Littelfuse發(fā)布超級結(jié)X4-Class功率MOSFET

提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。

超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

這些新器件在當前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩(wěn)定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導通電阻，增強并補充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當下最先進的X4-Class MOSFET解決方案相比，這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍，導通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導通損耗的一系列低壓功率應用，包括：

電池儲能系統(tǒng)（BESS）

電池充電器

電池成型

DC/電池負載開關(guān)，以及

電源

“新器件將允許設計人員用一個器件解決方案取代多個并聯(lián)的低額定電流器件。”Littelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示，“這種獨特的解決方案簡化了柵極驅(qū)動器設計，提高了可靠性，改善了功率密度和PCB空間利用率?！?/p>

超級結(jié)X4級功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢：

低傳導損耗

最少的并行連接工作量

驅(qū)動器設計簡化，驅(qū)動器損耗最小

簡化的熱設計

功率密度增加

為什么對于看重極小導通損耗的應用來說具有低導通電阻的MOSFET是首選？

對于看重極小導通損耗的應用來說，具有低導通電阻（RDS(on)）的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗，從而降低傳導損耗，提高效率，并減少發(fā)熱。因此，它們非常適合電源、電機驅(qū)動器和電池供電設備等功率敏感型應用，在這些應用中，保持高效率和熱管理至關(guān)重要。

性能指標

供貨情況

超級結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨?？赏ㄟ^Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名單，請訪問 Littelfuse.com。