MS37549/MS37545——三相無感正弦波 BLDC 驅(qū)動

產(chǎn)品簡述

MS37549 和 MS37545 是無感三相直流電機預驅(qū)芯片，采用

正弦波驅(qū)動方式，具有低噪聲及低震動的特點。

芯片通過一個速度控制腳來控制電機的速度。并且電源電壓

可以低到 4V 來適應調(diào)整電機的轉(zhuǎn)速。

MS37549 和 MS37545 采用 QFN16 封裝，帶散熱片。

主要特點

?具有低噪聲特點的 180 度正弦驅(qū)動

?外置 PN 功率管

?高效率控制算法

?無感控制

?模擬速度控制輸入 (MS37545)

?PWM 速度控制輸入 (MS37549)

?低功耗模式

?FG 速度反饋輸出

?堵轉(zhuǎn)檢測功能

?過流保護

?軟啟動

應用

?風扇

?消費類產(chǎn)品

產(chǎn)品規(guī)格分類

*暫未提供此封裝。若有需要，請聯(lián)系杭州瑞盟銷售中心

管腳圖

管腳說明

內(nèi)部框圖

極限參數(shù)

芯片使用中，任何超過極限參數(shù)的應用方式會對器件造成永久的損壞，芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出，并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

電氣參數(shù)

注意：沒有特別規(guī)定，環(huán)境溫度為 TA= 25°C ±2°C，VBB=12V。

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文（16620966594）

功能描述

MS37545 和 MS37549 應用于風扇中，面向需要低噪聲，低震動以及高效率的應用場合。

低功耗模式

MS37549 的低功耗模式受 PWM 腳控制,當 PWM 腳輸入的電平為低持續(xù)超過 36ms，芯片會進入睡

眠模式，此時芯片的功耗小于 1μA。PWM 輸入腳變高電平后，會立即重啟芯片。

MS37545 的低功耗模式受 VSP 腳控制，當 VSP 腳輸入的電平為低持續(xù)超過 36ms，芯片會進入睡

眠模式，此時芯片的功耗小于 1μA。VSP 輸入腳變高電平后，會立即重啟芯片。

速度控制

風扇的速度可以通過幾種方式來調(diào)節(jié)：電源電壓（控制電源電壓），PWM 占空比控制(MS37549)

模擬輸入控制(MS37545)。采用 PWM 占空比控制或者模擬輸入控制方式能夠簡化外圍，減少可變

電源的設(shè)計。電源電壓控制模式下芯片的電壓可以低到 4V 以滿足一些特定的應用。

MS37545-VSP 模擬輸入控制

一個內(nèi)部的 ADC 將輸入電壓轉(zhuǎn)化成一個速度控制所需的數(shù)值(如圖 1)。當輸入電壓低于 V

THOFF時，馬達輸出將被關(guān)閉。而在啟動的時候，輸入必須達到 VTHON一個 tON時間。tON

延時是為了讓內(nèi)部的電源基準以及模擬模塊正常的啟動。該延遲過后，VSP 就在 VTHOFF

和滿幅之間控制運行(7.5%到 100%)。

MS37549-PWM 輸入模式

內(nèi)部有一個 PWM 占空比計算模塊將輸入端的 PWM 轉(zhuǎn)化為所需要的數(shù)值（9bit 數(shù)據(jù)），通過這個

數(shù)值來控制風扇的轉(zhuǎn)速。當 PWM 達到 10%左右的時候，馬達驅(qū)動將開始工作（如圖 2）。PWM

輸入端集成了濾波器，濾除一些可能導致芯片開啟或者關(guān)閉的干擾信號。

PWM 腳內(nèi)部集成了一個下拉電阻(100kΩ)，如果輸入腳沒有接好，芯片將直接關(guān)閉輸出驅(qū)動。如

果需要 100%的速度，直接在 PWM 和電源之間接一個 50kΩ 的電阻即可。

電源電壓速度控制模式

電機的速度同樣可以通過電源電壓來控制。在這種方式下，只需要在 VBB 和 VSP(MS37545)或者

PWM(MS37549)之間接一個 50kΩ 的電阻。電機驅(qū)動將受到芯片 VBB 電源欠壓保護的控制，上升

超過閾值將啟動，下降低于閾值將關(guān)閉。

堵轉(zhuǎn)保護

芯片會檢測當前的轉(zhuǎn)速，判斷是否處于堵轉(zhuǎn)的狀態(tài)。如果檢測到一個堵轉(zhuǎn)狀態(tài)，芯片將在一個tOFF

時間內(nèi)關(guān)閉驅(qū)動，并在該時間結(jié)束后嘗試重新啟動電機。

FG

FG 輸出采用開漏輸出，用來反饋當前速度情況。輸出一個電流周期，F(xiàn)G 對應輸出一個周期信號

電流檢測及保護

I_IN 引腳輸出一個 50μA 的電流，從而產(chǎn)生一個直流基準用來防止負電壓。

建議在 I_IN 上提供 0.5V 直流電壓偏置。RBIAS可以取 10kΩ。

限流保護功能設(shè)置如下，當檢測到 VI_IN超過內(nèi)部限流基準電壓時，該側(cè)的功率 PMOS 將在剩下

的PWM 周期內(nèi)被關(guān)閉，直到下一個周期再正常開啟。芯片正常工作時，內(nèi)部限流基準電壓設(shè)計值

為1V。

如果檢測到 VI_IN超過內(nèi)部過流基準電壓時，芯片會直接關(guān)閉輸出。芯片正常工作時,內(nèi)部過流基

準電壓設(shè)置為 1.5V。

軟啟動功能

芯片軟啟動功能需要與限流保護結(jié)合使用。內(nèi)部設(shè)置限流保護的基準電壓，可選快速啟動和慢速

啟動。

快速啟動時限流保護的基準電壓在啟動后 1S 內(nèi)從 0.5V 上升到 1V。

慢速啟動時限流保護的基準電壓在啟動后 4S 內(nèi)從 0.5V 上升到 1V。

配合內(nèi)部的限流保護功能，只需要調(diào)整好 RS 電阻和 RBIAS值，就

可以獲得一個合適的軟啟動過程

保護模塊

芯片內(nèi)部具有完善的保護模式：堵轉(zhuǎn)檢測及自動重啟，過流保護，輸出短路保護，電源電壓欠壓

保護以及過溫保護。

典型應用圖

MS37549

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文（16620966594）

MS37545

封裝外形圖

QFN16

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇