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SENSOR 720P/1080P靜電保護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-09-27 15:41 ? 次閱讀

SENSOR 720P/1080P靜電保護方案

方案簡介

SENSOR 720P/1080P,即高清傳感器,是攝像機的核心部件,負責將光信號轉換成電信號,以便進行后續(xù)的處理和存儲,廣泛應用于安防監(jiān)控和行車記錄儀領域。Sensor的分辨率是一個重要的參數(shù),它決定了攝像機能夠捕捉到的圖像細節(jié)程度,720p Sensor的分辨率為1280x720像素,1080p,也稱為Full HD(全高清),其分辨率為1920x1080像素。這些傳感器中的攝像頭線路通常采用并聯(lián)方式連接至地線,以確保信號的穩(wěn)定性和安全性。

靜電可能通過直接接觸或間接感應的方式進入傳感器,導致內部電路短路或損壞。所以芯片端口部分設計時應充分考慮對傳感器的靜電保護,以防止因過電、過流等異常情況對芯片造成損害,確保在各種環(huán)境下都能穩(wěn)定可靠地工作。靜芯微系列產品可以充分滿足客戶的設計要求。

應用示例

1. SENSOR 720P

對于SENSOR 720P的靜電防護,我們推薦采用集成式和分立式兩種ESD保護方案。分立器件減少了生產成本,集成式器件的流通式封裝設計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續(xù)性,促進了信號完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性的提升??蛻艨筛鶕?jù)實際情況進行選擇。

方案一:

wKgZomb2YZGAWOkiAAAqFS_lZE8120.png

方案一中我們采用四引腳集成式ESD保護器件,型號為SELC143T5V2UB, 工作電壓為5V,鉗位電壓為13V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和±15kV(接觸)下提供瞬變保護。

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 電容(pF) 封裝
SELC143T5V2UB Uni. 5 5 13 0.6/0.3 SOT-143

方案二:

wKgaomb2YZGAaSKZAAAnmdKfMDI818.png

方案二中我們使用雙向單通道分立式ESD保護器件分別保護電源、時鐘和數(shù)據(jù)三條通道,推薦的器件型號如下表所示。

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SELC3D5V1BC Bi 5 6 12 1 SOD323
SENC5D5V1BA Bi 5 8 8.5 15 SOD523
SENC2F5V1B Bi 5 4.5 15 3.5 DFN1006-2L
SENC2X5V1BA Bi 5 10 10 12 DFN0603-2L

2. SENSOR 1080P

方案一:

wKgZomb2YZKAC4SLAABY3VaCZj0737.png

方案一中我們采用十引腳集成式ESD保護器件,型號為SEUC10F5V4UB, 工作電壓為5V,鉗位電壓為12V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和±20kV(接觸)下提供瞬變保護。

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SEUC10F5V4UB Uni. 5 3 12 0.4/0.2 DFN2510-10L

方案二:

wKgaomb2YZKAN5soAABhBU9NPRE582.png

方案二中我們使用雙向單通道分立式ESD保護器件分別保護12路通道,推薦的器件型號如下表所示。

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SELC2F3V1B Bi 3.3 4 18 0.3 DFN1006-2L
SELC2X5V1B Bi 5 4 20 0.3 SOD523

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=5A; tp=8/20us 13.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to I/O pin
0.3 0.4 pF
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to GND
0.6 0.8 pF

表1 SELC143T5V2UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 7.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5.0V 1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 8.5 V
Clamping Voltage VC IPP=6A; tp=8/20us 12 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 1 pF

表2 SELC3D5V1BC電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.8 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 7.0 8.0 V
Clamping Voltage VC IPP=8A; tp=8/20us 8.5 10.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to I/O; VR=0V; f=1MHz 15 20 pF

表3 SENC5D5V1BA電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 15.0 18.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 3.5 5.0 pF

表4 SENC2F5V1B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.6 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 8.0 10.0 V
Clamping Voltage VC IPP=10A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 12 20 pF

表5 SENC2X5V1BA電氣特性表

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 6.0 7.5 8.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=3A; TP=8/20us 12.0 15.0
Junction capacitance CJ I/O pins to ground;
VR=0V; f = 1MHz
0.4 0.5 pF
Between I/O pins;
VR=0V; f = 1MHz
0.2 0.25

表6 SEUC10F5V4UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 4.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4A; tp=8/20us 16.0 20.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表7 SELC2F3V1B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 11.0 14.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4A; tp=8/20us 20.0 24.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.3 0.4 pF

表8 SELC2X5V1B電氣特性表

總結與結論

隨著科技的不斷發(fā)展,高清化已成為電子產品的重要發(fā)展趨勢。SENSOR 720p/1080p作為高清顯示的關鍵部件,保護其免受ESD靜電損害對于系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關重要。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種等級電容的ESD和TVS保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務,為各種接口通信線路提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護SENSOR 720p/1080p免受靜電干擾的優(yōu)選之策,確保高清顯示系統(tǒng)的有序與穩(wěn)定。

審核編輯 黃宇

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