0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

深度圖片解析場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法

0BFC_eet_china ? 2017-12-21 11:17 ? 次閱讀

下面是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫為FET??煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們平常主板中常見(jiàn)使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)

我們主板中常用的MOS管G D S三個(gè)引腳是固定的。。。不管是N溝道還是P溝道都一樣。。。把芯片放正。。。從左到右分別為G極D極S極!如下圖:





測(cè)量方法描述到此結(jié)束....


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7164

    瀏覽量

    213307
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    46

    文章

    1162

    瀏覽量

    63944
  • JFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    142

    瀏覽量

    22084

原文標(biāo)題:場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法圖解

文章出處:【微信號(hào):eet-china,微信公眾號(hào):電子工程專輯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

    場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法 一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣
    發(fā)表于 12-22 11:34 ?1573次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別方法及好壞判斷

    場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別方法測(cè)量 一、 符號(hào):  “Q、VT” ,場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)稱FET,是另一種半導(dǎo)體
    發(fā)表于 04-26 08:34 ?7577次閱讀
    <b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>的識(shí)別<b class='flag-5'>方法</b>及好壞判斷

    場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

    場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn) 一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判
    發(fā)表于 07-02 18:28 ?501次閱讀
    <b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>檢測(cè)<b class='flag-5'>方法</b>與經(jīng)驗(yàn)

    場(chǎng)效應(yīng)管(FET),場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是什么意思

    場(chǎng)效應(yīng)管(FET),場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是什么意思 場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體不同,僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
    發(fā)表于 03-01 11:06 ?4.7w次閱讀

    VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思

    VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思   VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS
    發(fā)表于 03-04 09:51 ?1473次閱讀

    VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思

    VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS
    發(fā)表于 03-05 15:44 ?3403次閱讀

    MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理_場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法_場(chǎng)效應(yīng)管與三極的區(qū)別

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor
    發(fā)表于 07-23 10:43 ?1.3w次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法

    場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕彖柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我{ ]平常簡(jiǎn)稱為MOS。而MOS又可分為增
    發(fā)表于 10-25 14:45 ?1.9w次閱讀
    <b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b><b class='flag-5'>測(cè)量方法</b>

    場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小_場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法圖解

    本文開(kāi)始介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的概念和場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn),其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后分析了場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小以及介紹了
    發(fā)表于 04-03 11:37 ?4.6w次閱讀
    <b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>在電路中如何控制電流大小_<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b><b class='flag-5'>測(cè)量方法</b>圖解

    場(chǎng)效應(yīng)管工作原理視頻

    本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法。
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:23 ?3.9w次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量視頻

    本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn),其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)引腳區(qū)分方法與管腳測(cè)定方法,最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:36 ?6.4w次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法

    場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法 電阻法測(cè)電極 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗1
    發(fā)表于 08-14 14:46 ?1.7w次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法 mos怎么測(cè)量好壞?

    場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法 mos怎么測(cè)量好壞?? 場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)是一種半導(dǎo)體器件,其被廣泛應(yīng)用于各種電路中。在使用場(chǎng)效應(yīng)管前,我們需要先
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:20 ?3435次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞

    場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞? 場(chǎng)效應(yīng)管又稱為晶體(transistor),是電子器件中常見(jiàn)的一種。在電子電路設(shè)計(jì)中,場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是作為放大
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:31 ?5270次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法

    于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要作用是放大和開(kāi)關(guān)信號(hào)。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞直接影響到電子設(shè)備的性能和穩(wěn)定性,因此對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行測(cè)量是非常重要的。本文將介紹場(chǎng)效應(yīng)管好壞的
    的頭像 發(fā)表于 12-28 14:53 ?3502次閱讀