產(chǎn)品簡述
MS41968 是一款低壓 5V 多通道鏡頭驅(qū)動芯片,
集成 Hall 模式的光圈驅(qū)動、四通道步進電機驅(qū)動、兩
通道直流電機驅(qū)動和四通道的 LED 驅(qū)動。步進電機驅(qū)
動部分采用具有電流細分的電壓驅(qū)動方式以及扭矩紋
波修正技術(shù),實現(xiàn)了超低噪聲微步進電機驅(qū)動。
主要特點
?電壓驅(qū)動方式,256 細分微步進驅(qū)動電路:
工作電壓 5V,每個 H 橋驅(qū)動電流±0.4A
?四線 SPI 串行總線通信控制電機
?Hall 位置檢測的 PID 光圈控制
?四通道高精度步進電機驅(qū)動
?兩通道直流電機驅(qū)動用于 IRCUT,
也可以組合成第五個通道的步進驅(qū)動
?四通道 LED 驅(qū)動
?QFN88 (10x10) 封裝
應(yīng)用
?攝像機
?監(jiān)控攝像機MS41968 集成邏輯 IO 接口電源供電 VIO,可以
應(yīng)用于 1.2V 到 3.6V 的不同電壓接口。
產(chǎn)品規(guī)格分類
管腳圖
管腳說明
內(nèi)部框圖
極限參數(shù)
絕對最大額定值
芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作
狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在
此極限條件下。
注:1. 絕對最大額定值,是指在容損范圍內(nèi)使用的場合。
2. 容損值,是指在Ta = 85°C 時封裝單體的值。實際使用時,希望在參考技術(shù)資料和PD- Ta特性圖的基
礎(chǔ)上,依據(jù)電源電壓、負荷、環(huán)境溫度條件,進行不超過容損值的散熱設(shè)計。
3. 除了容損值、工作環(huán)境溫度以及存儲溫度的參數(shù)以外,所有溫度為 Ta = 25°C。
4. (VIO + 0.3)電壓不可超過5.5V。
端子容許電流電壓范圍
注:1. 容許端子電流電壓范圍,是指任何情況下不允許超過這個電氣參數(shù)范圍。
2. 額定電壓值,是指對 GND 的各端子的電壓。GND 是指 GNDD,MGNDx。
3. 應(yīng)用時,VDDA 與 VDDD 需要接一起,可以接 2.7V?5V 電源。另外,需要保證 VMxx 電壓大于等于
VDDA 的電壓。
4. 在下面沒有記述的端子以外,嚴禁從外界輸入電壓和電流。
5. 關(guān)于電流,“+”表示流向 IC 的電流,“-”表示從 IC 流出的電流。
電氣參數(shù)
VDD5=VMx =5V,VDDD=VDDA=3.3V, VIO=3.3V。沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為Ta=25°C±2°C。
功能描述
1. 串行接口
電氣參數(shù)(設(shè)計參考值)
VDD5=VMxx=5V,VDDD=VDDA=3.3V,VIO=3.3V。沒有特別規(guī)定,Ta = 25°C ±2°C。
1. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換在 CS 的上升沿開始,在 CS 的下降沿停止。
2. 一次轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)流單位是 24 位。
3. 當(dāng)?shù)刂泛蛿?shù)據(jù)從 SIN 引腳輸入時,同時鐘信號 SCK 保持一致在CS = 1的條件下。
4. 數(shù)據(jù)在SCK信號的上升沿被打入IC。
同時,數(shù)據(jù)輸出時,在 SOUT 引腳讀出(數(shù)據(jù)在SCK的上升沿輸出)
5. 在CS = 0時,SOUT 輸出高阻態(tài),并且在CS= 1,輸出“0”,除非有數(shù)據(jù)讀出。
6. 整個串行接口的控制在CS = 0時復(fù)位。
1.4 寄存器列表
所有寄存器位數(shù)據(jù)在RSTB = 0時被初始化。
其中,α通道對應(yīng)由OUT1A、 OUT1B、OUT2A、 OUT2B組成的步進電機通道。
其中,β通道對應(yīng)由OUT3A、OUT3B、 OUT4A、 OUT4B組成的步進電機通道。
其中,γ通道對應(yīng)由OUT5A、OUT5B、 OUT6A、OUT6B組成的步進電機通道。
其中,δ通道對應(yīng)由OUT7A、 OUT7B、 OUT8A、OUT8B組成的步進電機通道。
其中,ε通道對應(yīng)由OUT9A、OUT9B、 OUTAA、 OUTAB組成的步進電機通道。
*注:27h、31h地址對應(yīng)的β通道、δ通道沒有細分選項(固定為256分頻)和相位矯正選項。27h、31h
地址的D15?D8需要固化為0。
1.5 寄存器建立時刻
* 0→1:起作用于DT1:1→0:起作用于DT2x。
*注:27h、31h地址對應(yīng) 的β通道、δ通道沒有細分選項(固定為256分頻)和相位矯正選項。27h、31h
地址的D15?D8需要固化為0。
原則上來說,用于細分步進的寄存器的建立應(yīng)該在起始點延時的這段時間段執(zhí)行完(參考第19頁
圖)。在起始點延時這段時間外寫入的數(shù)據(jù)也能被存入寄存器。然而,如果寫操作在刷新時間后執(zhí)行
的話,寫入的寄存器不會在計劃的時刻有效。舉例說明:如果在起始點激勵延時后更新的數(shù)據(jù)1?4如下
圖一樣被寫入,數(shù)據(jù)1和2在a時刻立即被更新,數(shù)據(jù)3和4在b時刻被更新。即使數(shù)據(jù)是連續(xù)寫入的,更
新的時間間隔了1個VD的周期。
由于上述原因,為了數(shù)據(jù)及時更新,寄存器數(shù)據(jù)的建立需要在起始點延時的這段時間段執(zhí)行完。
2. VD信號內(nèi)部處理
這個系統(tǒng)中,步進電機的反射時間和旋轉(zhuǎn)時間分別基于VD_IS和VD_FZ的上升沿。VD_IS和VD_FZ的
極性能通過下面的寄存器設(shè)置。
3. 光圈控制
3.1 特性
?PWM 波驅(qū)動→低功耗
?通過寄存器可以設(shè)置每個濾波器→低噪聲
?增益放大器周圍內(nèi)置無源部件→對外置部分減幅
?內(nèi)置 8 比特 DAC 用來調(diào)整霍爾補償
?內(nèi)置電流 DAC 用來調(diào)整霍爾偏置電流
3.2 寄存器細節(jié)描述
系統(tǒng)的極點位置主要影響系統(tǒng)幅度特性峰值的位置,系統(tǒng)的零點位置主要影響系統(tǒng)的幅度特性谷
值位置及下凹程度。積分器作用的強弱由零點位置決定,微分器作用的強弱由零極點位置共同作用。
零點位置越小,積分作用越強,積分作用使系統(tǒng)的穩(wěn)定性下降。積分作用強時,系統(tǒng)會不穩(wěn)定,但能
消除穩(wěn)態(tài)誤差。微分作用由零極點共同作用,可以改善動態(tài)特性。微分作用偏大時,超調(diào)量較大,調(diào)
節(jié)時間較短。微分作用偏小時,超調(diào)量也較大,調(diào)節(jié)時間較長。只有設(shè)置參數(shù)合理時,才能使超調(diào)量
較小,減短調(diào)節(jié)時間。增益加大,使系統(tǒng)動作靈敏,速度加快,穩(wěn)態(tài)誤差減少。增益偏大,振蕩次數(shù)
加多,超調(diào)時間加長。增益太大時,系統(tǒng)會趨于不穩(wěn)定。增益太小時,又會使系統(tǒng)的動作緩慢。
一般情況下,對參數(shù)的選擇通常采用實驗湊試法,整體步驟為“先比例,再積分,最后微分”。
(1)整定增益控制:將增益控制作用由小變到大,觀察各次響應(yīng),直到得到響應(yīng)快、超調(diào)小的響應(yīng)曲
線。(2)整定積分環(huán)節(jié):將步驟(1)中選擇的比例系數(shù)減小到原來的50%?80%,再調(diào)節(jié)零點使積分作用由
小到大,反復(fù)試湊得到較滿意的響應(yīng),確定比例和積分的相關(guān)參數(shù)。(3)若經(jīng)過上述兩個步驟,動態(tài)過
程不能令人滿意,則將極點設(shè)置由小到大,同時相應(yīng)地改變比例和零點,反復(fù)試湊得到滿意的控制效
果和相關(guān)參數(shù)。
START2[9:0]、WIDTH2[5:0]和P2EN設(shè)置給光圈用來完全關(guān)斷的脈沖輸出(脈沖2)。
注:PID工作時不能有脈沖2。
START2[9:0]設(shè)置脈沖2的開始時間。從視頻場同步信號 (VD_IS) 的上升沿開始計算,直到達到了設(shè)
置時間。
WIDTH2[5:0]設(shè)置脈沖2的脈寬。這個設(shè)置在開始時間計數(shù)結(jié)束后開始執(zhí)行,出現(xiàn)上升沿。經(jīng)過了
計數(shù)值個VD_IS的上升沿個數(shù)后,在VD_IS的下降沿結(jié)束。
P2EN控制脈沖2的輸出。
START2[9:0]、WIDTH2[5:0]和P2EN中的任一一個寄存器為“0”時,脈沖不輸出。同時,計數(shù)時,
START2和WIDTH2不更新。
光圈模塊輸出驅(qū)動信號的占空比能被直接控制。DUTY_TEST必須為“1”才能使算法使能。
TGT_IN_TEST[9]設(shè)置光圈輸出模塊的轉(zhuǎn)動方向。TGT_IN_TEST[8:0]設(shè)置光圈輸出模塊的驅(qū)動占空比。
計算占空比的方法
驅(qū)動信號占空比與 PWM_IRIS[2:0] 的設(shè)置值有關(guān)。
a 的計算方法是 a = {TGT_IN_TEST[8:1], 2’b00, TGT_IN_TEST[0]} (11位2進制數(shù))
b 如上面的表格所示和PWM_IRIS[2:0]有關(guān)
占空比由計算a/b得到。如果a/b>1,占空比是100%。
舉例說明:當(dāng)TGT_IN_TEST[8:0] = 80h,PWM_IRIS[2:0] = 2,
a = {40h, 2’b00, 1’b0} = 200h
a/b = 200h / 862 =0.59
舉例說明:
設(shè)置AVE_SPEED[4:0]使得數(shù)據(jù)更新的速度和VD信號的周期基本相同。
如果VD = 60Hz,那么在8步調(diào)節(jié)的情況下,每一步的時間即 1 / (60Hz) / 8 = 2.08ms
參考表格,根據(jù)AVE_SPEED[4:0]的值,每一步的時間可設(shè)置為2.12ms,所以光圈每隔17.0ms改變一次。
偏置電流和偏壓調(diào)整的方法如下:
1. 霍爾信號偏置電流設(shè)置。
2. 一旦失調(diào)電壓被設(shè)置為 0(設(shè)置值為:80h),輸出 OP3OUT 被調(diào)整(反饋到 10bit ADC)。
a ) 調(diào)整霍爾增益 (HALL_GAIN[3:0]) ,使得 OP3OUT 的輸出在光圈完全打開和完全關(guān)斷的范圍內(nèi),接近
于目標值范圍。
舉例說明:當(dāng)目標值 VDDD = 3.0V,完全打開 = 0.2V,完全關(guān)閉 = 2.8V;
調(diào)整霍爾增益(HALL_GAIN[3:0]),使得 OP3OUT 端口的輸出范圍接近于:2.8V - 0.2V = 2.6V。
b) 調(diào)整偏置電流,使得輸出范圍接近于目標值范圍。
c) 調(diào)整失調(diào)電壓,使得 OP3OUT 的輸出接近于目標值范圍。
b 和 c 能分別執(zhí)行。
這個模塊是一個用于聚焦和放大的步進電機驅(qū)動。下面的一些設(shè)置可以用來執(zhí)行一系列的控制。
(下面是對 α 電機:驅(qū)動器 A/B 的描述。驅(qū)動器 C/D,E/F,G/H,I/J 和 α 電機執(zhí)行一樣的算法)。
其中,驅(qū)動器 I/J 可由 20h 的 DC_EN 復(fù)用為 2 路直流電機通道。
主要的設(shè)置參數(shù):
1)微步進分頻數(shù) MICROAB[1:0]:微步數(shù)能設(shè)置成 64、128 和 256 微步進模式。
2)相位矯正 PHMODAB[5:0]:驅(qū)動器 A 和驅(qū)動器 B 的相位差目標在 90°;可以做-22.5°到 +21.8°的相位
修正。
3)起始點激勵延時 DT2A[7:0]:更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。
4)幅度設(shè)置 PPWA[7:0],PPWB[7:0]:獨立設(shè)置驅(qū)動器 A/B 的負載驅(qū)動電流。
5)步進數(shù)設(shè)置 PSUMAB[11:0]:步進電機步進數(shù)。
6)步進周期 INTCTAB[15:0]:電機旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置;電機旋轉(zhuǎn)速度與正弦波的的微步進模式無關(guān)。
7)PWM 頻率 PWMMODEAB[4:0],PWMRESAB[1:0]:驅(qū)動器輸出的 PWM 波頻率設(shè)置
8)觀察項 FZTEST_1[4:0]:設(shè)置 PLS1 的輸出項。
9)過流。
10)其他。
4.2 相關(guān)設(shè)置的建立時刻
建立時刻和相關(guān)時間如下所示。
地址 27h 到 2Bh,2Ch 到 30h,31h 到 35h,36h 到 3Ah 的設(shè)置同 22h 到 26h 的設(shè)置相同,所以
27h 到 3Ah 的描述省略。如果相關(guān)寄存器被刷新,則每一個 VD 周期來到時,會實現(xiàn)一次設(shè)置的加載
刷新。當(dāng)同樣的設(shè)置被執(zhí)行超過 2 個 VD 脈沖時,沒有必要在每個 VD 脈沖都寫入寄存器數(shù)據(jù)。
DT1[7:0](起始點等待時間,地址 20h)
更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。5 個步進通道共用設(shè)置。在系統(tǒng)硬件復(fù)位后(39 引腳 RSTB:低→高),開始
激勵和驅(qū)動電機前(DT1 結(jié)束)這段時間內(nèi),必須設(shè)置此項。
由于這個設(shè)置在每次 VD 脈沖來到時更新,沒有必要一定在起始點等待時間內(nèi)寫入。
DT2A[7:0](起始點激勵等待時間,地址 22h)
更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。復(fù)位后(39 引腳 RSTB:低→高),需要在開始激勵和驅(qū)動電機前被設(shè)置執(zhí)行
(DT1 結(jié)束)。
MICROAB[1:0](正弦波分頻數(shù),地址 22h)
設(shè)置正弦波的分頻數(shù)。這個設(shè)置不改變轉(zhuǎn)動次數(shù)和轉(zhuǎn)動速度。
只有當(dāng)轉(zhuǎn)速達不到要求時,才需要設(shè)置此項。復(fù)位后(39 引腳 RSTB:低→高),設(shè)置有效。
PHMODAB[5:0](相位矯正,地址 22h)
通過矯正線圈 A 和 B 的相位差,驅(qū)動器產(chǎn)生的噪聲會減少。合適的相位矯正必須依據(jù)于電機的旋
轉(zhuǎn)方向和速度,此設(shè)置需要隨著旋轉(zhuǎn)方向 (CCWCWAB) 或者旋轉(zhuǎn)速度 (INTCTABA) 的變化而改變。
PPWA[7:0], PPWB[7:0](峰值脈沖寬度,地址 23h)
設(shè)置 PWM 最大占空比。設(shè)置需要在開始激勵和驅(qū)動電機前被設(shè)置執(zhí)行(DT1 結(jié)束)。
PSUMAB[11:0](步進電機步進數(shù),地址 24h)
1 個 VD 的時間間隔內(nèi)的電機的轉(zhuǎn)動次數(shù)設(shè)置。
每次 VD 脈沖輸入時,電機轉(zhuǎn)動所設(shè)置的次數(shù)。因此,設(shè)置次數(shù)為“0”是可以停止電機的轉(zhuǎn)動。
當(dāng)設(shè)置的轉(zhuǎn)動次數(shù)總額超過了 1 個 VD 脈沖的時間,超出部分會被取消。
CCWCWAB(轉(zhuǎn)動方向,地址 24h)
電機轉(zhuǎn)動方向設(shè)置。只要在選擇轉(zhuǎn)動方向前設(shè)置即可。
BRAKEAB(電機剎車設(shè)置,地址 24h)
剎車時設(shè)置電流為 0。 由于執(zhí)行此設(shè)置時,很難得到電機的最終位置,所以此設(shè)置一般用于立即
停止電機。
ENDISAB(電機工作使能/不使能,地址 24h)
設(shè)置電機工作使能。當(dāng)設(shè)置為不使能時,電機引腳輸出高阻態(tài),電機正在轉(zhuǎn)動時不要設(shè)置成不是
使能。
LEDA(LED 設(shè)置,地址 24h)
LED 開/關(guān)設(shè)置。在 CS 的下降沿被設(shè)置??梢哉J為和電機驅(qū)動無關(guān),能實現(xiàn)開/關(guān)的獨立設(shè)置。
INTCTAB[15:0](脈沖周期,地址 25h)
脈沖周期設(shè)置。轉(zhuǎn)動速度決定于這個設(shè)置。
TESTEN2_1(電機通道測試輸出使能,地址 26h)
PLS1 輸出使能,需要配合 TESTEN1 使用
FZTEST_1[4:0](PLS1 引腳輸出信號選擇,地址 26h)
PLS1 引腳輸出信號選擇。
OCP1_dly[1:0](光圈模塊過流判定時長,地址 26h)
過流事件判定時長設(shè)置,同 OCPIris_dly[1:0]。
PWMMODEAB[4:0], PWMRESAB[1:0](微步進輸出 PWM 波頻率,地址 26h)
設(shè)置微步進輸出 PWM 波頻率。需要在開始激勵和驅(qū)動電機前設(shè)置執(zhí)行(DT1 結(jié)束)。
4.3 步進電機微步驅(qū)動時,如何調(diào)整寄存器值
為了控制鏡頭,需要在每個 VD 都要求設(shè)置電機轉(zhuǎn)動次數(shù)和轉(zhuǎn)動速度。相關(guān)設(shè)置的轉(zhuǎn)動次數(shù)和速
度的寄存器為:
INTCTxx[15:0]:設(shè)置每一步的時間(相應(yīng)的,即轉(zhuǎn)動速度)
PSUMxx[11:0]:每個 VD 時段內(nèi)轉(zhuǎn)動總步數(shù)
當(dāng)在連續(xù)的 VD 時段內(nèi)持續(xù)驅(qū)動電機,需要設(shè)置持續(xù)轉(zhuǎn)動時間以適應(yīng) VD 周期。
以下是電機轉(zhuǎn)動時,計算 INTCTxx[15:0]和 PSUMxx[11:0]的方法:
1) 計算 INTCTxx[15:0](決定電機轉(zhuǎn)動速度)
INTCTxx[15:0] × 768 = OSCIN 頻率 / 轉(zhuǎn)動頻率
2) 由 INCTxx[15:0]計算 PSUMxx[11:0]。不能單單看 PSUMxx[11:0]的值。
下面的等式成立時,持續(xù)轉(zhuǎn)動時間和 VD 時間相同,電機實現(xiàn)均勻轉(zhuǎn)動
INTCTxx[15:0] × PSUMxx[11:0] × 24 = OSCIN 頻率 / VD 頻率
3) PSUMxx[11:0]設(shè)置完成后,由上式重新計算 INTCTxx[15:0]
舉例說明,OSCIN 頻率 = 27MHz,VD 頻率 = 60Hz
計算 PSUMxx[11:0]和 INTCTxx[15:0],使電機在 800pps(1-2 相位)轉(zhuǎn)動
800pps = 100Hz,所以
INTCTxx[15:0] = 27MHz / (100Hz × 768) =352
相應(yīng)的
PSUMxx[11:0] = 1/(60Hz)× 27MHz/ (352 × 24) = 53
重新計算 INTCTxx[15:0]得:
INTCTxx[15:0] = 1/(60Hz)× 27MHz/ (53 × 24) = 354
可以通過查看第 46 頁和第 47 頁來查看更多細節(jié)。
如果上述 2)中等式左邊比右側(cè)小,那么轉(zhuǎn)動時間比 VD 周期小且會引起不連續(xù)的轉(zhuǎn)動。反之,超
過 VD 周期的轉(zhuǎn)動會被取消。
DT1[7:0]設(shè)置數(shù)據(jù)寫入系統(tǒng)的延時時間(起始點等待時間)。
電機可以精確地在起始點等待時間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后被激活。起始點等待時間從視頻同步信
號(VD_FZ)的上升沿開始計算。
由于起始點延時時間是主要是用來等待串行數(shù)據(jù)的寫入。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”,如果是
“0”的話,相應(yīng)的數(shù)據(jù)不能更新。
參考第 19 頁 VD_FZ 和起始點等待時間的關(guān)系。
DT2A[7:0]設(shè)置 α 電機開始轉(zhuǎn)動前的等待延遲時間。
電機在起始點激勵等待時間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后開始轉(zhuǎn)動。起始點激勵等待時間是在起始點等
待時間結(jié)束時刻開始計算。
這個信號是 AB 通道的單獨延遲。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”,如果是“0”的話,相應(yīng)的數(shù)據(jù)
不能更新。
PPWA[7:0]到 PPWD[7:0]設(shè)置 PWM 波的最大占空比,決定了驅(qū)動器 A 到 D 輸出電流峰值的位置。
最大占空比由下式進行計算:
驅(qū)動器 X 最大占空比 = PPWx/ (PWMMODE × 8)
當(dāng) PPWx = 0,線圈電流為 0。
舉例, 當(dāng) PPWA[7:0] = 200,PWMMODE[4:0] = 28,最大占空比為:200 / (28 × 8)= 0.89。
根據(jù) PWMMODE 和 PPWx 的值,最大占空比可能超過 100%。
當(dāng)然 PWM 中占空比不可能超過 100% ,正弦波峰值點會被削去如下圖所示。
舉例說明,當(dāng) PWMMODE = 10,PPWx = 96,最大占空比 = 90/(10 × 8)= 120%。
PWMMODEAB[4:0]通過設(shè)置系統(tǒng)時鐘 OSCIN 的分頻數(shù)來設(shè)置微步進輸出 PWM 的頻率。
PWMMODEAB[4:0]能在 1?31 的范圍內(nèi)設(shè)置,PWM 頻率在 PWMMODEAB = 0 和 PWMMODAB = 1 時
候的取值是一樣的。
PWMRESAB[1:0]設(shè)置由 PWMMODEAB[4:0]決定的頻率的分頻數(shù)。
PWM 頻率由下面的式子進行計算:
PWM 頻率 = OSCIN 頻率 / ((PWMMODEAB × 2 3 ) × 2 PWMRESAB)
OSCIN = 27MHz 時,PWM 的頻率如下表
輸入引腳的輸入電容
輸入引腳的電容值為 10pF 或者更小。
OSCIN 和 VD 信號的時刻
一旦 VD 信號(VD_FX 或者 VD_IS 輸入)和 OSCIN 同步,那么 VD 信號和 OSCIN 信號對輸入時刻沒
有約束。
掉電模式
當(dāng) PDWNB = 0,掉電模式被設(shè)置。掉電模式下,光圈模擬部分的電路停止工作(電機驅(qū)動不受影
響)。當(dāng)只有電機驅(qū)動在使用時,設(shè)置 PDWNB 為“0”可以減少功耗。
掉電模式下,相關(guān)引腳的操作如下:
典型應(yīng)用圖
注:VIO 給數(shù)字輸入腳供電,輸入邏輯電壓不要超過 VIO。
VDDA 與 VDDD 需要接一起,可以接 2.7V?5V 電源。另外,需要保證 VMxx 電壓大于等于 VDDA 的
電壓。
封裝外形圖
QFN88
——愛研究芯片的小王
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驅(qū)動芯片
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