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英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品 駕駛艙快充首選

大大通 ? 2024-12-05 01:05 ? 次閱讀

近年來,隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用,大功率充電器也日益小型化。大眾對電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮,使得出行時的充電需求變得十分迫切。汽車駕駛艙作為一大頻繁的充電場所,為了在緊湊的點煙器空間里更輕松地應(yīng)對高功率手機(jī)、筆記本等設(shè)備的多端口充電需求,氮化鎵技術(shù)的加持顯得尤為重要。

近日,英諾賽科基于40V車規(guī)平臺推出了一款超小封裝的氮化鎵車規(guī)產(chǎn)品 INN040FQ045A-Q(40V/4.5mΩ,F(xiàn)CQFN 3mm*4mm封裝),當(dāng)前已通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。該產(chǎn)品具備小體積、低損耗、高頻高功率的優(yōu)點,不僅能縮小器件占板面積,同時還能滿足UMM(USB Multi-Connect Module)及UCM(USB Charging Module)等車載充電通訊模塊的大功率充電和高頻通訊需求,為新能源汽車的智能化、便捷化提供助力。

產(chǎn)品特性

通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

采用先進(jìn)的超低導(dǎo)通電阻低壓技術(shù)

極低的柵極電荷

具有較小的芯片面積

零反向恢復(fù)充電電量

產(chǎn)品優(yōu)勢

INN040FQ045A-Q與傳統(tǒng)Si器件相比,具備以下優(yōu)勢:

超小封裝(FCQFN 3x4mm),較傳統(tǒng)DFN 5x6器件占板面積可縮小60%;

相比MOSFET效率提升0.7%以上,器件損耗減小23%;

支持超高開關(guān)頻率(MHz)

應(yīng)用領(lǐng)域

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

車載USB充電器

筆記本充電器

移動電源

wKgZPGdWQSyAAPqnAAKRk3B2c2Y293.png

目前,INN040FQ045A-Q已進(jìn)入量產(chǎn)狀態(tài),批量訂單交付中,可通過官網(wǎng)查詢詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格書、可靠性報告、仿真模型等相關(guān)資料

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