MS5221/MS5221M——2.7V 到 5.5V、 12Bit、單通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品簡(jiǎn)述

MS5221/MS5221M是一款12bit單通道輸出的電壓型DAC，接

口采用三線串口模式，可以兼容TMS320、SPI、QSPI和Microwire

串口。 MS5221/MS5221M 數(shù)據(jù)有 16bit ， 包 括 控 制 字 節(jié) ， 和

12bitDAC數(shù)據(jù)。MS5221/MS5221M電源范圍是2.7V到5.5V。內(nèi)部

集成電阻串分壓輸出接到一個(gè)AB類輸出、軌到軌輸出放大器，其

增益是6dB放大輸出。輸出驅(qū)動(dòng)放大器提高了穩(wěn)定性且降低了建

立時(shí)間。

MS5221 采用 SOP8 封裝，MS5221M 采用 MSOP8 封裝。

主要特點(diǎn)

?12bit 精度

?可編程建立時(shí)間 3μs 或 9μs

?兼容 TMS320、SPI、QSPI 和 Microwire 接口

?內(nèi)部上電復(fù)位

?集成 REF 緩沖器

?輸出范圍是 2 倍的基準(zhǔn)電壓

?對(duì)溫度不敏感

?軟件、硬件 Power down

?電源電壓：2.7V?5.5V

應(yīng)用

?數(shù)字伺服系統(tǒng)控制

?數(shù)字補(bǔ)償和增益調(diào)節(jié)

?工業(yè)過(guò)程控制

?機(jī)械和移動(dòng)控制設(shè)備

?大容量存儲(chǔ)設(shè)備

產(chǎn)品規(guī)格分類

管腳圖

管腳說(shuō)明

內(nèi)部框圖

極限參數(shù)

芯片使用中，任何超過(guò)極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對(duì)器件造成永久的損壞，芯片長(zhǎng)時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測(cè)試得出，并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

推薦工作條件

電氣參數(shù)

靜態(tài) DAC 參數(shù)

注：1. 積分非線性(INL)指線性誤差，是除去零點(diǎn)誤差和滿幅誤差的輸出相對(duì)于理想輸出的最大偏差。

2. 微分非線性(DNL)即微分誤差，指毗鄰 LSB 的最大幅度變化。

3. 零點(diǎn)失調(diào)指數(shù)字輸入為零時(shí)的模擬輸出。

4. 零點(diǎn)失調(diào)溫漂指數(shù)字輸入為零時(shí)的模擬輸出的隨溫度的變化。

5. 增益誤差指除去零點(diǎn)失調(diào)之后模擬輸出和理想輸出的偏差。

6. 增益誤差溫漂指除去零點(diǎn)失調(diào)之后模擬輸出和理想輸出的偏差隨溫度的變化。

7. 零點(diǎn)電源抑制比指當(dāng)數(shù)字輸入全零時(shí)，VDD 變化 5±0.5V 和 3±0.3V 導(dǎo)致輸出的變化比。

8. 滿幅電源抑制比指當(dāng)數(shù)字輸入全高電平時(shí)，VDD 變化 5±0.5V 和 3±0.3V 導(dǎo)致輸出的變化比。

如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文（16620966594）

應(yīng)用說(shuō)明

MS5221/MS5221M 是一個(gè) 12bit 單電源的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其架構(gòu)采用電阻陣列結(jié)構(gòu)，集成了串行接

口、速率和關(guān)斷邏輯控制、基準(zhǔn)輸入緩沖器、電阻串和輸出軌到軌放大器。

輸出電壓可以表示為：

VOUT=2×(VREFx D/212)

D 代表輸入的數(shù)字量。

串行接口

器件在 FS 的下降沿開始按位輸入數(shù)據(jù)（開始為高電平有效），在 16bit 都被轉(zhuǎn)移后或 FS 變高時(shí)，

內(nèi)部 DAC 更新對(duì)應(yīng)的輸出電平。

數(shù)據(jù)格式

MS5221/MS5221M 的數(shù)據(jù)字有兩部分構(gòu)成：控制位(D15?D12)和數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D11?D0)。

電源供電旁路和地管理

為了提高系統(tǒng)性能，PCB 設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將模擬地和數(shù)字地分別接不同的地連接層，兩個(gè)地板面應(yīng)在系

統(tǒng)的低阻抗節(jié)點(diǎn)處連接在一起。最好將 DAC 的 AGND 連到系統(tǒng)的模擬地，以確保能夠很好地管理模擬

地電流，且模擬地連接線的的壓降可忽略。

芯片電源和地之間應(yīng)接 0.1μF 的陶瓷去耦電容，且安裝在離芯片盡可能近的地方。使用磁環(huán)可進(jìn)

一步將系統(tǒng)的模擬電源和數(shù)字電源分開。

封裝外形圖

SOP8

——愛(ài)研究芯片的小王

審核編輯 黃宇