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USB端子±4KV接觸放電測(cè)試芯片損壞問(wèn)題分析

電磁兼容EMC ? 來(lái)源:風(fēng)陵渡口話EMC ? 2024-10-17 13:46 ? 次閱讀
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以下文章來(lái)源于風(fēng)陵渡口話EMC,作者風(fēng)陵渡口

USB端子±4KV接觸放電測(cè)試芯片損壞問(wèn)題分析

問(wèn)題現(xiàn)象描述:

EMC測(cè)試人員反饋對(duì)USB端子的金屬外殼進(jìn)行±4KV接觸放電后系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī),分析確認(rèn)芯片已經(jīng)損壞,造成系統(tǒng)無(wú)法正常開(kāi)機(jī)。實(shí)驗(yàn)室模擬對(duì)雙層USB端子進(jìn)行±4KV接觸放電則不會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的現(xiàn)象。 與測(cè)試工程師進(jìn)行深入溝通確認(rèn),客戶(hù)對(duì)雙層USB端子的中間金屬橫條進(jìn)行接觸放電±4KV,才會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題,而對(duì)USB外殼部分金屬進(jìn)行接觸±4KV放電則不會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題,在實(shí)驗(yàn)室按照客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)的操作方法模擬,出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)現(xiàn)象,確認(rèn)也是芯片孫壞。

雙層USB端子的中間金屬橫條

問(wèn)題原因分析:

對(duì)金屬橫條進(jìn)行靜電放電測(cè)試過(guò)程中,仔細(xì)觀察發(fā)現(xiàn)金屬橫條與金屬外殼結(jié)合處存在拉弧放電放電的現(xiàn)象。根據(jù)現(xiàn)象判斷金屬橫條與金屬外殼之間存在接觸不良或存在開(kāi)路現(xiàn)象,否則對(duì)金屬橫條進(jìn)行靜電放電不會(huì)出現(xiàn)拉弧現(xiàn)象。

使用萬(wàn)用表量測(cè)金屬橫條與金屬外殼之間連接導(dǎo)電性,發(fā)現(xiàn)兩者之間是完全開(kāi)路狀態(tài),使用導(dǎo)電膠布將金屬橫條與金屬外殼連接起來(lái),對(duì)金屬橫條進(jìn)行接觸放電±4KV未出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題,直至進(jìn)行接觸±6KV靜電放電也未出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)問(wèn)題。

問(wèn)題根因分析:

對(duì)金屬橫條進(jìn)行靜電放電測(cè)試時(shí),由于金屬橫條與金屬外殼之間處于開(kāi)路狀態(tài),金屬橫條對(duì)金屬外殼拉弧放電的同時(shí)金屬橫條對(duì)USB差分信號(hào)放電,靜電干擾則通過(guò)USB差分耦合到芯片,造成芯片損壞。

問(wèn)題解決方案(一)

優(yōu)化雙層USB端子的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),將金屬橫條與金屬外殼之間進(jìn)行充分的連接,使兩者之間完全等電位,避免對(duì)金屬橫條放電拉弧的問(wèn)題,靜電放電測(cè)試結(jié)果PASS。

wKgaoWcQpPmAQ_hkAAD3eVoCo5U766.jpg

USB差分信號(hào)增加TVS管防護(hù)

問(wèn)題解決方案(二)

在供應(yīng)商端子優(yōu)化完成之前,采用在USB差分信號(hào)增加TVS管,對(duì)靜電放電時(shí)耦合到的靜電干擾進(jìn)行旁路,以保護(hù)芯片免受靜電放電噪聲的危害,導(dǎo)入改善對(duì)策后靜電放電測(cè)試PASS。

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原文標(biāo)題:EMC調(diào)試案例(一):USB端子±4KV接觸放電測(cè)試芯片損壞問(wèn)題分析

文章出處:【微信號(hào):EMC_EMI,微信公眾號(hào):電磁兼容EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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