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一些半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來(lái)源:深圳市賽姆烯金科技有限 ? 2024-11-27 10:14 ? 次閱讀

我們身邊的材料可以按導(dǎo)電性分為導(dǎo)體(Conductor)、絕緣體(Insulator)和半導(dǎo)體(Semiconductor)。金屬、石墨、人體等具有良好的導(dǎo)電能力,被稱為導(dǎo)體。橡膠、塑料、干木頭等是不導(dǎo)電的,或者說(shuō)導(dǎo)電能力極差,屬于絕緣體。而導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的硅、鍺等材料,就是半導(dǎo)體。來(lái)張圖直觀看看物體的導(dǎo)電性:

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按照導(dǎo)電性可分為:

絕緣體:電導(dǎo)率很低,介于10-18~10-8 S/cm,如熔融石英、玻璃;

導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于103~108 S/cm,如鉍、銀等金屬;

半導(dǎo)體:電導(dǎo)率則介于絕緣體和導(dǎo)體之間。

一、能帶的概念

想要更深層次地了解半導(dǎo)體,就需要先了解一下能帶的概念。能帶是根據(jù)電子能量高低及狀態(tài)劃分的區(qū)域,通常包括導(dǎo)帶(Conduction band)、禁帶(Forbidden band)、價(jià)帶(Valence band)三部分。電子在能帶中的位置越高,其能量就越大。

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以下是非常學(xué)術(shù)的解釋:

本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)中存在著由于熱激發(fā)出來(lái)的“自由電子”,還有未能夠被激發(fā)出來(lái)的“價(jià)電子”(存在于共價(jià)鍵之中)。價(jià)電子要想逃離原子核的束縛需要具有一定的能量克服引力做功,一旦逃離出共價(jià)鍵之后,勢(shì)必當(dāng)前的電子吸收的外在的能量,具有更高的能量。我們?nèi)我馄书_(kāi)某一個(gè)晶格,進(jìn)入到晶體的微觀世界中,可以將共價(jià)鍵控制的區(qū)域稱為價(jià)帶,將共價(jià)鍵控制不到的區(qū)域稱為導(dǎo)帶,顧名思義在導(dǎo)帶里面的電子成為了電流的載流子。價(jià)帶和導(dǎo)帶之間稱為禁帶,在量子世界里,電子能夠吸收能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,也能釋放能量從導(dǎo)帶跌入到價(jià)帶,禁帶被認(rèn)為是電子的真空區(qū)域。

以下是很形象的比喻:

導(dǎo)帶是高架橋,價(jià)帶是地面人行道。半導(dǎo)體就像是人滿為患時(shí)的地面交通,電子們寸步難行擠成狗,但你若是有本事跳上空曠無(wú)人的高架橋,那就可以隨便蹦跶了。高架橋到地面之間的空檔,就被稱為禁帶。所謂禁帶,就是說(shuō)電子沒(méi)地方可站。高架橋若是太高,電子們跳不上去,交通便陷入徹底癱瘓。這是絕緣體。高架橋若是接上了地面道路,電子們就能紛紛上橋,交通立刻順暢起來(lái)。這是金屬?,F(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù),之所以能夠?qū)崿F(xiàn)器件的開(kāi)關(guān),就是能夠在高架杯和地面之間架起一座臨時(shí)的梯子,它將決定地面上有多少幸運(yùn)的電子能夠登上高架橋,擔(dān)負(fù)起導(dǎo)電的偉大使命。

因此,禁帶寬度(Bandgap)是區(qū)分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的重要標(biāo)志。導(dǎo)體的禁帶寬度為零,電子可以輕易進(jìn)入導(dǎo)帶,成為自由電子,因此導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很強(qiáng)。而絕緣體的禁帶寬度很大,電子要躍遷到導(dǎo)帶需要很大的能量,只有極少的電子能越過(guò)禁帶,因此絕緣體的導(dǎo)電能力極差。而半導(dǎo)體的禁帶寬度較絕緣體小,電子越過(guò)禁帶需要的能量小,有更多的電子能夠越過(guò)禁帶,因此導(dǎo)電能力比絕緣體略強(qiáng),但仍然遠(yuǎn)遜于導(dǎo)體。

Si3N4的禁帶寬度為8eV(電子伏特),Al2O3的禁帶寬度為10.6eV,它們是絕緣體。而鍺、硅、砷化鎵、氮化鎵以及氧化鎵的禁帶寬度分別為0.67eV、1.12 eV、1.43eV、3.4eV和4.8eV左右,它們都是半導(dǎo)體。(注:電子伏特是能量單位,代表一個(gè)電子經(jīng)過(guò)1V的電位差加速后所獲得的動(dòng)能)

從三種材料的能帶圖來(lái)看,半導(dǎo)體和絕緣體的能帶是類似的,而與導(dǎo)體的能帶圖相差較大。其實(shí)并沒(méi)有一個(gè)明確的禁帶寬度大小來(lái)區(qū)分半導(dǎo)體與絕緣體,并且隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體的禁帶寬度越來(lái)越大,寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體的禁帶寬度,已經(jīng)越來(lái)越接近一些絕緣體。

二、N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

半導(dǎo)體相較于絕緣體有另一個(gè)特征,那就是半導(dǎo)體材料中一旦摻入了雜質(zhì)原子(簡(jiǎn)稱摻雜)后,就會(huì)對(duì)半導(dǎo)體材料的物理和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響。如按十萬(wàn)分之一的比例在硅中摻入磷原子,硅的導(dǎo)電性將提升一千倍。

自然界中常見(jiàn)的元素半導(dǎo)體有硅、鍺。而鍺基半導(dǎo)體比硅基半導(dǎo)體還要更早發(fā)現(xiàn)和應(yīng)用,但是硅的天然優(yōu)勢(shì)就是便宜!自然界中常見(jiàn)的沙石就含有大量的硅元素!

先深入了解一下硅元素,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外層有4個(gè)電子,分別與周圍4個(gè)原子共用4對(duì)電子,這種共用電子對(duì)的結(jié)構(gòu)稱為共價(jià)鍵(Covalent bonding)。注意,硅原子共用電子的情況是,中間一個(gè)硅原子和四個(gè)硅原子共用電子。

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物理學(xué)家想到一個(gè)問(wèn)題,如果不與周圍硅原子共用電子,把其他原子拉進(jìn)會(huì)怎樣?砷原子最外層有5個(gè)電子,其中4個(gè)電子找到了硅原子,另外一個(gè)電子單著了,這個(gè)電子成了無(wú)業(yè)游民,到處流竄,由于電子帶有電荷,于是改變了硅的導(dǎo)電性。此時(shí)的砷原子多提供了一個(gè)電子給硅,因此砷原子被稱為施主(donor)。硅的自由電子多了以后,帶負(fù)電的載流子增加,硅變成N型半導(dǎo)體。為啥叫N型?在英文里Negative代表負(fù),取這個(gè)單詞的第一個(gè)字母,就是N。

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同樣,物理學(xué)家想,既然可以把電子多的砷元素拉進(jìn)群,那么是否也可以把電子少的硼原子拉進(jìn)群? 由于硼原子最外層只有3個(gè)電子,比硅少一個(gè),于是本來(lái)兩對(duì)電子的共價(jià)鍵現(xiàn)在成了只有一對(duì)電子,多了一個(gè)空位,成了帶正電的空穴(Hole)。此時(shí)的硅基半導(dǎo)體被稱為P型半導(dǎo)體,同樣P來(lái)自英文單詞Positive的首字母,而硼原子則被稱為受主(acceptor)。正是在硅單晶中加入的原子不同,便形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

由于加入硼或砷以后,它們改變了硅的電化學(xué)性能,此時(shí)的半導(dǎo)體叫做非本征(extrinsic)半導(dǎo)體,而由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸形成的結(jié)稱為p-n結(jié)!

三、p-n結(jié)的原理

左圖是一個(gè)P型半導(dǎo)體和一個(gè)N型半導(dǎo)體,它們獨(dú)立存在時(shí)對(duì)外不顯電性。

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將它們拼接在一起,你看看我,我看看你,P家的空穴想去N家串串門(mén),N家的電子也想去P家看看。它們分別往對(duì)方的陣地走,走著走著它們猛然發(fā)現(xiàn),電子可以掉進(jìn)空穴里,空穴可以完全接納電子,在它們碰到的地方既沒(méi)有了空穴,也沒(méi)有了電子(因?yàn)閺?fù)合了),這個(gè)區(qū)域稱為耗盡區(qū)(Depletion region)。既然中間有了耗盡區(qū),電子跑不動(dòng)了,空穴也跑不動(dòng)了。

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但如果我們給這些電子加把力,把它往前推一下會(huì)怎么樣呢?那就給這個(gè)p-n結(jié)外加一個(gè)電場(chǎng),有電場(chǎng)就有了電子的流動(dòng)。我們把P型半導(dǎo)體接入正極,N型半導(dǎo)體接入負(fù)極時(shí)(如下圖)。外加電壓使P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位,稱為加正向電壓,簡(jiǎn)稱正偏;p-n結(jié)加正向電壓時(shí),p-n結(jié)變窄,正向電流較大,正向電阻較小,p-n結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。

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如果把正負(fù)極反過(guò)來(lái)接在p-n結(jié)上會(huì)怎樣?將外加電壓使P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位,稱為加反向電壓,簡(jiǎn)稱反偏;p-n結(jié)加反向電壓時(shí),p-n結(jié)變寬,反向電流較小,反向電阻較大,p-n結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。

總結(jié)一下,通過(guò)對(duì)p-n結(jié)施加不同方向的電壓,得到:p-n結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流,p-n結(jié)導(dǎo)通。p-n結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流,p-n結(jié)截止,由此可以得出結(jié)論:p-n結(jié)具有單向?qū)щ娦?。要知道,p-n結(jié)是一切半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ),就如同面粉是主食的基礎(chǔ),面粉可以做成包子、饅頭、面包、面條…

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