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掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

旺材芯片 ? 來(lái)源:北京派和科技股份有限公 ? 2024-11-22 09:57 ? 次閱讀
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傳統(tǒng)LED的封裝環(huán)節(jié),一般通過(guò)吸盤采用真空吸取,通過(guò)機(jī)械臂轉(zhuǎn)移到指定位置后再進(jìn)行放置的方式實(shí)現(xiàn)。Mini/Micro LED的尺寸基本小于50 μm,而吸盤能夠吸取的最小尺寸極限在80 μm,因此真空吸附的方式不適用于Mini/Micro LED的封裝工藝。

巨量轉(zhuǎn)移是指將微米級(jí)的?LED晶??焖偾揖珳?zhǔn)地轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路基板上,并與驅(qū)動(dòng)電路之間形成良好的電氣連接和機(jī)械固定。這一過(guò)程通常涉及將大量的微米級(jí)晶粒(如Mini/Micro LED器件)轉(zhuǎn)移到特定的驅(qū)動(dòng)基板上,并組裝成二維周期陣列。?

在巨量轉(zhuǎn)移領(lǐng)域中,可行方案有基于靜電力的轉(zhuǎn)移技術(shù)、基于范德華力的微圖章轉(zhuǎn)移技術(shù)、磁場(chǎng)力轉(zhuǎn)移技術(shù)、滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)、流體組裝技術(shù)、激光無(wú)接觸轉(zhuǎn)移技術(shù)、機(jī)械頂針轉(zhuǎn)移技術(shù)等。

基于靜電力的轉(zhuǎn)移技術(shù)是通過(guò)調(diào)節(jié)靜電力來(lái)實(shí)現(xiàn)LED芯片的拾取/放置動(dòng)作。該技術(shù)對(duì)平整度要求極高,并且靜電失控會(huì)損壞LED管芯,導(dǎo)致失效。

基于范德華力的微圖章轉(zhuǎn)移技術(shù)是通過(guò)控制界面粘合力實(shí)現(xiàn)LED芯片的拾取/放置動(dòng)作。雖然其控制速度較快,但粘附力的調(diào)節(jié)精度較難實(shí)現(xiàn)。由于外部壓力及溫度會(huì)使圖章產(chǎn)生不規(guī)則會(huì)變形,其轉(zhuǎn)印的精度難以保證,影響良率。

磁場(chǎng)力轉(zhuǎn)移技術(shù)是通過(guò)調(diào)整CI結(jié)構(gòu)材料的比例來(lái)實(shí)現(xiàn)界面的黏附力,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)LED芯片的拾取/放置動(dòng)作。但磁流變彈性體制備復(fù)雜,需要通過(guò)外加磁場(chǎng)調(diào)控CI粒子含量,技術(shù)復(fù)雜度極高。

滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)實(shí)現(xiàn)較為簡(jiǎn)單,重點(diǎn)保證卷的輥隙壓力均勻和同步卷的角運(yùn)動(dòng)和樣品安裝平臺(tái)的平移運(yùn)動(dòng),且轉(zhuǎn)移速率較高,但是選擇性差,后期檢修環(huán)節(jié)是綜合效率低的原因。

流體組裝技術(shù)兩個(gè)挑戰(zhàn)分別是如何實(shí)現(xiàn)最大的Mini/Micro-LED捕獲速度以及如何實(shí)現(xiàn)最小的高速陣列組件分配速度。該技術(shù)被認(rèn)為是微型LED組裝的經(jīng)濟(jì)高效且快速的解決方案。與滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)相同的是,該技術(shù)選擇性差,后期檢修環(huán)節(jié)極大影響綜合效率。

激光無(wú)接觸轉(zhuǎn)移技術(shù)是以激光為驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸選擇性加工,并以圖案化方式實(shí)現(xiàn)Mini/Micro Led陣列化和批量化的轉(zhuǎn)移。激光無(wú)接觸轉(zhuǎn)移技術(shù)在效率上相對(duì)較高,但其工藝環(huán)節(jié)執(zhí)行前的準(zhǔn)備中需要芯片預(yù)排。其預(yù)排效率是制約綜合效率及技術(shù)普及的關(guān)鍵因素,對(duì)于COB工藝而言,在預(yù)排過(guò)程所需時(shí)間內(nèi)即可實(shí)現(xiàn)相同數(shù)量的芯片轉(zhuǎn)移。

機(jī)械頂針式轉(zhuǎn)移工藝,是一種新型板上芯片倒裝轉(zhuǎn)移工藝(COB,chip on board),工藝執(zhí)行過(guò)程中,將LED芯片縱向投影點(diǎn)、頂針縱向投影點(diǎn)(頂針下扎上抬全過(guò)程需保證其尖端只有縱向移動(dòng))、焊接基板精準(zhǔn)對(duì)齊,頂針直接從藍(lán)膜背面將芯片刺向基板完成轉(zhuǎn)移。該技術(shù)中涉及難點(diǎn)有:多層級(jí)機(jī)械機(jī)構(gòu)的宏微協(xié)同控制方法;高頻、高加速度引起的非線性振動(dòng)消除方法;針對(duì)藍(lán)膜自身彈性響應(yīng)引起的芯片偏移量控制方法。

科學(xué)無(wú)主流,工藝無(wú)優(yōu)劣。隨著科技發(fā)展的不斷進(jìn)行,各類工藝輪番展現(xiàn)出各自的相對(duì)優(yōu)勢(shì)。如何選擇合適的技術(shù)與工藝,進(jìn)而回答科技之問(wèn),解決時(shí)代之問(wèn)題,是科技工作者時(shí)刻需要考慮的問(wèn)題。

機(jī)械頂針式轉(zhuǎn)移工藝介紹

板上芯片倒裝轉(zhuǎn)移工藝(倒裝COB,chip on board),是在傳統(tǒng) PICK & PLACE 基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)。

正裝COB與倒裝COB在結(jié)構(gòu)上的區(qū)別

如圖1(a),對(duì)于板上芯片正裝轉(zhuǎn)移工藝,芯片固定在基板上,電極朝上,芯片與焊盤通過(guò)金屬線連接。如圖1(b),對(duì)于板上芯片倒裝轉(zhuǎn)移工藝,芯片固定在基板上,電極朝下,與焊盤直接接觸并連接。

圖1 COB結(jié)構(gòu)。(a)正裝COB;(b)倒裝COB

正裝COB與倒裝COB在工藝上的區(qū)別

對(duì)于板上芯片正裝轉(zhuǎn)移工藝,其固晶工藝流程,如圖2所示。

圖2 傳統(tǒng)PICK&PLACE工藝(正裝COB)

① 待固定芯片在藍(lán)膜上。固晶頭上的頂針在藍(lán)膜下方并與待固定芯片縱向?qū)φ?;吸盤在藍(lán)膜上方并與待固定芯片縱向?qū)φ?/p>

② 頂針上移,并接觸到藍(lán)膜的待固定芯片正下方。

③ 頂針繼續(xù)上移,將待固定芯片頂送至吸盤,吸盤將待固定芯片吸附住。

④ 頂針下移,待固定芯片脫離芯片并隨吸盤移動(dòng)。

⑤ 頂針下移至原位置,藍(lán)膜恢復(fù)原狀態(tài)。

⑥ 吸盤攜帶待固定芯片移動(dòng)至基板的預(yù)設(shè)焊盤的正上方。

⑦ 吸盤下移,將芯片按壓至玻璃基板的焊盤上。

⑧ 吸盤取消負(fù)壓,并向上移動(dòng),待固定芯片脫離藍(lán)膜留置在基板上。機(jī)構(gòu)恢復(fù)初始位置并開(kāi)始下一個(gè)運(yùn)動(dòng)周期。

對(duì)于板上芯片倒裝轉(zhuǎn)移工藝,其固晶工藝流程,如圖3。

圖3 倒裝COB工藝

① 待固定芯片在藍(lán)膜的下方。固晶頭上的頂針在藍(lán)膜上方并與待固定芯片縱向?qū)φ?/p>

② 頂針下扎,并接觸到藍(lán)膜的待固定芯片正上方。

③ 頂針繼續(xù)下扎,將待固定芯片頂送至玻璃基板的焊盤上。

④ 頂針上抬,待固定芯片脫離藍(lán)膜留置在基板上。

⑤ 頂針繼續(xù)上抬,并與藍(lán)膜脫離。機(jī)構(gòu)恢復(fù)初始位置并開(kāi)始下一個(gè)運(yùn)動(dòng)周期。

機(jī)械頂針式轉(zhuǎn)移工藝中涉及的參數(shù)

北京派和科技股份有限公司生產(chǎn)的π Bonder系統(tǒng)固晶頭是一種適用于Mini LED等巨量轉(zhuǎn)移行業(yè)的高速往復(fù)運(yùn)動(dòng)設(shè)備。該設(shè)備采用壓電陶瓷控制技術(shù),能實(shí)現(xiàn)120 Hz頻率正交雙軸耦合的穩(wěn)定間歇式往復(fù)運(yùn)動(dòng)(縱向運(yùn)動(dòng)時(shí)間4 ms,空閑時(shí)間6 ms)。設(shè)備可實(shí)現(xiàn)縱向最大行程1.2 mm,在采用最大行程時(shí)末端重復(fù)精度可達(dá)10 μm以內(nèi)。同時(shí),橫向動(dòng)作可實(shí)現(xiàn)對(duì)安裝基臺(tái)75~700 mm/s的運(yùn)動(dòng)速度做出位移補(bǔ)償,使固晶頭機(jī)構(gòu)末端在運(yùn)動(dòng)周期的固晶工作時(shí)間內(nèi)相對(duì)基臺(tái)做直上直下的縱向運(yùn)動(dòng)。

壓電陶瓷具有靈敏度高、?無(wú)磁場(chǎng)散播外溢、?成本低、?耗電少等特點(diǎn),在效率及精度同時(shí)保障的條件下,可以做到低電磁干擾、節(jié)能環(huán)保。且其從動(dòng)機(jī)構(gòu)為無(wú)間隙機(jī)構(gòu)的柔性鉸鏈,既無(wú)摩擦,也無(wú)間隙引起的非線性振動(dòng),可保持機(jī)構(gòu)上時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行且壽命較長(zhǎng)。是高精度高速機(jī)構(gòu)的優(yōu)選方案。

其產(chǎn)品在固晶過(guò)程中,固晶頭涉及的最重要的參數(shù)如圖4。

圖4 固晶頭重要的運(yùn)動(dòng)參數(shù)

在位置方面有位移,膜下高度,向上過(guò)沖量,向下過(guò)沖量;在時(shí)間方面有總運(yùn)動(dòng)周期,頂針自本周期開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到回到零點(diǎn)的回零周期,頂針自本周期開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到回零穩(wěn)定的整定周期,頂針自接觸藍(lán)膜到離開(kāi)藍(lán)膜之間的膜下時(shí)間。

固晶過(guò)程中,固晶頭與基臺(tái)配合運(yùn)動(dòng),涉及的最重要的參數(shù)如圖5。

圖5 固晶頭重要的運(yùn)動(dòng)參數(shù)。(a)運(yùn)動(dòng)參數(shù)定義1;(b)運(yùn)動(dòng)參數(shù)定義2

在位置方面主要有位移,膜下高度,下扎劃膜距離,上抬劃膜距離,總劃膜距離等。

不同的打件模式

為便于說(shuō)明,將縱向向下定義為Z軸正向,沿橫梁長(zhǎng)度方向定義為Y軸,沿垂直于橫梁長(zhǎng)度方向定義為X軸。

1.快打模式

快打指除換行需求外的持續(xù)快速打件(每行內(nèi)打件速度100 Hz),包括正打(90度)和反打(270度)。此模式狀態(tài)下的固晶頭刺針觸膜過(guò)程中,固晶頭隨橫梁沿Y向勻速運(yùn)動(dòng)。

在快打模式中,固晶頭所在橫梁的路徑規(guī)劃包括S型路徑、Z型路徑及混合路徑(圖6)。換行時(shí)間不超過(guò)120 ms。

圖6 S型路徑、Z型路徑及混合路徑三種快打模式的打件路徑

2.慢打模式

慢打指打件速度較低的狀態(tài),如對(duì)漏打的芯片進(jìn)行補(bǔ)打、壞點(diǎn)修復(fù)中的補(bǔ)打、剩余芯片較分散等的情況。此模式狀態(tài)下的固晶頭刺針觸膜過(guò)程中,固晶頭在橫梁保持相對(duì)靜止。

工藝難點(diǎn)解決

多層級(jí)機(jī)械機(jī)構(gòu)的宏微協(xié)同控制方法

多層級(jí)機(jī)械機(jī)構(gòu)的宏微協(xié)同控制方法的核心原理如下:

1.結(jié)構(gòu)分層

控制系統(tǒng)分為不同的層級(jí),每個(gè)層級(jí)都有相應(yīng)的目標(biāo)和任務(wù),同一層級(jí)中,具有特定目標(biāo)和任務(wù)的一個(gè)機(jī)械機(jī)構(gòu)的集合作為該任務(wù)的執(zhí)行單元。執(zhí)行單元也可分為多個(gè)層級(jí)。

2.控制協(xié)同

各層級(jí)之間通過(guò)信息交流和控制指令來(lái)實(shí)現(xiàn)協(xié)同控制,以達(dá)到整體性能最優(yōu)化的目標(biāo)。

3.問(wèn)題分解

將復(fù)雜的控制問(wèn)題分解為多個(gè)子問(wèn)題,子問(wèn)題又可繼續(xù)再分,形成問(wèn)題樹。各個(gè)層級(jí)分別處理自己的層級(jí)問(wèn)題,并通過(guò)信息交流和指令傳遞來(lái)協(xié)調(diào)各個(gè)子問(wèn)題的處理。

4.分配優(yōu)化

根據(jù)控制系統(tǒng)的目標(biāo)和約束條件,對(duì)各層級(jí)的任務(wù)和資源進(jìn)行優(yōu)化分配,使得整個(gè)系統(tǒng)的性能最優(yōu)化。

通過(guò)對(duì)問(wèn)題的分解、控制及執(zhí)行的分配與優(yōu)化,達(dá)到復(fù)雜系統(tǒng)協(xié)同運(yùn)行的目的。

高頻、高加速度引起的非線性振動(dòng)消除方法

1.連續(xù)控制

對(duì)于壓電陶瓷的驅(qū)動(dòng)電壓控制,采用連續(xù)控制方法,避免傳統(tǒng)的棒棒控制引起高頻激振。

2.非間隙機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)

將固晶頭的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)為無(wú)間隙鉸鏈機(jī)構(gòu),且其驅(qū)動(dòng)用壓電陶瓷本身也是非間隙的連續(xù)結(jié)構(gòu),因此可以避免機(jī)構(gòu)高速往復(fù)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的剛性沖擊。

3.高速運(yùn)動(dòng)規(guī)劃

在機(jī)構(gòu)高速運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)規(guī)劃中,考慮高速機(jī)構(gòu)的動(dòng)態(tài)特性,在曲線中消除柔性沖擊。使高速機(jī)構(gòu)在高速往復(fù)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的振動(dòng)表現(xiàn)為低速運(yùn)動(dòng)表征。

4.運(yùn)動(dòng)耗散

在機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)中適當(dāng)增加阻尼,以耗散快速往復(fù)運(yùn)動(dòng)沖量帶來(lái)的振動(dòng)。

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原文標(biāo)題:壓電技術(shù) | 掀起Mini/Micro LED領(lǐng)域新浪潮

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    護(hù)膚市場(chǎng)掀起新浪潮隨著消費(fèi)者生活水平提高以及護(hù)膚理念的不斷成熟,與“科技護(hù)膚、“精簡(jiǎn)護(hù)膚”有關(guān)的概念受到年輕女性的不斷追捧。護(hù)膚領(lǐng)域也開(kāi)始嘗試圍繞科技護(hù)膚、精簡(jiǎn)護(hù)膚理念研發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。如何抓住這股以
    的頭像 發(fā)表于 03-28 16:14 ?2180次閱讀
    護(hù)膚市場(chǎng)<b class='flag-5'>新浪潮</b>來(lái)了!綠展科技用一片抗衰電子面膜撬動(dòng)千億“她經(jīng)濟(jì)”?

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