在實際的工業(yè)、電力、自動化及儀器儀表應(yīng)用中,RS-485總線標(biāo)準(zhǔn)是使用最廣泛的物理層總線設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)之一,由于其會在惡劣電磁環(huán)境下工作,為了確保這些數(shù)據(jù)端口能夠在最終安裝環(huán)境中正常工作,它們必須符合相關(guān)的電磁兼容性(EMC)法規(guī)。在本文中,世健公司結(jié)合優(yōu)勢的代理線ADI( RS-485芯片)、Bourns(在端口EMC防護(hù)方面的器件),從原理分析到實測來為大家?guī)碓敿?xì)的RS485的端口防護(hù)分析。
在RS-485端口的EMC設(shè)計中,我們需要重點考慮三個因素:靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪涌(Surge)。國際電工委員會(IEC)規(guī)范定義了一組EMC抗擾度要求,這組規(guī)范包括以下三種類型的高電壓瞬變,設(shè)計人員需要確保數(shù)據(jù)通信線路不受這些瞬變的損害。這三種類型分別是:
-IEC 61000-4-2靜電放電(ESD)
-IEC 61000-4-4電快速瞬變(EFT)
-IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)
Excelpoint世健公司技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao說:“RS-485端口的保護(hù)方案就是要設(shè)法去滿足ESD、EFT、Surge這三種規(guī)范的要求。所以想要設(shè)計出合規(guī)的RS-485端口EMC方案,首先就要透徹了解這三個規(guī)范?!眹鴥?nèi)針對IEC標(biāo)準(zhǔn)也有同樣的等同標(biāo)準(zhǔn)可以參考,比如在電力及輸配電應(yīng)用中,很多采用了GB/T17626.2 ESD, GB/T17626.4 EFT, GB/T17626.5 Surge的對應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,本文以IEC標(biāo)準(zhǔn)為例說明。
靜電放電
靜電放電(ESD)是指兩個電位不同的帶電體之間因為近接觸或電場的傳導(dǎo)而突然產(chǎn)生靜電電荷的傳輸。其特性是在較短的時間內(nèi)有較大的電流。IEC 61000-4-2測試的主要目,就是確定系統(tǒng)在工作過程中對系統(tǒng)外部ESD事件的抗擾度。IEC 61000-4-2規(guī)定了不同環(huán)境狀況下的電壓測試級別,共分4個級別。1級最輕微,4級最嚴(yán)重。1級和2級適合擁有防靜電材料的 受控環(huán)境中安裝的產(chǎn)品。3級和4級適合情況更嚴(yán)重的環(huán)境中安裝的產(chǎn)品,這類環(huán)境下更常發(fā)生帶有較高電壓的ESD事件。
圖1:ESD 特性曲線
圖2:IEC 61000-4-2ESD測試級別和安裝類別
電快速瞬變(脈沖群)
電快速瞬變(EFT)測試的是,將大量極快的瞬變脈沖耦合到信號線上,系統(tǒng)與外部開關(guān)電路關(guān)聯(lián)的瞬變干擾,這類電路能夠以容性方式耦合至通信端口。EFT的纏上包括繼電器和開關(guān)觸點抖動,或者因為感性或容性負(fù)載切換而產(chǎn)生的瞬變, 而所有這些在工業(yè)環(huán)境中都很常見。EC 61000-4-4中定義的 EFT測試,就是去模擬這些事件產(chǎn)生的干擾。
圖3:EFT特性曲線
IEC 61000-4-4規(guī)定了不同環(huán)境狀況下的電壓測試級別,分為4級。同時規(guī)定了不同測試級別對應(yīng)的測試電壓和脈沖重復(fù)速率。
-1級 表示保護(hù)措施很好的環(huán)境
-2級 表示受保護(hù)的環(huán)境
-3級 表示典型的工業(yè)環(huán)境
-4級 表示惡劣的工業(yè)環(huán)境
圖4:IEC 61000-4-4EFT 測試級別
浪涌(Surge)
浪涌通常由開關(guān)操作造成的過壓情況或雷擊造成。開關(guān)瞬變的起因可能是電力系統(tǒng)切換、配電系統(tǒng)中的負(fù)載變化或各種系統(tǒng)故障。雷擊瞬變的起因可能是附近的雷擊導(dǎo)致向電路中注入了較大的電流和電壓。IEC 61000-4-5定義了在容易受到這些浪涌現(xiàn)象影響的情況下用于評估電子電氣設(shè)備抗擾度的波形、測試方法和測試級別。
圖5:Surge特性曲線
浪涌的能量級別可以達(dá)到ESD或EFT脈沖能量級別的三到四個數(shù)量級。因此,浪涌可以視作是EMC瞬變規(guī)范中最嚴(yán)重的一種。 由于ESD和EFT之間的相似性,相應(yīng)的電路保護(hù)設(shè)計也很相似,但是由于浪涌的能量大,因此必須采取不同的處理方式。
Excelpoint世健公司技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao說:“開發(fā)EMC保護(hù)電路的過程,就是要根據(jù)實際應(yīng)用的場景,達(dá)到相應(yīng)的上述三種瞬變的抗擾度的規(guī)范要求,同時又要保證成本效益。這看似復(fù)雜的工作,實際上有它自己的原則和套路可循?!?/p>
RS-485端口EMC方案相應(yīng)的規(guī)范要求實際上就是保護(hù)電路設(shè)計需要達(dá)到的目標(biāo)。為了達(dá)成這樣的目標(biāo),自有其設(shè)計原則:
針對瞬變提供保護(hù),主要有兩種方式:過流保護(hù)用于限制峰值電流;過壓保護(hù)用于限制峰值電壓。典型的保護(hù)方案設(shè)計包括主保護(hù)和次級保護(hù)。主保護(hù)可將大部分瞬變能量從系統(tǒng)轉(zhuǎn)移開,通常位于系統(tǒng)和環(huán)境之間的接口,它能夠?qū)⑺沧冝D(zhuǎn)移到大地,從而移走絕大部分的能量。次級保護(hù)的目的是保護(hù)系統(tǒng)各個部件,使其免受主保護(hù)允許通過的任何瞬變電壓和電流的損壞。次級保護(hù)通常更側(cè)重于面向受保護(hù)系統(tǒng)的具體部件。它經(jīng)過優(yōu)化,可以確保針對上述殘余瞬變提供保護(hù),同時還允許系統(tǒng)的這些敏感部件正常工作。Excelpoint世健技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao說:“這兩種方式必須確保主設(shè)計和次級設(shè)計能夠一起配合系統(tǒng)輸入/輸出,以便最大限度地降低對受保護(hù)電路造成的應(yīng)力。同時在設(shè)計中,一般在主保護(hù)器件和次級保護(hù)器件之間會有一個協(xié)調(diào)元件,例如電阻或非線性過流保護(hù)器件,以確保能夠進(jìn)行協(xié)調(diào)。”
圖6:傳統(tǒng)的EMC防護(hù)解決方案架構(gòu)
按照以上的規(guī)范要求和設(shè)計原則,下面我們提供三種不同級別的EMC防護(hù)解決方案,這些方案都已經(jīng)經(jīng)過了第三方獨(dú)立EMC兼容性測試的認(rèn)證。方案中用到的元器件包括:
·ADM3485EARZ3.3 V RS-485收發(fā)器(ADI)
·TVS瞬變電壓抑制器CDSOT23-SM712 (Bourns)
·TBU瞬變閉鎖單元TBU-CA065-200-WH (Bourns)
·TIST晶閘管浪涌保護(hù)器TISP4240M3BJR-S (Bourns)
·GDT氣體放電管2038-15-SM-RPLF (Bourns)
方案一
EFT和ESD瞬變的能量級別類似,浪涌波形的能量級別則高出三到四個數(shù)量級。針對ESD和EFT的保護(hù)可通過相似的方式完成,針對高級別浪涌的保護(hù)解決方案則更為復(fù)雜。第一個解決方案提供四級ESD和EFT和二級浪涌保護(hù)。
此解決方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712 TVS陣列,它包括兩個雙向TVS二極管。TVS是基于硅的器件。在正常工作條件下,TVS具有很高的對地阻抗;理想情況下它是開路的。保護(hù)方法是將瞬變導(dǎo)致的過壓箝位到電壓限值。這是通PN結(jié)的低阻抗雪崩擊穿實現(xiàn)的。當(dāng)產(chǎn)生大于TVS的擊穿電壓的瞬變電壓時, TVS會將瞬變箝位到小于保護(hù)器件的擊穿電壓的預(yù)定水平,只需< 1 ns,瞬變電流即可從受保護(hù)器件轉(zhuǎn)移至地。
重要的是要確保TVS的擊穿電壓在受保護(hù)引腳的正常工作范圍之外。CDSOT23-SM712的獨(dú)有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非對稱擊穿電壓,與RS-485芯片ADM3485E的+12 V至–7 V的收發(fā)器共模范圍相匹配,從而提供最佳保護(hù),同時最大限度地減小對RS-485收發(fā)器的過壓應(yīng)力。
圖7:CDSOT23-SM712 TVS特性曲線
圖8:基于TVS陣列的保護(hù)方案
方案二
如果要提高浪涌保護(hù)級別,保護(hù)電路變將得更加復(fù)雜,在方案二中,我們將浪涌保護(hù)提高到四級。
在這個方案中,由TVS(CDSOT23-SM712)提供次級保護(hù), TISP(TISP4240M3BJR-S)則提供主保護(hù),主保護(hù)器件和次級保護(hù)器件之間的協(xié)調(diào)以及過流保護(hù)是利用Bourns專利技術(shù)的過流保護(hù)器件TBU(TBU-CA065-200-WH)實現(xiàn)的。
圖9:TBU的特性曲線
當(dāng)瞬變能量施加于保護(hù)電路時,TVS將會擊穿,通過提供低阻抗的接地路徑來保護(hù)器件。由于電壓和電流較高,還必須通過限制通過的電流來保護(hù)TVS。這可采用TBU,TBU是一個主動高速過流保護(hù)元件可阻擋電流,而不是將其分流至地。作為串聯(lián)元件, 它會對通過器件的電流做出反應(yīng),而不是對接口兩端的電壓做出反應(yīng)。TBU是一個高速過流保護(hù)元件,具有預(yù)設(shè)電流限值和耐高壓能力。當(dāng)發(fā)生過流,TVS由于瞬變事件擊穿時,TBU中的電流將升至器件設(shè)置的限流水平。此時, TBU會在小于1 μs時間內(nèi)將受保護(hù)電路與浪涌斷開。在瞬變的剩余時間內(nèi),TBU保持在受保護(hù)阻隔狀態(tài),通過 受保護(hù)電路的電流非常小(<1 mA)。在正常工作條件下,TBU 具有低阻抗,因此它對正常電路工作的影響很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬變能量。在瞬變事件后,TBU自動重置到低阻抗?fàn)顟B(tài),讓系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。
與所有過流保護(hù)技術(shù)相同,TBU具有最大擊穿電壓,因此 主保護(hù)器件必須箝位電壓,并將瞬變能量重新引導(dǎo)至地。 這通常使用氣體放電管或固體放電管(晶閘管)TISP等技術(shù)實現(xiàn),例如TISP。TISP充當(dāng)主保護(hù)器件,當(dāng)超過其預(yù)定義保護(hù)電壓時,它提供瞬變開路低阻抗接地路徑, 從而將大部分瞬變能量從系統(tǒng)和其他保護(hù)器件轉(zhuǎn)移開。
TISP的非線性電壓-電流特性通過轉(zhuǎn)移產(chǎn)生的電流來限制過壓。作為晶閘管,TISP具有非連續(xù)電壓-電流特性,它是由于高電壓區(qū)和低電壓區(qū)之間的切換動作而導(dǎo)致的。在TISP器件切換到低電壓狀態(tài)之前,它具有低阻抗接地路徑以分流瞬變能量,雪崩擊穿區(qū)域則導(dǎo)致了箝位動作。
圖11:TISP的特性曲線
在限制過壓的過程中,受保護(hù)電路短暫暴露在高壓下,因而在切換到低壓保護(hù)打開狀態(tài)之前,TISP器件處在擊穿區(qū)域。TBU將保護(hù)后端電路,防止由于這種高電壓導(dǎo)致的高電流造成損壞。當(dāng)轉(zhuǎn)移電流降低到臨界值以下時,TISP器件自動重置,以便恢復(fù)正常系統(tǒng)運(yùn)行。
所有上述三個元件協(xié)同工作,與系統(tǒng)輸入/輸出配 合,一起針對高電壓大電流瞬變?yōu)橄到y(tǒng)提供系統(tǒng)級保護(hù)。
圖12:TVS、TBU和TISP協(xié)同工作,提供更高級別保護(hù)
方案三
如果保護(hù)方案需要應(yīng)對最高6 kV的浪涌瞬變,則需要對方案做些調(diào)整。新方案的工作方式類似于保護(hù)方案二;但此電路采用氣體放電管(GDT) 取代TISP來保護(hù)TBU,從而保護(hù)次級保護(hù)器件TVS。相對于TISP,GDT采用氣體放電原理,可針對更大的過壓和過流應(yīng)力提供保護(hù)。TISP的額定電流是220 A,GDT的額定電流則是5 kA(按單位導(dǎo)體計算)。
圖13:GDT的特性曲線
GDT主要用作主保護(hù)器件,提供低阻抗接地路徑以防止過壓瞬變。當(dāng)瞬變電壓達(dá)到GDT火花放電電壓時,GDT將從高阻抗關(guān)閉狀態(tài)切換到電弧模式。在電弧模式下,GDT成為虛擬短路,提供瞬變開路電流接地泄放路徑,將瞬變沖擊電流從受保護(hù)器件上轉(zhuǎn)移開。
圖14:用TVS、TBU、GDT協(xié)同工作,可以耐受更大的過壓和過流應(yīng)力
Excelpoint世健公司技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao總結(jié)到:RS-485端口的EMC方案自有套路,了解了保護(hù)需要遵循的規(guī)范,熟悉電路保護(hù)器件的特性,做出合規(guī)的設(shè)計并不難。
圖15:三個RS485端口的EMC方案保護(hù)級別比較
最后,世健公司還介紹了兩個經(jīng)典實用的RS-485端口保護(hù)方案,可以通過IEC6100-4-2 ESD, IEC61000-4-4 EFT, IEC61000-4-5 Surge 4級以上EMS安規(guī)測試。
方案一:采用3極GDT+TBU+TVS架構(gòu)方案
方案二:采用2極GDT+TBU+TVS架構(gòu)方案
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ESD
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EFT
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原文標(biāo)題:三個經(jīng)典的RS-485端口EMC防護(hù)方案詳解
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