意法半導(dǎo)體一年一度的工業(yè)峰會(huì)于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦,工業(yè)峰會(huì)是意法半導(dǎo)體充分展示工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)和解決方案廣度和深度的頂級(jí)盛會(huì),今年已經(jīng)進(jìn)行到第六屆,延續(xù)了“激發(fā)智能,持續(xù)創(chuàng)新”這一主題,聚焦智能電源和智能工業(yè),構(gòu)筑可持續(xù)未來。全天通過28場技術(shù)演講向參會(huì)業(yè)者展示150多款面向自動(dòng)化、電源與電源和電機(jī)控制三大市場的方案演示。益登作為贊助商之一參與其中,并通過活動(dòng)相關(guān)推送媒介向業(yè)界展示其基于意法半導(dǎo)體STM32G4的30kW SiC高性能電動(dòng)汽車充電器解決方案。
隨著電動(dòng)汽車電池電量和電壓的增加,對電動(dòng)汽車充電的要求越來越高。意法半導(dǎo)體為客戶提供先進(jìn)的整體元器件(SiC MOSFET/SiC二極管/STGAP/STM32)解決方案,其30kW Vienna PFC+LLC解決方案可實(shí)現(xiàn)98.8%的峰值效率,DCDC解決方案可實(shí)現(xiàn)98%的峰值效率。
30 kW AD-DC數(shù)字控制解決方案——帶數(shù)字控制的30 kW三相Vienna PFC整流器參考設(shè)計(jì)(STDES-30KWVRECT)
解決方案框圖
解決方案主要包含以下幾款意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品
STM32G474(32位MCU)
SCT018W65G3-4AG(12 x 20.7mΩ SiC MOSFET)
STPSC40H12C(6 x SiC二極管)
STGAP2SiC(電絕緣柵極驅(qū)動(dòng)器)
主要特點(diǎn)
輸入交流電壓:三相345 VAC至460 VAC,47 Hz至63 Hz
直流輸出電壓800 VDC,額定輸出功率30kW
正常情況下峰值效率為98.70%
滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)功率因數(shù)為0.99,THD低于3%
STM32G474:高性能32位MCU
功率密度:48.8W/in3
主要優(yōu)勢
基于SiC器件的解決方案;實(shí)現(xiàn)更高的效率
使用并聯(lián)SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)更高功率,均衡共享電流
基于STM32G4的全數(shù)字電源解決方案,用于Vienna拓?fù)淇刂?/p>
30kW DC-DC數(shù)字控制解決方案——30kW三相交錯(cuò)LLC解決方案
解決方案框圖
解決方案主要包含以下幾款意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品:
MCU:STM32G474VET6
SiC MOSFET:SCT025W120G3-4AG
超快二極管:STTH60RQ06W
柵極驅(qū)動(dòng)器:STGAP2SICS
肖特基二極管:STTH1L06A、STPS1150A、STPS2H100A、STPS2L60A
GPA:LM393DT、LD29080DT50R、LD29080DT33R、TSV9121DT
主要特點(diǎn)
輸出電壓范圍:200-1000VDC最大電流:100A
輸出功率:最大30kW
目標(biāo)峰值效率:98%
尺寸(W*L*H):285mm*415mm*70mm
功率密度50W/in3
風(fēng)扇冷卻
主要優(yōu)勢
基于SiC器件的解決方案;實(shí)現(xiàn)更高的效率
單電路使用較少的SiC MOSFET,實(shí)現(xiàn)更高功率
寬范圍和高輸出電壓
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原文標(biāo)題:益登科技贊助參加ST工業(yè)峰會(huì)助推SiC高性能電動(dòng)汽車充電器解決方案
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