美投資8.25億美元建設NSTC關鍵設施,重點發(fā)展EUV光刻技術

拜登政府已宣布一項重大投資決策，計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設國家半導體技術中心（NSTC）的核心設施。據(jù)美國商務部透露，奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外（EUV）光刻技術的研發(fā)。

NSTC作為美國頂尖的研發(fā)機構，其目標是推動半導體技術的革新，培養(yǎng)具備相關技能的勞動力，為這些新興領域提供人才支持，并促進與私營企業(yè)和學術界的深度合作。

此次建設的首個設施被命名為“美國《芯片法案》EUV加速器”（CHIPS for America Extreme Ultraviolet Accelerator），它將落戶于奧爾巴尼納米技術綜合大樓內(nèi)。這座綜合大樓占地面積超過165萬平方英尺，由非營利機構——紐約研究中心、經(jīng)濟發(fā)展、技術、工程和科學中心（NY CREATES）負責管理。值得一提的是，該項目的資金來源于《芯片法案》，這是美國半導體行業(yè)28年來獲得的最大一筆投資。

美國商務部長雷蒙多對此表示：“通過這一首個擬建的旗艦設施，《芯片法案》將為國家技術中心配備前沿的研究設備和工具，它的啟動標志著美國在保持全球半導體研發(fā)和創(chuàng)新領先地位方面邁出了重要一步?！?/p>

EUV技術有望打破摩爾定律的限制，該定律預測集成芯片中的晶體管數(shù)量將每兩年翻倍。鑒于當前最先進的處理器已在單個芯片上集成了超過1000億個晶體管，業(yè)界急需進一步推動EUV光刻技術的發(fā)展，以在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的晶體管密度。

目前，全球范圍內(nèi)僅有荷蘭的ASML公司能夠生產(chǎn)用于制造最新一代芯片所需的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV設備。