Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實現(xiàn)相近的效率。應(yīng)用于大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流器、太陽能微型逆變器以及電機驅(qū)動開關(guān)。
應(yīng)用框圖
特性
源漏極導(dǎo)通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持續(xù)源漏極導(dǎo)通電流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通過Rg和UIS測試
材料兼容Pb-free RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
同步整流
初級側(cè)開關(guān)
DC/DC轉(zhuǎn)換器
太陽能微型逆變器
電機驅(qū)動開關(guān)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7208瀏覽量
213742 -
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
882瀏覽量
116335 -
電機驅(qū)動
+關(guān)注
關(guān)注
60文章
1219瀏覽量
86834
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
有的MOSFET電路柵源極為什么要并聯(lián)穩(wěn)壓二極管？一文搞懂MOS Vdss，Vgss，Id，Idm參數(shù)選型
瞬時電流。這一參數(shù)通常比連續(xù)漏源極電流 (Id) 大得多，但受限于持續(xù)時間和占空比（duty cycle），以避免MOSFET過熱或損壞，和連續(xù)漏
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會炸管？原因分析
MOSFET炸管也有三大原因，電壓，電流，溫度，比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過了最大極限值，或者M
Vishay微型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器SiC461ED-T1-GE3
SiC461ED是一個寬輸入電壓、高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器,集成高壓端和低壓端同步降壓調(diào)節(jié)功率MOSFET。其功率MOSFET能夠以高達(dá)2MHz的開關(guān)頻率,提供連續(xù)的大電流頻率。該調(diào)節(jié)器可調(diào)輸出電壓
mosfet里vgs和vds的關(guān)系
在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源
mos管源極和漏極電流相等嗎
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成：源極（Source）、
mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄
通過以下幾個方面來解釋： 1. MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由四個主要部分組成：源極（Source）、
使用PGA300EVM-034，選項ADC Calibration Mode里的“3P-1T” “2P-2T” “3P-3T” 是什么意思？
請教一下，我在使用PGA300EVM-034，在Guided Calibration -> Calibration Setting File 里面，配置文件里有一個選項ADC Calibration Mode ，請問這里的“3P-1T” “2P-2T” “
發(fā)表于 08-14 07:58
晶體管的漏極與源極有什么區(qū)別
在探討晶體管的漏極（Drain）與源極（Source）的區(qū)別時，我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管，尤其是場效應(yīng)晶體管（FET），是一種通過控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制
射頻微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《射頻微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-06 14:57
?1次下載
MOS管源極和漏極是什么意思
（Source, S）和漏極（Drain, D）是兩個關(guān)鍵的電極，它們與柵極（Gate, G）共同構(gòu)成了MOS管的基本結(jié)構(gòu)。以下是對MOS管源極和漏
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏
發(fā)表于 06-13 10:07
STM8AF5288T不帶ADC1嗎？
) || defined(STM8S207) || defined (STM8S007) || defined (STM8AF52Ax) || defined (STM8AF62Ax)
這樣是說明STM8AF5288T沒有ADC1嗎？
發(fā)表于 05-10 08:30
SP1T引腳二極管開關(guān)PULSAR
60 dB 的最低隔離度。所有的相應(yīng)開關(guān)都是需要 +5VDC 和 -5VDC 才能夠使用。SP1T引腳二極管開關(guān)典型電流損耗為 +/- 30 mA。需用 0 至 +5VDC 的 TTL 控制邏輯
發(fā)表于 02-05 11:01
雙向可控硅導(dǎo)通問題，去掉觸發(fā)信號，T1,T2極也斷開了
multisim14 中用雙向可控硅MAC12HCDG仿真時，為什么觸發(fā)電流撤掉后，T1,T2極也斷開了燈泡不亮，電路如下圖，請幫忙看看電路是否有問題？
發(fā)表于 02-04 13:24
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹
工商網(wǎng)監(jiān)
評論