本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機理。
干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？
如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為： SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g) CxFy是來自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。 Ar(+)是被加速的高能離子，起到物理轟擊的作用。 SiF4 ：四氟化硅，氣相形式的揮發(fā)性產(chǎn)物。 CO：一氧化碳，副產(chǎn)物。 紅色箭頭代表離子轟擊，高能離子轟擊表面，破壞SiO?分子的鍵，為自由基提供更多反應(yīng)位點，同時起到“方向性”作用，使刻蝕更具各向異性。 綠色箭頭代表氟自由基，即CxFy。Ar離子轟擊與化學(xué)刻蝕的結(jié)合，才能顯著提高刻蝕速率。單一的物理或化學(xué)機制均不足以實現(xiàn)高效刻蝕。 離子與中性粒子比值對反應(yīng)速率的影響
如上圖： 中性粒子（自由基）濃度：Ar（+）濃度：當比值較低時，刻蝕速率主要受自由基的濃度限制。在高比值時，Ar離子轟擊成為限制因素，刻蝕速率趨于飽和。
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原文標題：SiO2薄膜的刻蝕機理
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