SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲器市場格局轉(zhuǎn)變

在9月25日（當?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。

在半導體行業(yè)中，TAT（周轉(zhuǎn)時間）是指從硅晶圓開始到形成成品芯片所需的總時間。對于HBM這類高端內(nèi)存產(chǎn)品，業(yè)內(nèi)的普遍認知是其TAT約為3至4個月。然而，SK海力士通過其獨特的MR-MUF工藝，在HBM生產(chǎn)效率上取得了突破性的進展。據(jù)披露，與采用TC-NCF工藝的其他競爭對手相比，SK海力士的HBM生產(chǎn)效率高出8.8倍。

這一消息引發(fā)了半導體行業(yè)內(nèi)的熱議。有行業(yè)人士表示，如果SK海力士的這一生產(chǎn)效率數(shù)據(jù)屬實，那么其他公司如三星電子和美光在短期內(nèi)將難以追趕。在當天的活動中，英偉達、英特爾、博通、谷歌等全球領(lǐng)先的半導體公司均派代表出席，并觀看了SK海力士的發(fā)布會。而值得注意的是，三星電子并未出席此次論壇。

SK海力士此次參加的是由全球最大晶圓代工廠臺積電主辦的“開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇”。在論壇上，SK海力士不僅展示了與臺積電的合作關(guān)系，還介紹了其最新的AI內(nèi)存解決方案。其中，SK海力士在HBM產(chǎn)品上的堆疊技術(shù)尤為引人注目。通過堆疊8塊或12塊DRAM芯片，SK海力士成功推出了8層和12層的HBM產(chǎn)品。

據(jù)半導體行業(yè)分析，SK海力士之所以能夠在HBM生產(chǎn)效率上取得如此巨大的優(yōu)勢，主要得益于其獨特的制造方法。與競爭對手采用的TC-NCF工藝相比，SK海力士的MR-MUF工藝在堆疊DRAM芯片時更為高效。通過預先堆疊DRAM芯片并在一種烤箱中烘烤，SK海力士成功縮短了HBM的生產(chǎn)周期，提高了生產(chǎn)效率。

此外，SK海力士還在HBM市場上取得了顯著的進展。盡管三星電子和美光在供應第5代HBM3E產(chǎn)品時遇到了良率較低和發(fā)熱導致的性能問題，但SK海力士已經(jīng)成功向NVIDIA供應了HBM3E 8層產(chǎn)品，并宣布將在全球首次量產(chǎn)HBM3E 12層產(chǎn)品。這一舉措進一步鞏固了SK海力士在HBM市場上的領(lǐng)先地位。

隨著HBM這種高附加值產(chǎn)品的市場影響力日益增強，存儲器市場的格局正在發(fā)生深刻的變化。市場研究機構(gòu)Trend Force預測，明年HBM在DRAM市場收入中的份額將超過30%，遠高于去年的8%。這一趨勢預示著HBM將成為未來存儲器市場的重要發(fā)展方向。

在此背景下，SK海力士憑借其在HBM市場上的領(lǐng)先地位和高效的生產(chǎn)效率，有望在今年實現(xiàn)營業(yè)利潤的歷史性突破。有預測稱，SK海力士今年的營業(yè)利潤將首次超過三星半導體。這一預測基于SK海力士在HBM市場上的強勁表現(xiàn)以及半導體行業(yè)的整體復蘇趨勢。如果這一預測成真，那么存儲器市場的格局將發(fā)生進一步的變化，SK海力士有望成為新的市場領(lǐng)導者。