制程工藝在很大程度上會決定處理器的性能和功耗,這是先天硬件,14/16nm工藝之后是10nm節(jié)點,TSMC及三星都爭著在今年底或者明年初推出10nm代工服務(wù),Intel明年下半年量產(chǎn)10nm工藝,但GlobalFoundries決定跳過10nm節(jié)點,相對來說,10nm工藝被認(rèn)為是14/16nm工藝的優(yōu)化版,跟20nm工藝那樣偏向低功耗,屬于過渡節(jié)點,而GlobalFoundries自己也經(jīng)不起折騰,索性跳過這一節(jié)點,直接殺向未來高性能的7nm節(jié)點。那么號稱史上最強手機處理器的A10,也就是蘋果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配備的A10 Fusion 處理器到底怎么樣?
蘋果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配備了 A10 Fusion 處理器,這款處理器的性能有了很大的提升,讓業(yè)界大為驚嘆。甚至有人認(rèn)為,A10 Fusion 的評測成績已經(jīng)可以與英特爾筆記本CPU相提并論。那么到底蘋果的 A10 Fusion 處理器到底是一個什么樣的“怪物”,能讓業(yè)界發(fā)出這樣的評價呢?Chipworks 為我們詳細(xì)介紹了這款芯片。
根據(jù)拆解我們知道,A10 的零件號碼是 APL1W24, 339S00255,此前 iPhone 6s 使用的 A9 處理器,它的零件號碼 APL1022, 339S00129。我們無法確定蘋果在零件號中增加一個“W”是什么意思。iPhone 7 A1778 中使用的 A10 處理器由臺積電代工。也許你還記得,去年 A9 處理器有三星和臺積電兩家代工廠,但是目前還無法確定今年蘋果繼續(xù)使用雙供應(yīng)渠道的模式,還是將處理器訂單全部交給了臺積電。Chipworks 表示通過模具照片可以看到模具零件號碼是 TMGK98。A10 的芯片尺寸為 125 平方毫米,據(jù)稱這塊芯片上有 33 億晶體管。
已經(jīng)可以確定這款芯片仍然使用臺積電的16 納米 FinFET制程,這也意味著在過去 3 代處理器上,蘋果一直沿用了相同的 20/16 納米技術(shù),在經(jīng)過兩代芯片的改進之后,蘋果終于讓 A10 芯片的晶體密度變成和 A8 一樣的,在平面工藝方面進行優(yōu)化。
從 A9 到 A10 的一個顯著區(qū)別就是 SoC 級別的芯片利用更進一步,與 A8 的持平。16FFC 制程的 9-Track 和 7.5-Track 單元可能夠讓芯片的面積不至于飆升到 150 平方毫米。
我們已經(jīng)感受過從 20 納米到 16FF FinFET,架構(gòu)和設(shè)計對設(shè)備級性能提升的影響有多大,而且 16FFC 中預(yù)期的完善將能夠有利于速度繼續(xù)提升,能耗進一步減少。這也說明了 SoC 的優(yōu)化將不僅僅限于面積大小,它還有很多方面可以完善,這也能讓行業(yè)更好地明白如何利用最新的或者此前的工藝節(jié)點來更好地提升芯片性能。
A10 Fusion 芯片性能提升的另外一個原因是封裝方式的變化。A10處理器非常薄,主要就是因為臺積電使用了 InFo(Integrated Fan-Out:整合扇出封裝)技術(shù)。
和 iPhone 6s 中的一樣,A10上方就是三星的 K3RG1G10CM 2-GB LPDDR4內(nèi)存。從X射線圖片來看,四個模具并不是堆積在一起的,而是分散封裝,這樣整個封裝的厚度就能降到最低。以封裝疊加(Package-on-Package,PoP)的方式來封裝能夠大大降低 PoP 的高度。
按照蘋果的說法,A10 Fusion 性能是第一代 iPhone 芯片的 120 倍,比 iPhone 6s 中的 A9 提升 40%。你是否感受到 A10 芯片帶來的極速體驗。
iPhone7 Plus采用蘋果 A10 Fusion 芯片(下圖紅色處,型號為 APL1W24)、三星 3 GB LPDDR4 RAM(型號為 K3RG4G40MM-YGCH)、高通 MDM9645M LTE Cat. 12 基帶(下圖橘色處)、東芝 128 GB NAND Flash(型號為 THGBX6T0T8LLFXF)等元件。
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