Nexperia發(fā)布16款新功率MOSFET，采用創(chuàng)新CCPAK封裝
Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的銅夾片CCPAK1212封裝技術(shù)，為行業(yè)樹立了功率密度和性能的新標(biāo)桿。
CCPAK封裝設(shè)計(jì)獨(dú)特，能夠承載高電流，寄生電感更低，同時(shí)熱性能卓越。這些特性使得新推出的MOSFET非常適合電機(jī)控制、電源管理、可再生能源系統(tǒng)以及其他高耗電應(yīng)用。
值得一提的是，該系列還包含了專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET(ASFET)。這些器件不僅性能出眾，還能滿足AI服務(wù)器對(duì)熱插拔功能的特殊需求。
此外，采用CCPAK封裝的MOSFET提供了頂部和底部?jī)煞N散熱選項(xiàng)，進(jìn)一步提升了功率密度和解決方案的可靠性。這一設(shè)計(jì)使得新器件在散熱性能上有了顯著提升，能夠更好地應(yīng)對(duì)高功率密度環(huán)境下的挑戰(zhàn)。
所有新推出的MOSFET器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備了Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)。這些資源為工程師提供了無縫集成的便利，使得新器件能夠更快地被應(yīng)用于各種實(shí)際場(chǎng)景中。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7164瀏覽量
213287 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
126文章
7901瀏覽量
142957 -
功率
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2068瀏覽量
69882 -
Nexperia
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
583瀏覽量
56919
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET，性能再升級(jí)
Nexperia公司近日宣布，成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET，這些產(chǎn)品均采用
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率
發(fā)表于 12-16 14:09
?89次閱讀
安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均
Nexperia推出采用DFN2020D-3封裝的功率雙極結(jié)型晶體管
BJT產(chǎn)品，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)與汽車級(jí)應(yīng)用，均采用先進(jìn)的DFN2020D-3封裝技術(shù)。這一舉措不僅豐富了其BJT產(chǎn)品線，更彰顯了Nexperia在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)響應(yīng)速度上的領(lǐng)先地位。
Nexperia擴(kuò)展一系列創(chuàng)新應(yīng)用專用MOSFET
隨著設(shè)計(jì)人員打破應(yīng)用性能界限，了解如何在應(yīng)用中使用MOSFET至關(guān)重要。過去，具有給定的品質(zhì)因數(shù)(FOM)的標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)基本上適用于任何應(yīng)用。但是，為了滿足特定的應(yīng)用要求或功能，越來越需要優(yōu)化
Nexperia發(fā)布微型DFN0603 MOSFET，助力可穿戴設(shè)備創(chuàng)新
隨著可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的持續(xù)繁榮，如何在極其緊湊的電路板空間中集成多種功能成為行業(yè)面臨的重要挑戰(zhàn)。近日，半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出了一款專為便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的微型尺寸DFN0603 MOSFET，為設(shè)計(jì)師們提供了全新的解決方案。
Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應(yīng)用增長(zhǎng)需求
近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率
東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用
Nexperia在APEC上發(fā)布新型MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）在最近的APEC上展示了其最新的產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布推出幾款新型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），以進(jìn)一步擴(kuò)大其分立開關(guān)解決方案
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于
NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標(biāo)數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標(biāo)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-20 10:55
?0次下載
N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標(biāo)數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標(biāo)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-20 10:53
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論