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新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-11-23 01:04 ? 次閱讀
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新品

CoolSiC MOSFET 650V G2,

7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

c7dbd09e-a8f3-11ef-8084-92fbcf53809c.png

CoolSiC MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝,以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化,實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進,適用于所有常見的系統(tǒng)設(shè)計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

產(chǎn)品型號:

■IMW65R007M2H

■IMZA65R007M2H

產(chǎn)品特點

優(yōu)異的性能指標(biāo)(FOM)

個位數(shù)RDS(on)

堅固耐用,整體質(zhì)量高

靈活的驅(qū)動電壓范圍

支持單電源驅(qū)動,VGS(off)=0

避免誤開通

.XT技術(shù)改進封裝互聯(lián)

應(yīng)用價值

節(jié)省物料清單

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能

最高可靠性

實現(xiàn)最高效率和功率密度

易于使用

與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容

允許無需風(fēng)扇或無散熱器設(shè)計

競爭優(yōu)勢

開關(guān)損耗極低

標(biāo)桿性柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V

柵極關(guān)斷電壓為0V,可抵御寄生導(dǎo)通

驅(qū)動電壓靈活,與正負(fù)電源驅(qū)動兼容

用于硬換流的堅固體二極管

.XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

競爭優(yōu)勢

開關(guān)電源(SMPS)

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

UPS

電動汽車充電

電機驅(qū)動

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