0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

二氧化硅薄膜實現(xiàn)增透的原因

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-27 10:22 ? 次閱讀

二氧化硅薄膜實現(xiàn)增透的原因主要涉及以下幾個方面:

1. 折射率匹配

  • 折射率特性 :二氧化硅(SiO?)的折射率相對較低,這使得它能夠作為一層有效的增透膜(或稱為減反射膜)。當(dāng)光線從一種介質(zhì)進(jìn)入另一種介質(zhì)時,會在界面上發(fā)生反射和折射。如果增透膜的折射率介于基底(如玻璃)和空氣之間,它可以有效地減少光線在界面上的反射,使更多的光線進(jìn)入基底并被吸收或透射。
  • 能量守恒 :根據(jù)能量守恒定律,反射光與透射光的能量之和為入射光的能量。因此,當(dāng)光學(xué)薄膜的反射減少時,光的透射就會增加。

2. 薄膜厚度控制

  • 納米級厚度 :納米級厚度的二氧化硅薄膜由于其極小的厚度,材料吸收造成的損耗極少,因此可以更有效地減少光的反射。
  • 均勻性 :薄膜厚度的均勻性對于實現(xiàn)增透效果至關(guān)重要。如果薄膜厚度不均勻,會導(dǎo)致光的反射和透射特性在不同區(qū)域出現(xiàn)差異,從而影響整體的增透效果。

3. 孔隙結(jié)構(gòu)

  • 多孔結(jié)構(gòu) :部分二氧化硅薄膜具有多孔結(jié)構(gòu),這些孔隙可以降低薄膜的折射率,進(jìn)一步減少光的反射。同時,孔隙結(jié)構(gòu)還可以提高薄膜的表面積,有助于吸附和固定其他功能材料。
  • 環(huán)境穩(wěn)定性 :為了提高多孔膜的環(huán)境穩(wěn)定性,有時會采用氟硅烷等改性劑對薄膜進(jìn)行改性處理,以防止其吸附環(huán)境中的污染物而導(dǎo)致透過率下降。

4. 鍍膜工藝

  • 制備方法 :二氧化硅薄膜的制備方法多種多樣,包括物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、溶膠凝膠法等。不同的制備方法會影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能,進(jìn)而影響其增透效果。
  • 工藝優(yōu)化 :通過優(yōu)化鍍膜工藝參數(shù)(如蒸發(fā)速度、蒸發(fā)溫度、裝量控制等),可以控制薄膜的厚度、均勻性和折射率等特性,從而實現(xiàn)更好的增透效果。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 二氧化硅薄膜由于其優(yōu)異的增透性能,被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、光學(xué)儀器、顯示器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,增透膜能夠有效地提高光能利用效率、改善視覺效果等。

綜上所述,二氧化硅薄膜實現(xiàn)增透的原因主要包括折射率匹配、薄膜厚度控制、孔隙結(jié)構(gòu)、鍍膜工藝以及應(yīng)用領(lǐng)域的需求等多個方面。這些因素共同作用,使得二氧化硅薄膜成為一種重要的光學(xué)薄膜材料。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 參數(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1835

    瀏覽量

    32227
  • 能量守恒定律
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    11

    瀏覽量

    5980
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    PECVD工藝參數(shù)對二氧化硅薄膜致密性的影響

    背景二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蝕性、耐潮濕性和介電性能強等優(yōu)點,因此二氧化硅薄膜在半導(dǎo)體行業(yè)中可以用作器件的保護(hù)層、鈍化層、隔離層等。 PECVD即等離子體增強化學(xué)的氣相沉積法是借助
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:07 ?1.1w次閱讀

    二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

    關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷;氫氟酸;蝕刻條件;蝕刻速率;機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結(jié)果表明,在室溫下,非晶相的腐蝕速率是純堇青石晶體的218
    發(fā)表于 01-04 14:39 ?2259次閱讀
    <b class='flag-5'>二氧化硅</b>玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

    二氧化碳傳感器

    二氧化碳傳感器通常是利用紅外輻射的方式進(jìn)行測量。由于二氧化碳對2.7、4.35和14.5波段處紅外線有強烈的吸收,并且考慮到2.7和14.5兩個吸收帶都易受到水汽吸收的影響,因此通常選擇4.35處
    發(fā)表于 09-14 22:32

    二氧化鈦白色和黑色的區(qū)別

    易蒸發(fā),但是需要充氧,因為二氧化鈦在真空中加熱蒸發(fā)時會分解失氧,形成高吸收的鈦的亞氧化薄膜。因此,在鍍制過程中需要給其充加氧氣。TiO2用于防反膜,分光膜,冷光膜,濾光片,高反膜,眼鏡膜,熱反射鏡等
    發(fā)表于 11-20 10:03

    通過基于需求的性能控制實現(xiàn)二氧化碳減排

    可能無法實現(xiàn)他們自行制定的2008 年140g/km的二氧化碳排放目標(biāo)(相差約20g/km)的消息傳開后,消費者和政策制定者要求他們降低油耗的壓力與日俱。歐盟委員會已經(jīng)明確表示不會在汽車二氧
    發(fā)表于 12-07 10:15

    二氧化碳致裂器

    ,因此,二氧化碳技術(shù)是瓦絲治理領(lǐng)域的一項關(guān)鍵技術(shù),實現(xiàn)了低透氣煤層瓦絲的有效抽采,增強了瓦絲資源利用的技術(shù)保障。但目前現(xiàn)有的二氧化碳開采器存在許多應(yīng)用上的問題,例如二氧化碳的爆破強度不
    發(fā)表于 07-25 07:52

    石灰石二氧化硅化驗儀器設(shè)備系列

    `石灰石二氧化硅化驗儀器設(shè)備系列 石灰石二氧化硅化驗儀器設(shè)備系列 英特儀器測試石灰石硅含量儀器,檢測石英砂二氧化硅的設(shè)備,化驗石灰石二氧化硅的設(shè)備,石英砂硅鐵檢測儀,化驗石灰石硅設(shè)備英
    發(fā)表于 03-11 11:24

    二氧化硫檢測儀原理_二氧化硫檢測儀的特點_二氧化硫檢測儀選型注意事項

    二氧化硫檢測儀按照結(jié)構(gòu)來分可以分為:手持式二氧化硫檢測儀,固定式二氧化硫檢測儀,二氧化硫變送器(也叫二氧化硫探頭),
    發(fā)表于 12-12 17:51 ?2658次閱讀

    二氧化硅層在芯片中有何作用

    二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料
    的頭像 發(fā)表于 12-21 15:30 ?1.2w次閱讀

    用磷酸揭示氮化硅二氧化硅的選擇性蝕刻機理

    關(guān)鍵詞:氮化硅,二氧化硅,磷酸,選擇性蝕刻,密度泛函理論,焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度,我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無漏
    發(fā)表于 12-28 16:38 ?6991次閱讀
    用磷酸揭示氮<b class='flag-5'>化硅</b>對<b class='flag-5'>二氧化硅</b>的選擇性蝕刻機理

    化硅二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

    磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4,同時保持二氧化硅損失最小。批量晶片
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:25 ?3243次閱讀
    碳<b class='flag-5'>化硅</b>和<b class='flag-5'>二氧化硅</b>之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

    二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報告

    緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風(fēng)險,建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前,請仔
    發(fā)表于 03-10 16:43 ?1026次閱讀
    <b class='flag-5'>二氧化硅</b>蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報告

    在超臨界二氧化碳中蝕刻氧化硅薄膜

    介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨立式結(jié)構(gòu),例如微機電系統(tǒng)(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統(tǒng)的含水HF已經(jīng)廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層,因為它成本低廉。然而,當(dāng)具有高縱橫比的結(jié)構(gòu)在含水
    的頭像 發(fā)表于 05-23 17:01 ?1201次閱讀
    在超臨界<b class='flag-5'>二氧化</b>碳中蝕刻<b class='flag-5'>氧化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b>

    半導(dǎo)體材料是什么 半導(dǎo)體材料是硅還是二氧化硅

    (Si)、二氧化硅(SiO2)、鍺(Ge)等。其中,硅是最為常見和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一,它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機械性能,因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:46 ?4673次閱讀

    鍍膜使用二氧化硅的作用

    1. 引言 鍍膜技術(shù)是一種在基材表面形成薄膜的技術(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電子、機械、建筑等領(lǐng)域。二氧化硅作為一種常見的無機材料,因其良好的光學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性和機械強度,在鍍膜技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-27 10:10 ?546次閱讀