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長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布

長(zhǎng)晶科技 ? 來(lái)源:長(zhǎng)晶科技 ? 2024-12-02 09:36 ? 次閱讀

長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布&光伏儲(chǔ)能/逆變器/充電模塊應(yīng)用方案

產(chǎn)品介紹—

長(zhǎng)晶科技本次推出了FST3.0(對(duì)標(biāo)國(guó)際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款I(lǐng)GBT單管,主要用于光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用。

CGR120N65F3SAD

CGR160N65F3KAD

CGR140N120F3KAD

—產(chǎn)品參數(shù)

5a4082ce-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

新品特點(diǎn)

1. 使用最新的微溝槽柵(1.6μm Pitch)+場(chǎng)終止技術(shù),提高載流子密度;

2. 芯片元胞/功率密度增大,經(jīng)濟(jì)性更好;

3. 針對(duì)光儲(chǔ)類(lèi)應(yīng)用優(yōu)化了通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)又保證產(chǎn)品的魯棒特性。

以1200V、140A產(chǎn)品為例,參數(shù)對(duì)比主流競(jìng)品參數(shù)如下:

5a5b36aa-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

—應(yīng)用方案—

針對(duì)光伏儲(chǔ)能/逆變器應(yīng)用,長(zhǎng)晶科技產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)在于:

1.產(chǎn)品經(jīng)過(guò)全面測(cè)試,確保能夠面對(duì)光伏系統(tǒng)的惡劣運(yùn)行環(huán)境

2.領(lǐng)先的功率密度水平,保證最少的能量損失

3. 適應(yīng)多個(gè)逆變器類(lèi)型,提供豐富的太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
在此按照應(yīng)用方案不同推薦如下

單向儲(chǔ)能逆變器

5ab395ac-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

IGBT

5abe2f94-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

FRD

5acae4aa-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

組串式光伏逆變器

組串式光伏-TNPC,是最適合的開(kāi)關(guān)頻率低于20kHz的拓?fù)?,需要同時(shí)用到650V和1200V的IGBT,長(zhǎng)晶科技按應(yīng)用功率不同進(jìn)行推薦如下:

5ae951c4-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

5af30da4-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

IGBT

5afca0b2-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

DC-AC Inverter

5b18966e-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

IGBT

5b249338-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

FRD

5b2fe81e-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

30/40kW充電模塊

針對(duì)充電樁市場(chǎng)應(yīng)用長(zhǎng)晶產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)在于:

1.優(yōu)化VCE(sat),降低導(dǎo)通損耗和溫升,兼顧優(yōu)秀的運(yùn)行可靠性

2.優(yōu)化體二極管反向恢復(fù)損耗

3. 成熟的充電樁解決方案,國(guó)內(nèi)優(yōu)秀廠商的成功案例

30/40kW充電模塊應(yīng)用中推薦如下

5b4c3906-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

IGBT

5b57eb2a-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

FRD

5b5d3b02-b04a-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

SiC MOS

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原文標(biāo)題:長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布&光伏儲(chǔ)能/逆變器/充電模塊應(yīng)用方案

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