藝流程,晶片拋光
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:50 ?815次閱讀
    通用半導(dǎo)體:SiC<b class='flag-5'>晶</b>錠激光剝離全球首片最薄130μm<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>片下線

    降低TTV的磨片加工有哪些方法?

    高通量測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:38 ?417次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>TTV</b>的磨片加工有哪些方法?

    改善出刀TTV異常的加工方法有哪些?

    改善出刀TTV(Total Thickness Variation,總厚度變化量)異常的加工方法主要包括以下幾種: 一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化 主軸與承片臺(tái)角度調(diào)整 通過(guò)設(shè)備自動(dòng)控制,進(jìn)行工藝角度調(diào)整
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:51 ?433次閱讀
    改善<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>出刀<b class='flag-5'>TTV</b>異常的加工方法有哪些?

    提高SiC平整度的方法

    變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)、彎曲度(Bow)和翹曲度(Warp)等指標(biāo)。這些測(cè)量數(shù)據(jù)將為后續(xù)的加工提供基準(zhǔn)。 數(shù)據(jù)分析:根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù),分析SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:21 ?417次閱讀
    提高SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平整度的方法

    的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對(duì) BOW(彎曲度)和 WARP(翹
    的頭像 發(fā)表于 01-09 17:00 ?412次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    不同的真空吸附方式,對(duì)測(cè)量 BOW 的影響

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,作為芯片制造的基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量把控貫穿整個(gè)生產(chǎn)流程。其中,BOW(彎曲度)測(cè)量精度對(duì)于確保后續(xù)工藝的
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:30 ?384次閱讀
    不同的真空吸附方式,對(duì)測(cè)量<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>BOW</b> 的影響

    特氟龍夾具的夾持方式,相比真空吸附方式,對(duì)測(cè)量 BOW 的影響

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW(彎曲度)的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中,特氟龍夾具的夾持方
    的頭像 發(fā)表于 01-21 09:36 ?318次閱讀
    特氟龍夾具的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>夾持方式,相比真空吸附方式,對(duì)測(cè)量<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>BOW</b> 的影響