旋轉(zhuǎn)編碼器選擇FeRAM需要考慮什么

FeRAM 是一種非易失性存儲器，具有高速寫入、高重寫耐久性和低功耗的特點。利用這些特點，F(xiàn)eRAM 被廣泛應用于需要高頻率記錄設備本身及其周圍環(huán)境狀態(tài)的工業(yè)和車載應用中。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司(即將更名為RAMXEED有限公司)提供的用于旋轉(zhuǎn)編碼器的 FeRAM(MB85RDP16LX)配有內(nèi)部計數(shù)器和 FeRAM。這意味著，在用于計算電機轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)編碼器時，不會影響 FeRAM 本身的快速啟動、高速寫入和低功耗。存儲在 FeRAM 中的數(shù)據(jù)的計算和寫入是通過線圈的電動勢等產(chǎn)生的少量電能完成的，因此即使沒有電源，也能繼續(xù)計算電機的轉(zhuǎn)數(shù)。

為旋轉(zhuǎn)編碼器選擇 FeRAM 的五個理由

01 快速啟動速度

與閃存和其他存儲器解決方案不同，F(xiàn)eRAM不需要升壓電源或復雜的內(nèi)部電源排序。這意味著不需要等待電源穩(wěn)定，并且可以在電源打開后立即訪問存儲器。

02 高速寫入和高重寫耐久性

與EEPROM不同，F(xiàn)eRAM不需要寫操作的等待時間，并且能夠進行大量重寫，使得在內(nèi)存中(即在FeRAM中)進行數(shù)據(jù)計算成為可能。 由于MB85RDP16LX配備了內(nèi)部計數(shù)器處理計算電路，可以在內(nèi)存中進行數(shù)據(jù)的計數(shù)器計算處理，并將計算后的數(shù)據(jù)覆蓋寫入內(nèi)存，而無需將之前的數(shù)據(jù)讀出內(nèi)存。

03 低功耗

FeRAM在寫入數(shù)據(jù)時不需要升壓電源，并且由于寫入時間短，它所需的功率(能量)遠低于其他類型的非易失性存儲器。這使得它能夠在能量收集等弱電源上運行，并且即使在電池供電系統(tǒng)中也能長時間運行。 04 抗磁場 MRAM是另一種能夠進行類似于FeRAM的高速寫操作的非易失性存儲器。然而，由于MRAM使用磁場方向來存儲數(shù)據(jù)位(1和0)，它對磁場非常敏感，因此需要使用防磁屏蔽來保護它，以防止數(shù)據(jù)損壞。 不建議在使用磁鐵的地方，特別是電機周圍使用MRAM。 由于FeRAM的存儲單元結構，它對磁場和電場具有很高的抗性，并且對軟件錯誤也有抵抗力，因此FeRAM也被用于太空應用(太空探索等)。

05 不需要電池

由于FeRAM是非易失性存儲器，它不需要電池來存儲數(shù)據(jù)，因此非常適合替代具有類似規(guī)格并以類似方式使用的電池備份SRAM(BB-SRAM)。

通過將BB-SRAM替換為FeRAM，可以從系統(tǒng)中去除電池，這在保護環(huán)境和降低維護成本方面都具有顯著效果。 具有最佳規(guī)格的用于旋轉(zhuǎn)編碼器的非易失性存儲器FeRAM 基于上述1-5點原因，MB85RDP16LX作為用于旋轉(zhuǎn)編碼器的FeRAM，可以在電源啟動后立即開始工作，所需的電源供電時間極短，僅為20-30微秒，由旋轉(zhuǎn)編碼器內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)磁鐵和線圈產(chǎn)生的電力供電。它還可以在內(nèi)存中進行數(shù)據(jù)計算，并在計算數(shù)據(jù)寫入后立即關閉。

問題

線圈電動勢供電的時間只有20-30微秒，這極其短暫。普通的非易失性存儲器無法在如此短的時間內(nèi)完成寫操作。

解決方案

這種FeRAM產(chǎn)品(MB85RDP16X)能夠在僅提供20-30微秒脈沖電源的環(huán)境中，正確讀取先前數(shù)據(jù)、更新并保存計數(shù)器計算后的數(shù)據(jù)，并隨時關閉。

歡迎聯(lián)系加賀富儀艾電子(上海)有限公司了解產(chǎn)品更多相關信息。

更名通知

富士通半導體存儲器解決方案有限公司將更名為RAMXEED有限公司，自2025年1月1日起生效。

在更名的同時，電子郵件地址和網(wǎng)站URL也將進行更新，郵政地址和電話號碼不會有任何變化。

更名后，RAMXEED也將繼續(xù)為客戶提供高性能和高質(zhì)量的FeRAM/ReRAM半導體存儲器產(chǎn)品和服務。

關于富士通半導體存儲器解決方案有限公司

富士通半導體存儲器解決方案有限公司(即將更名為RAMXEED有限公司)成立于2020年3月，可為客戶提供存儲器產(chǎn)品和各種解決方案，主要是基于鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)，這是一種高質(zhì)量、高可靠性的非易失性存儲器。作為下一代存儲器，富士通半導體存儲器解決方案已經(jīng)開始批量生產(chǎn)ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)，它在讀取數(shù)據(jù)時需要更少的功率，是小型可穿戴設備的理想選擇，同時還在開發(fā)以碳納米管為材料的非易失性存儲器(NRAM)。

關于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子，其業(yè)務自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司，負責統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務。 加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務，專用標準產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN(氮化鎵)，MCU和電源功率器件，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網(wǎng)絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領域。