產(chǎn)品簡(jiǎn)述
MS5112M 是一款高精度 16bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器,具有 2
組差分輸入或 3 組單端輸入通道,高達(dá) 16bits 的分辨
率。內(nèi)部集成 2.048V 基準(zhǔn)源,差分輸入范圍達(dá)到
±2.048V。MS5112M 使用了 I 2C 兼容接口,并有 2 個(gè)地址
管腳,可以讓用戶選擇 8 個(gè) I 2C 從地址。電源電壓范圍
為 2.7V 到 5.5V。
MS5112M 轉(zhuǎn)換速率為 15、30、60 或 240SPS,集成
可編程增益放大器,其增益最高可到 8 倍。在單次轉(zhuǎn)換
模式中,MS5112M 在轉(zhuǎn)換結(jié)束后會(huì)自動(dòng)進(jìn)入省電狀態(tài),
減小功耗。
MS5112M 可用在高精度測(cè)量以及對(duì)空間、功耗有一
定要求的應(yīng)用場(chǎng)合中,如:手持儀器、工業(yè)控制和智能
變送器。
主要特點(diǎn)
?小尺寸封裝
?2 對(duì)差分輸入,3 組單端輸入通道
?I 2C 接口,8 個(gè)可編程地址
?片上基準(zhǔn):2.048V±0.05%
?溫度漂移:40ppm/°C(最大值)
?內(nèi)置 PGA:1 到 8 倍
?內(nèi)置振蕩器
?16 位無(wú)失碼精度
?INL(積分非線性誤差):0.01%
?單次轉(zhuǎn)換功能
?可編程輸出速率:15SPS 到 240SPS
?工作電壓范圍:2.7V 到 5.5V
?低功耗:290μA@5V
應(yīng)用
?手持儀器
?工業(yè)級(jí)控制
?智能變送器
?溫度測(cè)量
產(chǎn)品規(guī)格分類
內(nèi)部框圖
管腳圖
管腳說(shuō)明
極限參數(shù)
芯片使用中,任何超過(guò)極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對(duì)器件造成永久的損壞,芯片長(zhǎng)時(shí)間處于極限工作
狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測(cè)試得出,并不代表芯片可以正常工作在
此極限條件下。
推薦工作條件
電氣參數(shù)
若無(wú)特別說(shuō)明,測(cè)試條件:VDD=5V。
如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)
注:
1. 滿幅度的 99%。
2. FSR=滿幅度量程=2×2.048/PGA=4.096/PGA。
3. 包括 PGA 和基準(zhǔn)的所有誤差。
功能描述
MS5112M 是一個(gè) 16 位、差分、Σ-Δ 型模數(shù)轉(zhuǎn)換器,其設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、極易配置的特點(diǎn)使得用戶很容易
獲得精確的測(cè)量值。
MS5112M 由一個(gè)帶有可調(diào)增益的 Σ-Δ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器、一個(gè) 2.048V 的電壓基準(zhǔn)、一個(gè)時(shí)鐘振蕩器、
一個(gè)數(shù)字濾波器和一個(gè) I 2C 接口組成,后面將對(duì)各組成部分進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
模數(shù)轉(zhuǎn)換器
MS5112M 的模數(shù)轉(zhuǎn)換器核由一個(gè)差分開關(guān)電容 Σ-Δ 調(diào)制器和一個(gè)數(shù)字濾波器組成。調(diào)制器測(cè)量
正、負(fù)模擬輸入端的壓差,并將其與基準(zhǔn)電壓相比較,在 MS5112M 中基準(zhǔn)電壓為 2.048V。數(shù)字濾波
器從調(diào)制器接收高速碼流,并輸出與輸入電壓成比例的數(shù)字信號(hào)。
輸入選擇器
MS5112M 有一個(gè)多輸入選擇器,可以提供 2 組差分輸入或 3 組單端輸入通道。配置寄存器控制輸
入選擇器的設(shè)置。
電壓基準(zhǔn)
MS5112M 內(nèi)置一個(gè) 2.048V 的片內(nèi)電壓基準(zhǔn),無(wú)需外部基準(zhǔn)。
輸出碼計(jì)算
MS5112M 輸出碼的位數(shù)取決于更新速率,如表 1 所示。
MS5112M 輸出碼的格式為二進(jìn)制補(bǔ)碼,右對(duì)齊且經(jīng)過(guò)符號(hào)擴(kuò)展。不同輸入電平的輸出碼見表 2。
時(shí)鐘振蕩器
MS5112M 內(nèi)置時(shí)鐘振蕩器,該振蕩器驅(qū)動(dòng)調(diào)制器和數(shù)字濾波器。無(wú)需外部時(shí)鐘。
輸入阻抗
MS5112M 輸入級(jí)采用開關(guān)電容。等效電阻值取決于電容值和電容的開關(guān)頻率。電容值取決于可編
程增益放大器 (PGA)的設(shè)置,時(shí)鐘由片內(nèi)時(shí)鐘振蕩器產(chǎn)生。典型工作頻率為 275kHz。
共模和差分輸入阻抗不同,詳情請(qǐng)見“電氣參數(shù)”。
當(dāng)外接高輸出阻抗輸入源,輸入端需要外接 buffer。
混疊
當(dāng)輸入信號(hào)頻率超過(guò)更新速率的一半,會(huì)產(chǎn)生混疊。為防止混疊的產(chǎn)生,必須限制輸入信號(hào)的帶
寬。MS5112M 的數(shù)字濾波器可在一定程度上衰減高頻率的噪聲,但其 sinc 濾波器不能完全替代抗混疊
濾波器。對(duì)于少數(shù)應(yīng)用,還是需要外部濾波。
在設(shè)計(jì)輸入濾波器時(shí), 應(yīng)考慮到濾波器和 MS5112M 輸入之間的阻抗匹配。
工作模式
MS5112M 有兩種轉(zhuǎn)換模式:連續(xù)轉(zhuǎn)換和單次轉(zhuǎn)換。
在連續(xù)轉(zhuǎn)換模式中,每次轉(zhuǎn)換完成,MS5112M 都將結(jié)果存入結(jié)果寄存器,并立即開始下一次轉(zhuǎn)
換。
在單次轉(zhuǎn)換模式中,MS5112M 會(huì)等待配置寄存器中的 ST/ DRDY 位被置為 1。ST/ DRDY 位被置為 1
后,MS5112M 開始轉(zhuǎn)換。轉(zhuǎn)換完成后,MS5112M 將結(jié)果存入結(jié)果寄存器中,并復(fù)位 ST/ DRDY 位為
0,進(jìn)入省電模式。
從連續(xù)轉(zhuǎn)換模式切換到單次轉(zhuǎn)換模式時(shí),MS5112M 將完成當(dāng)前轉(zhuǎn)換,并復(fù)位 ST/ DRDY 位為 0,進(jìn)
入省電模式。
復(fù)位和上電
在上電時(shí),自動(dòng)執(zhí)行一次復(fù)位,配置寄存器中的所有位設(shè)置為默認(rèn)值。
MS5112M 會(huì)對(duì) I 2C 的總呼叫復(fù)位命令做出響應(yīng),當(dāng) MS5112M 接收到總呼叫復(fù)位命令時(shí),立即執(zhí)
行一次復(fù)位。
I 2C 接口
MS5112M 通過(guò) I 2C 接口通信。圖 1 為 I 2C 時(shí)序圖,表 3 列出了相關(guān)參數(shù)。
串行總線地址
對(duì) MS5112M 進(jìn)行讀寫,主機(jī)必須通過(guò)地址位對(duì)從機(jī)尋址。從機(jī)地址位包括 7 個(gè)地址位、1 個(gè)操作
位。
MS5112M 有兩個(gè)地址管腳,ASEL0 和 ASEL1,可以設(shè)置 I 2C 的地址。這個(gè)管腳可以設(shè)置為邏輯低、
邏輯高或懸空。通過(guò)兩個(gè)管腳可以設(shè)置 8 個(gè)地址,如表 4 所示。在上電復(fù)位或 I 2C 總呼叫命令之后,
器件將對(duì) ASEL0 和 ASEL1 管腳狀態(tài)進(jìn)行采樣。
I 2C 總呼叫
如果地址位 8 位都為 0 時(shí),MS5112M 響應(yīng)總呼叫。器件應(yīng)答總呼叫并響應(yīng)第二個(gè)字節(jié)的命令。如
果該命令為 04h,MS5112M 將只鎖存地址管腳 ASEL0 和 ASEL1 的狀態(tài),并不復(fù)位配置寄存器。如果命
令為 06h,MS5112M 將鎖存地址管腳的狀態(tài),并復(fù)位配置寄存器。
I 2C 數(shù)據(jù)速率
I 2C 總線有三種速度方式:標(biāo)準(zhǔn)方式,允許最高 100kHz 的時(shí)鐘頻率??焖俜绞剑试S最高 400kHz
的時(shí)鐘頻率。高速方式,允許最高 3.4MHz 的時(shí)鐘頻率。
關(guān)于高速方式的更多信息,參考 I 2C 規(guī)格說(shuō)明。
結(jié)果寄存器
16 位的結(jié)果寄存器存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換結(jié)果,采用二進(jìn)制補(bǔ)碼格式。在復(fù)位或上電之后,結(jié)果寄存器清 0,
直到第一次轉(zhuǎn)換完成。結(jié)果寄存器的格式如表 5 所示。
配置寄存器
8 位配置寄存器控制 MS5112M 的工作模式、更新速率和可編程增益放大器(PGA)。配置寄存器的
格式如表 6 所示,默認(rèn)設(shè)置是 8CH。
如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)
位 6-5:INP
輸入信號(hào)選擇位。如表 7 所示,通過(guò)控制這兩位,MS5112M 可以用來(lái)選擇 2 個(gè)差分通道或 3 個(gè)以
AIN3 為參考的單端輸入通道。
位 4:SC
轉(zhuǎn)換模式選擇位。當(dāng) SC 為 1 時(shí),選擇單次轉(zhuǎn)換模式;當(dāng) SC 為 0 時(shí),選擇連續(xù)轉(zhuǎn)換模式。默認(rèn)為0。
位 3-2:DR
更新速率選擇位,如表 8 所示。
位 1-0:PGA
增益設(shè)置選擇位,如表 9 所示。
讀操作
讀取結(jié)果寄存器和配置寄存器的值。先對(duì) MS5112M 尋址,再?gòu)闹凶x出 3 個(gè)字節(jié)。前 2 個(gè)字節(jié)是
結(jié)果寄存器的值,第 3 個(gè)字節(jié)是配置寄存器的值。
可不讀出配置寄存器,在讀操作中允許讀出的字節(jié)個(gè)數(shù)少于 3 個(gè)。如果讀取多于 3 個(gè)字節(jié),那么
從第 4 個(gè)字節(jié)開始將為 FFH。
MS5112M 的典型讀操作的時(shí)序見圖 2。
寫操作
對(duì)配置寄存器進(jìn)行寫操作。先對(duì) MS5112M 尋址,再寫入一個(gè)字節(jié),這個(gè)字節(jié)將被寫入配置寄存
器中。
寫入多個(gè)字節(jié)無(wú)效,將忽略第一個(gè)字節(jié)之后的任何字節(jié)。MS5112M 寫操作的典型時(shí)序見圖 3。
典型應(yīng)用圖
基本連接方法
對(duì)于多數(shù)應(yīng)用而言,MS5112M 的典型基本連接圖如圖 4 所示。
連接多個(gè)器件
一條 I 2C 總線可連接多個(gè) MS5112M。使用 ASEL1 和 ASEL0 腳,MS5112M 可以設(shè)置為 8 種不同 I 2C
地址。如圖 5 所示,三個(gè) MS5112M 連接到同一條總線。一條 I 2C 總線上最多可以連接 8 個(gè) MS5112M
(使用不同狀態(tài)的 ASEL1 和 ASEL0 腳進(jìn)行控制)。
注意,I 2C 總線僅需一組上拉電阻。
低端電流監(jiān)控器
圖 6 是低端電流監(jiān)控器的電路圖。該電路通過(guò)一個(gè)檢流電阻來(lái)讀取電壓。此電阻上的電壓可用低
漂移的運(yùn)放 MS8552 放大,放大結(jié)果由 MS5112M 讀取。
建議 MS5112M 工作在 8 倍增益下,可以降低 MS8552 的增益。對(duì)于 8 倍增益而言,運(yùn)放應(yīng)提供最
高不高于 0.256V 的輸出電壓,所以在滿刻度電流時(shí),檢流電阻提供最大 64mV 的電壓降。
封裝外形圖
MSOP10
——愛研究芯片的小王
審核編輯 黃宇
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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