鉭電容出現(xiàn)漏電流是哪些原因？

鉭電容的漏電流是指在正常工作條件下，鉭電容器兩極之間存在的微弱漏電現(xiàn)象。這一現(xiàn)象主要由以下幾個(gè)因素導(dǎo)致：

一、制造材料的影響

鉭粉與鉭絲的質(zhì)量：鉭粉、鉭絲的化學(xué)性能、物理性能、雜質(zhì)含量、顆粒形狀及大小、擊穿電壓等都會(huì)直接影響鉭電容器的質(zhì)量。特別是雜質(zhì)含量，對(duì)形成氧化膜的質(zhì)量有很大影響。難熔雜質(zhì)如鎢、鉬、硅、鐵、銅等在燒結(jié)時(shí)難以完全去除，可能成為疵點(diǎn)的“晶核”，進(jìn)而成為導(dǎo)電通道。

鉭粉的規(guī)格選擇：鉭粉有多種規(guī)格，根據(jù)電容器的工作電壓可分為高壓粉、中壓粉、低壓粉。各種粉的比容、物理性能、擊穿電壓都有所區(qū)別。在生產(chǎn)電容器時(shí)，必須根據(jù)電容器的規(guī)格合理、恰當(dāng)?shù)剡x用鉭粉，以確保電容器的質(zhì)量。

二、制造工藝的影響

燒結(jié)工序：鉭電容器的陽(yáng)極芯子在成型時(shí)要經(jīng)過(guò)高溫高真空的燒結(jié)，目的是成型和提純。如果提純效果不佳，殘留的雜質(zhì)將成為介質(zhì)膜中的“晶核”，這是造成漏電流的隱患。

形成工序：將鉭陽(yáng)極放在電解液中，施加直流電壓，電解液中的氧離子和鉭陽(yáng)極中的鉭形成Ta2O5膜層。形成溫度過(guò)高、形成時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、升壓電流密度過(guò)大、形成電壓過(guò)高都會(huì)對(duì)介質(zhì)氧化膜產(chǎn)生晶化點(diǎn)，從而影響電容器的漏電流。

篩選工序：對(duì)鉭電容器的成品采取進(jìn)一步加嚴(yán)檢驗(yàn)的工藝，通常采用高、低溫篩選、長(zhǎng)時(shí)間高溫老練篩選以及X光透射檢查等。篩選的溫度及電壓選擇需適當(dāng)，太低不能有效剔除缺陷電容器，太高則可能導(dǎo)致合格產(chǎn)品因缺陷而失效被剔除。

三、使用條件的影響

工作電壓：電容器的實(shí)際工作電壓應(yīng)低于其額定電壓。長(zhǎng)期經(jīng)受較高工作電壓可能導(dǎo)致氧化膜中的雜質(zhì)或其他缺陷部位場(chǎng)強(qiáng)較高、電流密度較大，進(jìn)而產(chǎn)生局部高溫點(diǎn)，留下誘發(fā)熱致晶化的隱患。

反向電壓：非固體電解質(zhì)鉭電容器不允許反接在直流回路或接在純交流回路中。反向電壓可能導(dǎo)致陽(yáng)極表面沉積銀等金屬，構(gòu)成導(dǎo)電通道，從而增加漏電流。

工作溫度：電容器在電路板中布局時(shí)應(yīng)遠(yuǎn)離功率發(fā)熱器件。當(dāng)電容器靠近發(fā)熱器件時(shí)，其工作溫度會(huì)升高，導(dǎo)致氧化膜中的雜質(zhì)離子遷移速度增加，進(jìn)而增大漏電流。

四、其他因素

介質(zhì)吸收：絕緣氧化物中的離子在電場(chǎng)作用下發(fā)生運(yùn)動(dòng)，并在一定程度上導(dǎo)致電荷累積和釋放，這可能導(dǎo)致漏電流的增加。

外部環(huán)境：電容器應(yīng)避免直接接觸水、鹽、油等環(huán)境。這些雜質(zhì)離子可能將電容器陽(yáng)極陰線與陰極連同，形成并聯(lián)導(dǎo)電通道，導(dǎo)致漏電流增大。

綜上所述，鉭電容漏電流的產(chǎn)生是由多種因素共同作用的結(jié)果。為了降低漏電流，需要從制造材料、制造工藝、使用條件以及外部環(huán)境等多個(gè)方面進(jìn)行綜合控制。

審核編輯 黃宇