基于抑制零點(diǎn)漂移的3種常用措施分析

疑難問題：

抑制零點(diǎn)漂移的常用措施有哪些？

產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多，任何元件參數(shù)的變化，都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明，溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因，也是最難克服的因素，這是由于半導(dǎo)體元器件的導(dǎo)電性對(duì)溫度非常敏感，而溫度又很難維持恒定。

當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，將引起晶體管參數(shù)的變化，從而使放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)發(fā)生變化，而且由于級(jí)間耦合采用直接耦合方式，這種變化將逐級(jí)放大和傳遞，最后導(dǎo)致輸出端的電壓發(fā)生漂移。直接耦合放大電路級(jí)數(shù)愈多，放大倍數(shù)愈大，則零點(diǎn)漂移愈嚴(yán)重，并且在各級(jí)產(chǎn)生的零點(diǎn)漂移中，第一級(jí)產(chǎn)生零點(diǎn)漂移影響最大，為此減小零點(diǎn)漂移的關(guān)鍵是改善放大電路第一級(jí)的性能。

在實(shí)際電路中，根據(jù)具體情況可采用不同的措施抑制零點(diǎn)漂移。常用的措施有下面幾種：

1、選用高質(zhì)量的硅管

硅管的Icbo要比鍺管小好幾個(gè)數(shù)量級(jí)，因此目前高質(zhì)量的直流放大電路幾乎都采用硅管。另外管子的制造工藝也很重要，即使同一種類型的管子，如工藝不夠嚴(yán)格，半導(dǎo)體表面不干凈，將會(huì)使漂移程度增加。所以必須嚴(yán)格挑選合格的半導(dǎo)體器件。

2、溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?/p>

利用溫度對(duì)非線性元件的影響來抵消溫度對(duì)放大電路中晶體管參數(shù)的影響，進(jìn)而減小電路的零點(diǎn)漂移。這種方法比較簡單，在線性集成電路中應(yīng)用比較多，但是補(bǔ)償?shù)某潭炔粔蚶硐?。受溫度補(bǔ)償法的啟發(fā)，人們利用兩只型號(hào)和特性都相同的晶體管來進(jìn)行補(bǔ)償，收到了比較好的抑制零點(diǎn)漂移的效果，這就是差動(dòng)放大電路。

3、調(diào)制法

這種方法的指導(dǎo)思想是先將直流信號(hào)通過某種方式轉(zhuǎn)換成頻率較高的交流信號(hào)（這種方式稱為調(diào)制），經(jīng)過阻容耦合放大電路進(jìn)行放大后，再轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)（這種轉(zhuǎn)換稱為解調(diào)）。因此這種方法既放大了輸入信號(hào)，又抑制了零點(diǎn)漂移。