格創(chuàng)東智受邀出席封測(cè)年會(huì)，共話先進(jìn)封裝CIM國產(chǎn)方案

近日，作為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的第二十二屆中國半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)-第六屆無錫太湖創(chuàng)芯論壇，在江蘇無錫順利召開，會(huì)議圍爐共話先進(jìn)封裝技術(shù)、工藝、設(shè)備、關(guān)鍵材料、創(chuàng)新與投資等熱點(diǎn)話題，為觀眾帶來一次思想盛宴。9月25日下午，格創(chuàng)東智半導(dǎo)體事業(yè)部封測(cè)行業(yè)專家楊帆受邀出席先進(jìn)封裝和測(cè)試技術(shù)專題論壇，并發(fā)表《國產(chǎn)CIM助力先進(jìn)封裝迎接挑戰(zhàn)與機(jī)遇》主旨演講，為行業(yè)貢獻(xiàn)先進(jìn)封裝CIM國產(chǎn)方案。

業(yè)內(nèi)周知，半導(dǎo)體芯片成品會(huì)經(jīng)過“前道”晶圓制造和“后道”封測(cè)兩大工序。近年來，在AI、HPC等需求驅(qū)動(dòng)下，先進(jìn)封裝應(yīng)運(yùn)而生，通過高密度封裝，滿足引腳數(shù)量較多、芯片系統(tǒng)較小和高集成化的芯片封測(cè)需求，既大幅提升芯片性能，又大幅降低晶圓制造的門檻與成本。與傳統(tǒng)的后道封裝測(cè)試工藝不同，先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，形成獨(dú)特的“中道”工藝。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年，中國先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)千億級(jí)別，市占率也將首次突破50%，超過傳統(tǒng)封裝。

對(duì)此，作為深耕泛半導(dǎo)體行業(yè)的工業(yè)智能解決方案提供商，格創(chuàng)東智早已提前布局。為滿足先進(jìn)封裝“中道工藝”的特殊管理要求，格創(chuàng)東智在后道G-MES1.0、前道G-MES2.0基礎(chǔ)上自主研發(fā)推出G-MES 3.0：不僅與G-MES 1.0&2.0共用數(shù)據(jù)底座（共同的底座可實(shí)現(xiàn)不同版本的升級(jí)擴(kuò)展），還在功能上增加大量先進(jìn)封裝特殊需求。此外，G-MES 3.0在數(shù)據(jù)整合、數(shù)據(jù)共享方面也有不俗表現(xiàn)，可串聯(lián)多邊系統(tǒng)，有效整合與共享多元數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)多系統(tǒng)化零為整、客制化功能拓展等?；谝陨闲录夹g(shù)研發(fā)，格創(chuàng)東智可為先進(jìn)封裝客戶量身打造一整套G-CIM整體解決方案。

在具體應(yīng)用上，楊帆進(jìn)一步介紹道，該解決方案具有靈活的建模方式，支持小批量試產(chǎn)；支持多維度監(jiān)控設(shè)備CMK，能夠?qū)υO(shè)備能力偏差即時(shí)告警；通過Smart Bond減少Wafer bond浪費(fèi)；針對(duì)部分先進(jìn)封裝客戶，采用全流程垂直產(chǎn)業(yè)鏈時(shí)遇到的工藝鏈條長、品質(zhì)改善繁雜的問題，格創(chuàng)東智可提供從產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、品質(zhì)改善到售后的全流程品質(zhì)管理體系建設(shè)服務(wù)。

翻看格創(chuàng)東智過往半導(dǎo)體領(lǐng)域服務(wù)成績(jī)單，已成功幫助數(shù)十個(gè)半導(dǎo)體客戶完成軟硬件項(xiàng)目交付，做到0延期，0爛尾，交付成功率100% 。這一能力的底氣來自公司雄厚的人才積累和研發(fā)投入。截止目前，格創(chuàng)東智半導(dǎo)體BG已涵蓋國內(nèi)外多個(gè)半導(dǎo)體頭部企業(yè)行業(yè)專家，400+半導(dǎo)體專屬人才隊(duì)伍和500+資源池支撐，相關(guān)研發(fā)占比50%以上。

未來，格創(chuàng)東智將繼續(xù)專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈工業(yè)智能解決方案研發(fā)創(chuàng)新，對(duì)標(biāo)國際頭部廠商，持續(xù)完善產(chǎn)品體系，加速場(chǎng)景智能，站上半導(dǎo)體CIM國產(chǎn)第一梯隊(duì)。

審核編輯 黃宇