0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-11-28 01:00 ? 次閱讀

英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650V G5晶體管,該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅動器。

251924a0-ace1-11ef-8084-92fbcf53809c.png

CoolGaN 650V G5晶體管

最新一代CoolGaN晶體管可直接替代CoolGaN 600V G1晶體管,實現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN 650V G5晶體管輸出電容中存儲的能量(Eoss)降低了多達50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達60%。憑借這些特性,新器件在硬開關和軟開關應用中都具有出色的效率。與傳統(tǒng)的半導體技術相比,其功率損耗大幅降低,根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%。

這些優(yōu)勢使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN 650V G5晶體管使SMPS應用變得更小、更輕,或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種RDS(on)和封裝組合。十種RDS(on)等級產(chǎn)品采用各種SMD封裝,如ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。未來,CoolGaN將過渡到12英寸生產(chǎn)線。這將使英飛凌進一步擴大其CoolGaN產(chǎn)能,并確保在GaN功率市場上擁有穩(wěn)健的供應鏈。Yole Group預測到2029年,該市場規(guī)模將達到20億美元[1]。

[1] 來源:Yole Intelligence, 2024年氮化鎵功率器件報告

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    67

    文章

    2319

    瀏覽量

    140207
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9979

    瀏覽量

    140694
  • 分立器件
    +關注

    關注

    5

    文章

    229

    瀏覽量

    21812
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1762

    瀏覽量

    117496
收藏 0人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設計

    當今的電源設計要求高效率功率密度。因此,設計人員將氮化 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓
    的頭像 發(fā)表于 05-19 09:29 ?403次閱讀
    基于德州儀器TOLL封裝GaN<b class='flag-5'>器件</b>優(yōu)化電源設計

    納微半導體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認證

    ? 納微功率GaNSafe氮化功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(OBC)和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?1425次閱讀
    納微半導體GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過車規(guī)認證

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    和數(shù)據(jù)通信 伺服電動機 工業(yè)的 汽車 CE65H110DNDl般特性 易于驅動,與標準門驅動器兼容 低傳導和開關損耗 符合RoHS標準 CE65H110DNDl好處 通過快速切換提高效率 功率密度
    發(fā)表于 03-31 14:26

    英飛凌推出新一代功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

    【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代密度
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:53 ?354次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出新一代</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?849次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?459次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、
    發(fā)表于 01-15 16:41

    PD快充芯片U8608凸顯功率密度優(yōu)勢

    PD快充芯片U8608凸顯功率密度優(yōu)勢氮化芯片具備令人矚目的功率密度特性,這意味著它可以在
    的頭像 發(fā)表于 12-19 16:15 ?506次閱讀
    PD快充芯片U8608凸顯<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>優(yōu)勢

    英飛凌新一代氮化產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    作為第三半導體材料的代表者,氮化(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領了全球功率半導體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>全<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    英飛凌推出高效率、功率密度新一代氮化功率分立器件

    【 2024 年 11 月 20 日 , 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 65
    發(fā)表于 11-20 18:27 ?745次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>高效率</b>、<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>的<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>

    英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化功率半導體優(yōu)化無線功率

    先進的無線功率解決方案,為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:50 ?566次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>攜手AWL-Electricity通過<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>半導體優(yōu)化無線<b class='flag-5'>功率</b>

    分立器件在45W氮化快充產(chǎn)品中的應用

    成為市場上的新勢力。通常,氮化充電器具有高效率、功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優(yōu)點,很多高端
    的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?740次閱讀
    <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>在45W<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充產(chǎn)品中的應用

    氮化和砷化哪個先進

    景和技術需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢 高頻與高效率氮化具有電子遷移率和低電阻率,使得它
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?4844次閱讀

    英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術助力電力電子行業(yè)變革

    在日新月異的電力電子行業(yè),對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對于新一代硅基MOSFET,英飛凌進行了巨大的研發(fā)投入,以重新定義系統(tǒng)集成標準,使其在廣泛的電力電子應用中能夠實
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:47 ?568次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>600 V CoolMOS? 8 <b class='flag-5'>新一代</b>硅基MOSFET技術助力電力電子行業(yè)變革

    全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求

    ?第三快速碳化硅功率器件打造, 以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。 下一代
    發(fā)表于 07-26 14:54 ?1840次閱讀
    全球最高<b class='flag-5'>功率密度</b>!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的<b class='flag-5'>功率</b>需求

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品