半導體微電子硅片制備離不開全氟過濾PFA材料

半導體微電子技術(shù)已帶領(lǐng)人類走進航空、航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)和國防，也正在悄悄進入每一個家庭。目前已在米粒大的硅片上集成上16萬個晶體管，小小的硅片蘊含巨大"魔力"。

硅片是制作晶體管和集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。

隨著集成電路集成程度的提高，對硅片的尺寸及加工精度要求越來越高，進而對硅片加工系統(tǒng)的要求也越來越高，因此必須對以往的加工設備加以更新和改進才能滿足要求。

其中以太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程為例需要高精密和精準的流程和過濾，分為硅片檢測——表面制絨——擴散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率，因此有必要對來料硅片進行檢測。其中在表面制絨過程，單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。

制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結(jié)。

隨之而來的，電子半導體行業(yè)需過濾鹽酸、硝酸、雙氧水以及其他一些有超高純、防腐蝕要求的化學品流體，過濾材質(zhì)通常為高純PFA材料。

為了提高過濾器的精度，過濾產(chǎn)品需滿足更小的孔徑，僅用增加濾材密度的方式反而會降低流速，這樣過濾性能就會受到影響且提高過濾成本，越來越多高精密強腐蝕的全氟折疊濾芯應用于這些高純流體，強腐蝕環(huán)境的精細化工過濾。大連義邦PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐，解決濾膜在強力和高壓下的耐受力，延展網(wǎng)孔孔距不會受壓力變化而變距，在半導體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應用，如半導體芯片、太陽能、液晶面板等行業(yè)，或者一些其他超高純流體要求的行業(yè)，需承受高密度，高壓、高流速的設計需求。

半導體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面，所以半導體微電子硅片制備離不開全氟過濾PFA材料。