氧化鎵探測器性能指標及測試方法

氧化鎵探測器

氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現(xiàn)出廣泛的前景。

探測器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應度一定無法和高精度電流表征同時進行。Tektronix提供了多種性能、架構(gòu)的測試儀器儀表，滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。

氧化鎵探測器性能指標及測試方法

對于氧化鎵探測器的測試可以分為材料測試、器件本征分析（靜態(tài)）以及光電（動態(tài)）。材料測試通常利用TEM、XRD 等分析所制備材料等微觀晶體、薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌等特征。本文旨對電學、光電特性進行簡單介紹。

本征分析主要包含

轉(zhuǎn)移特性曲線、輸出特征曲線，表征器件的控制以及載流子（電子 - 空穴對）在不同工況下的遷移特性，以及電學輸出特性。通過SMU源表和4200A-SCS參數(shù)分析儀可以輕松完成。需要根據(jù)掃描的電壓范圍和載流子的范圍確定所需要的儀器的具體參數(shù)和型號。

SMU源表系列

24系列、26系列滿足不同測試精度的需求，特別針對于氧化鎵襯底、異質(zhì)結(jié)等新型、創(chuàng)新性制備、結(jié)構(gòu)設計等，高通量的載流子表征。

4200A-SCS參數(shù)分析儀

器件測試的利器，內(nèi)建了氧化鎵光電測試模塊，覆蓋靜態(tài)、動態(tài)測試，同時可以增配CVU模塊，增加CV測試能力，可以對器件界面進行缺陷的定量測量。并且，可以控制外部脈沖源、示波器等，完成動態(tài)響應度測試。

圖：典型的β-Ga2O3探測器的轉(zhuǎn)移和輸出特性曲線[3]

圖：測試框圖[2]

特別對于光電類型的器件，需要表征輸入光到輸出電流的響應度特性。加之光電器件在沒有光照的時候，存在隨機的電子 - 空穴對的飄移所產(chǎn)生的暗電流，特別對于MSM和異質(zhì)結(jié)類型的器件，暗電流的性能直接決定了不同材料之間在制備中的缺陷。

光響應度R = (JPhoto - JDark)/P

其中R是光響應度，JPhoto是光電流密度，JDark是暗電流密度，P是入射光功率。

可以看到暗電流的測試對于測試儀器還是有很高要求的，電流在pA量級，需要高精度源表配合低漏流的探針臺才能做到該水平。推薦Keithley 2600系列源表，或4200A-SCS上增配PA模塊以達到pA的量級的精度、aA量級的分辨率。在測試系統(tǒng)中，光源的選擇決定于應用場景?？梢愿淖兗罟庠?，實現(xiàn)波長依賴度的測試。不同的光源類型也決定了測試系統(tǒng)的成本。通常可以選UV LED，包含了豐富的UV光譜，成本低廉，但是無法實現(xiàn)確定的波長；激光器、單色儀，波長選擇強，但是成本高。

氧化鎵動態(tài)參數(shù)測試所表征的主要是光電響應速度、響應穩(wěn)定度（光暗循環(huán)）等。響應時間指探測器從接收光信號到輸出電信號的時間。較短的響應時間意味著探測器能夠更快地檢測到光信號的變化 , 這對于需要實時監(jiān)測或高速通信的應用至關(guān)重要。響應穩(wěn)定度測試可以評估探測器在不同工作條件下（如溫度變化、長時間運行等）的性能一致性。確保探測器在各種環(huán)境下都能保持穩(wěn)定的響應時間和靈敏度，對于實際應用至關(guān)重要。

圖：氧化鎵典型的響應速度和穩(wěn)定性[3]

根據(jù)文獻[1]對各類鎵基氧化物薄膜日盲紫外探測器性能對比，響應上升時間范圍在納秒級到秒級別，跨越了9個數(shù)量級，暗電流的范圍在皮安到納安量級。

通常在測試ms量級的電流變化時，可以使用SMU，利用SMU的autoscale，如果需要us量級的時間測試，可以使用DMM6500，連接到測試系統(tǒng)中，進行高速的電流采樣。同時兼容的較小的電流測試量程和測試精度。如果電流變化在ns量級，需要使用示波器來完成，但通常示波器的電流測試能力在mA量級，需要外部使用固定穩(wěn)定增益的TIA進行放大。

圖：不用特性光電轉(zhuǎn)換器響應時間測試所需的設備

氧化鎵材料和器件背景知識

氧化鎵的特性與應用

氧化鎵具有4.4到5.3eV的超寬帶隙，能夠有效地覆蓋日盲波段（200-280nm）的紫外光。這一特性使得氧化鎵成為理想的日盲紫外探測材料，因為該波段的光在大氣中受到臭氧層的強烈吸收，地面背景干擾較小，能夠提供更高的探測精度。同時，氧化鎵最穩(wěn)定的異構(gòu)體，β-Ga2O3的禁帶寬度達到4.8eV , 理論擊穿電場約8MV/cm。由此，巴利加優(yōu)值 (Baliga’s Figure of Merit) 高達3444, 遠超氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，這意味著其用于功率器件的潛力巨大 , 使其成為下一代半導體功率電子的候選材料。由于應用場景的不同，對于氧化鎵的單體以及參雜和器件制備及測試的思路都不用，本文重點談論氧化鎵在光電探測器的應用以及測試的方法。

探測器結(jié)構(gòu)與類型

氧化鎵探測器的結(jié)構(gòu)主要分為以下幾種類型：

■金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）型：這種結(jié)構(gòu)簡單，響應度高，適合大規(guī)模集成，但有效光吸收面積較小。

■肖特基結(jié)型：通過金屬和氧化鎵之間形成的肖特基勢壘，具有較快的響應速度和較低的暗電流。

■薄膜晶體管（TFT）型：能夠在抑制暗電流的同時放大增益，適用于高響應速度的應用。

■陣列型：主要用于大面積成像，適合需要廣泛覆蓋的應用場景。

氧化鎵探測器的分類[1]

■MSM型器件：由光敏材料及背靠背的 兩個肖特基接觸（具有整流電壓電流特性的金屬半導體接觸）電極構(gòu)成，當外加偏壓施加在器件上時，其中一個肖特基結(jié)為正向偏置，另一個結(jié)為反向偏置，因此暗電流較小。同時器件還具有結(jié)構(gòu)簡單、容易制備、結(jié)電容小等優(yōu)點。

■肖特基結(jié)型器件：由光敏材料與分別形成肖特基接觸和歐姆接觸（具有非整流電壓電流特性的金屬半導體接觸）的兩個電極構(gòu)成， 肖特基結(jié)型器件的光響應來源于光伏效應，可以在0V偏壓下工作。同時由于空間電荷區(qū)與電極緊鄰，更靠近表面，因此器件通常具有較高的外量子效率和較快的響應速度 。

■異質(zhì)結(jié)：由于Ga2O3高質(zhì)量穩(wěn)定的p型摻雜還存在很大困難，限制了其pn同質(zhì)結(jié)型器件的發(fā)展，因此通過將n型的Ga2O3和p型或n型的其他材料結(jié)合構(gòu)成異質(zhì)結(jié)型器件，可顯著降低暗電流，提高響應度。