CMOS 反相器的發(fā)展為集成電路提供了基本功能,是技術(shù)史上的一個轉(zhuǎn)折點。該邏輯電路突出了 CMOS 獨特的電氣特性,非常適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)。
CMOS 的優(yōu)勢之一是其效率。CMOS 邏輯僅在改變狀態(tài)時才需要電流——僅維持邏輯高或邏輯低電壓的 CMOS 電路消耗的功率非常少。一般來說,低功耗是一個理想的特性,當您試圖將盡可能多的晶體管功能封裝到一個小空間中時,它特別有用。
正如計算機 CPU 風扇提醒我們的那樣,充分消除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有 CMOS 反相器和其他類似的 CMOS 電路,這將會困難得多。在本文(由三部分組成的系列文章的第一篇)中,我們將回顧 CMOS 逆變器的關(guān)鍵特性,并討論其兩種主要的功耗類型:動態(tài)和靜態(tài)。我們將在接下來的兩篇文章中更深入地研究動態(tài)功耗。
CMOS 反相器的結(jié)構(gòu)和操作
CMOS反相器由連接在一起的NMOS晶體管和PMOS晶體管組成。圖 1 顯示了基本 CMOS 反相器的原理圖。
圖 1.CMOS 數(shù)字反相器使用 1 個 NMOS 和 1 個 PMOS 晶體管。
CMOS 反相器的基本操作非常簡單:
當輸入端被驅(qū)動至邏輯高電壓時,上方的PMOS晶體管阻斷電流,下方的NMOS晶體管傳導電流。因此,輸出端子通過低電阻路徑連接至 0V。
當輸入端被驅(qū)動至邏輯低電壓時,PMOS 導通,NMOS 截止。輸出通過低電阻路徑連接至VDD。
這樣,邏輯高輸入創(chuàng)建邏輯低輸出,邏輯低輸入創(chuàng)建邏輯高輸出。
動態(tài)功耗
每當電流流過導電元件時就會消耗功率。我們在電功率的基本公式中看到了這種關(guān)系:
盡管 CMOS 反相器在穩(wěn)定狀態(tài)下不需要電流,但在其邏輯轉(zhuǎn)換期間會消耗功率。這種動態(tài)功率損耗有兩種類型:
開關(guān)功耗。
短路功耗。
讓我們分別看一下。
開關(guān)功耗
當發(fā)生輸入邏輯轉(zhuǎn)換時,必須流動瞬態(tài)電流,以便對電路中的電容進行充電或放電。在從低到高的輸出轉(zhuǎn)換期間,當輸出電壓增加至VDD時,電流流動以對負載電容充電。圖 2 顯示了該電流的路徑。
圖 2.從低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的充電電流流動。
在從高到低的輸出轉(zhuǎn)換期間,電流也會流動(圖 3),當輸出電壓降至地電位時,會對電容進行放電。
圖 3.從高到低輸出轉(zhuǎn)換期間的放電電流流動。
為了估計 CMOS 逆變器的開關(guān)損耗,我們使用以下公式:
在這里:
CL是預(yù)期負載電容
f是開關(guān)頻率。
CL×VDD2計算一個開關(guān)周期所需的能量。為了將該結(jié)果從能量轉(zhuǎn)換為功率,我們將其乘以每秒的周期數(shù) (f),得出上面的等式。
短路功耗
另一種類型的動態(tài)功耗是由短路電流引起的。也稱為直通電流,這是逆變器邏輯電平轉(zhuǎn)換期間發(fā)生的瞬態(tài)情況。
當 CMOS 反相器處于邏輯狀態(tài)時,其兩個晶體管之一處于非導通模式。因此,電流不容易從VDD流向地。然而,當反相器改變狀態(tài)時,會出現(xiàn)一個短暫的交叉周期,在此期間,NMOS 和 PMOS 都具有一定程度的導電性。當電流流過由此產(chǎn)生的短路時,能量就會損失(圖 4)。
圖 4.NMOS 和 PMOS 晶體管在邏輯電平轉(zhuǎn)換期間短暫產(chǎn)生短路,允許電流從VDD流向接地。
靜態(tài)功耗
在整篇文章中,我都避免說“CMOS 逆變器中絕對不會出現(xiàn)穩(wěn)態(tài)功耗”之類的話。事實上,場效應(yīng)晶體管并不是理想的開關(guān)。即使在關(guān)斷狀態(tài)下,漏電流也可以從漏極流向源極以及從漏極或源極流向襯底。
如果這些漏電流的大小已知,則可以使用以下公式計算產(chǎn)生的功耗:
過去動態(tài)功耗遠高于靜態(tài)功耗。如今,靜電功率可能非常大。隨著 CMOS 特征尺寸的減小,其對總耗散的貢獻接近于動態(tài)功耗。
最后,請注意靜態(tài)功耗是工作溫度的函數(shù)。隨著溫度升高,靜態(tài)功耗也會增加。
總結(jié)
CMOS 反相器既可用作獨立邏輯運算,也可用作高階邏輯運算的組件。CMOS 反相器還用于在驅(qū)動能力較低的數(shù)字電路的輸出端創(chuàng)建緩沖器。反相器提供模擬放大以減少信號的上升和下降時間。它們還可以將信號恢復(fù)到完整的邏輯電平。
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原文標題:CMOS逆變器的功耗
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