紫光國(guó)芯亮相ICCAD-Expo 2024

ICCAD-Expo 2024

近日，備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo 2024）在上海隆重舉行。來自全球的集成電路產(chǎn)業(yè)頭部企業(yè)匯聚于此，共同呈現(xiàn)了一場(chǎng)集權(quán)威、專業(yè)和規(guī)模為一體的“前沿高端技術(shù)和產(chǎn)品”盛宴。

紫光國(guó)芯全面展示了其在三維堆疊DRAM、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)成果。

那么，此次展會(huì)上，紫光國(guó)芯究竟帶來哪些創(chuàng)新成果呢？讓我們共同揭曉答案，繼續(xù)往下看！

行業(yè)領(lǐng)先的三維堆疊DRAM技術(shù)，SeDRAM

人工智能大模型相關(guān)技術(shù)快速發(fā)展，并在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用落地，市場(chǎng)對(duì)算力芯片的性能需求出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。紫光國(guó)芯三維堆疊DRAM技術(shù)（SeDRAM），可為算力芯片提供每秒高達(dá)數(shù)十TB的訪存帶寬，并支持高達(dá)數(shù)十GB的內(nèi)存容量，是實(shí)現(xiàn)算力芯片性能極致發(fā)揮的超高帶寬存儲(chǔ)解決方案。

左豐國(guó)發(fā)表題為“用三維堆疊DRAM技術(shù) 支持算力芯片超高帶寬訪存需求”的演講

在先進(jìn)封裝與測(cè)試論壇上，紫光國(guó)芯副總裁左豐國(guó)分享了紫光國(guó)芯三維堆疊DRAM（SeDRAM）技術(shù)的最新進(jìn)展。他指出：

“紫光國(guó)芯在三維堆疊DRAM技術(shù)領(lǐng)域深耕多年，過去幾年間，我們成功支持了數(shù)十款算力芯片產(chǎn)品的研發(fā)或量產(chǎn)，其中包括多家行業(yè)頭部廠商的產(chǎn)品在內(nèi)，應(yīng)用數(shù)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

目前，我們專為人工智能應(yīng)用定制的SeDRAM方案已應(yīng)用到多款算力芯片產(chǎn)品中，極具競(jìng)爭(zhēng)力的性能以及能效比將會(huì)是這些產(chǎn)品共同的特點(diǎn)。 ”

全系列KGD產(chǎn)品，滿足多場(chǎng)景應(yīng)用需求

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)DRAM KGD解決方案提供商，紫光國(guó)芯可為客戶提供包括PSRAM、Low Power DRAM，Standard DRAM在內(nèi)的多種接口KGD產(chǎn)品，容量覆蓋32Mb到8Gb。

基于市場(chǎng)和客戶對(duì)PSRAM的需求，紫光國(guó)芯近期推出了32Mb、64Mb和128Mb容量的PSRAM KGD產(chǎn)品，已在部分客戶端開始量產(chǎn)出貨。同時(shí)該系列還規(guī)劃了更高容量更低功耗的256MbPSRAM產(chǎn)品，備受業(yè)界期待。

紫光國(guó)芯的DRAM KGD系產(chǎn)品以其高品質(zhì)產(chǎn)品、長(zhǎng)期的技術(shù)支持和供貨保證等突出優(yōu)勢(shì)，已覆蓋通信、安防、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、多媒體等熱門領(lǐng)域，可滿足多場(chǎng)景應(yīng)用需求，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。

高可靠車規(guī)級(jí)DRAM，助力汽車電子產(chǎn)業(yè)變革

憑借深厚的技術(shù)積累和嚴(yán)格的質(zhì)量控制，紫光國(guó)芯可提供從SDR到DDR4/LPDDR4/4x等多種接口的DRAM產(chǎn)品，覆蓋了車規(guī)級(jí)、商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)等不同規(guī)格的存儲(chǔ)解決方案。

作為國(guó)內(nèi)首款車規(guī)級(jí)LPDDR4產(chǎn)品，自2020年量產(chǎn)以來廣泛應(yīng)用于ADAS感知（激光雷達(dá)/前視一體機(jī)/智能車燈）、智能座艙（抬頭顯示/液晶儀表/DMS）、域控（VDC/中央網(wǎng)關(guān)）等汽車電子控制系統(tǒng)。

本次亮相的全新一代LPDDR4DRAM通過全新的高速接口設(shè)計(jì)和低功耗設(shè)計(jì)，產(chǎn)品速率、功耗、芯片面積等指標(biāo)相較于上一代產(chǎn)品均取得顯著提升。該產(chǎn)品已完成研發(fā)驗(yàn)證和AEC-Q100認(rèn)證，能夠滿足車規(guī)Grade2要求，工作溫度-40~105℃，保證10年以上穩(wěn)定供應(yīng)。

CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)，助力服務(wù)器性能提升

隨著AI、互聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)服務(wù)器性能需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的性能已然成為制約高負(fù)載計(jì)算任務(wù)執(zhí)行效率的瓶頸，通過CXL內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)可以顯著提升服務(wù)器系統(tǒng)整體性能并降低TCO。

作為國(guó)內(nèi)較早投入CXL技術(shù)研究和產(chǎn)品研發(fā)的公司，紫光國(guó)芯CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控技術(shù)方案已進(jìn)入產(chǎn)品化階段，全系產(chǎn)品旨在滿足服務(wù)器系統(tǒng)主存容量擴(kuò)展、帶寬擴(kuò)展等核心需求。該產(chǎn)品方案以其卓越的兼容性和可擴(kuò)展性，靈活支持DRAM、PCM等多種存儲(chǔ)介質(zhì)，同時(shí)兼容EDSFF和AIC等多種形態(tài)。

目前，該方案已成功適配多型號(hào)主流處理器平臺(tái)，在訪存延遲、帶寬等各方面均表現(xiàn)出色。

新一代DDR5模組，打造存儲(chǔ)新生態(tài)

紫光國(guó)芯緊跟市場(chǎng)需求變化，專注技術(shù)創(chuàng)新與突破。為滿足企業(yè)級(jí)應(yīng)用在性能和質(zhì)量方面的更高要求，公司此次展出的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品，形態(tài)涵蓋RIDMM、U/SO DIMM，得益于DDR5的預(yù)取模式、Bank Group、Refresh模式等feature的優(yōu)化，較DDR4的各項(xiàng)性能進(jìn)行了全面提升。

DDR5全系模組由紫光國(guó)芯DIMM技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了信號(hào)走線和電源完整性的更高裕量，保證了產(chǎn)品在不同CPU平臺(tái)和主板的兼容性?？蔀閲?guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)以及英特爾第5代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器Emerald Rapids等平臺(tái)提供內(nèi)存解決方案，同時(shí)滿足未來5G接入網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品對(duì)內(nèi)存容量和帶寬的增長(zhǎng)需求。

全流程一站式設(shè)計(jì)服務(wù)，掌握先進(jìn)工藝制程

在IP與IC設(shè)計(jì)服務(wù)論壇上，紫光國(guó)芯副總裁王成偉分享了紫光國(guó)芯在數(shù)字實(shí)現(xiàn)、可測(cè)性設(shè)計(jì)和模擬設(shè)計(jì)等領(lǐng)域在先進(jìn)工藝芯片開發(fā)中的策略和經(jīng)驗(yàn)。

王成偉發(fā)表題為“復(fù)雜SoC芯片實(shí)現(xiàn)的技術(shù)挑戰(zhàn)”的演講

他表示： “ 在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和工藝演進(jìn)的背景下，IC設(shè)計(jì)企業(yè)正面臨工藝制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)微縮的挑戰(zhàn)，一個(gè)能夠解決工藝制程難點(diǎn)和適配市場(chǎng)需求的完整芯片設(shè)計(jì)開發(fā)體系就變得尤為重要。 為此，紫光國(guó)芯采用靈活的商業(yè)模式，提供覆蓋先進(jìn)工藝全流程一站式的芯片定制開發(fā)和量產(chǎn)服務(wù)解決方案，助力客戶提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。 ”

本次ICCAD-Expo 2024已落下帷幕，您對(duì)紫光國(guó)芯展出的哪些產(chǎn)品與技術(shù)印象深刻？或者您還希望深入了解哪些方面？