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英特爾攜手日本AIST共建半導(dǎo)體研發(fā)中心

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-10-22 17:09 ? 次閱讀
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近日,英特爾宣布將與日本國(guó)立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)展開(kāi)合作,共同投資約1000億日元(折合7億美元),在日本興建一座最先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)中心。該中心預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營(yíng)。

據(jù)悉,新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成,并將配備極紫外線光刻(EUV)設(shè)備,為行業(yè)內(nèi)的設(shè)備制造商和材料公司提供原型設(shè)計(jì)和測(cè)試服務(wù)。這一舉措將極大地促進(jìn)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,并提升其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

值得一提的是,該中心將是日本首個(gè)允許行業(yè)成員共同使用極紫外線光刻設(shè)備的中心,為行業(yè)內(nèi)的企業(yè)提供了一個(gè)共享資源、共同創(chuàng)新的平臺(tái)。英特爾與AIST的合作,不僅有助于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展,還將為日本的科技產(chǎn)業(yè)注入新的活力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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