莫大康匯編：火紅的2017全球半導(dǎo)體|求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟

01半導(dǎo)體

全球半導(dǎo)體銷售額經(jīng)歷了2000年時(shí)2000億美元，2010年3000億美元的臺(tái)階之后，2017年可能站上4000億美元。

據(jù)SIA于2017年3月的統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體業(yè)于2010-2016年間的年均增長率(CAGR)小於2.5%。

不容懷疑導(dǎo)致今年全球半導(dǎo)體業(yè)火紅的最主要因素是趕上存儲(chǔ)器價(jià)格的暴漲，三季度結(jié)束時(shí)，IC Insights在最新報(bào)告中預(yù)測(cè)2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將增長20%，而Gartner于10月16日預(yù)測(cè)，2017年半導(dǎo)體的銷售額將增長19.7%，將達(dá)到4110億美元。

IC Insight于今年3月曾預(yù)測(cè)2017全球半導(dǎo)體業(yè)增長11%，而至10月時(shí)修正為增長22%。對(duì)于IC出貨量(unit)在年中時(shí)曾預(yù)測(cè)增長11%，而10月時(shí)修正為14%。

IC Insight預(yù)測(cè)2017年DRAM的平均銷售價(jià)格(ASP)增長77%，導(dǎo)致今年DRAM銷售額增長74%，這是自1994年增長78%以來的最高值。而對(duì)于NAND閃存，它的ASP增長38%，導(dǎo)致2017年銷售額增長44%。預(yù)計(jì)全球存儲(chǔ)器增長58%，以及2018年再增長11%。

IC Insights 預(yù)估，2017年DRAM 市場(chǎng)銷售額將達(dá)720 億美元，成為今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最大產(chǎn)品，大幅超越FLASH 市場(chǎng)498 億美元約220 億美元。由于今年存儲(chǔ)器的成長率強(qiáng)勁，2017年半導(dǎo)體銷售額增長22 %，其中存儲(chǔ)器便占13 個(gè)百分點(diǎn)，如果扣除DRAM 與FLASH的增長率，2017年半導(dǎo)體銷售額僅成長9%，明顯不足整體銷售額成長率22% 的一半。

據(jù)SIA的 2015年資料，全球IC的平均銷售價(jià)格(ASP)由1995年的0.65美元，到2015年時(shí)己下降到約0.45美元，中間雖有起伏，但是總的趨勢(shì)是下降的。所以此次存儲(chǔ)器價(jià)格的暴漲有它的偶然性方面。

02代工Foundry

自半導(dǎo)體工藝制程進(jìn)入28納米之后，產(chǎn)業(yè)發(fā)生了一個(gè)根本性的轉(zhuǎn)變。也即尺寸縮小來推動(dòng)產(chǎn)業(yè)呈定律模式的進(jìn)步開始遲緩，導(dǎo)致眾多頂級(jí)IDM廠開始擁抱代工，而不再繼續(xù)大幅度的投資跟蹤定律。

在此轉(zhuǎn)換時(shí)刻，全球代工業(yè)得到迅速的增長，讓臺(tái)積電獲得更大的收益。業(yè)界認(rèn)為，除了有素質(zhì)高、優(yōu)秀的人才，及獨(dú)特的代工服務(wù)模式之外，它的業(yè)務(wù)專注應(yīng)是臺(tái)積電成功的一大關(guān)鍵。

不少企業(yè)隨著規(guī)模擴(kuò)大，往往會(huì)從事延伸的投資，臺(tái)積電則是始終專注晶圓代工本業(yè)。

臺(tái)積電在它的今年Q3法說上認(rèn)為行動(dòng)裝置、AI人工智能、智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，將是未來十年支撐臺(tái)積電持續(xù)穩(wěn)坐晶園代工龍頭的四根大柱。

據(jù)Digitimes Research的研究，在2017年至2022年期間，因智能手機(jī)搭載IC數(shù)量增加與對(duì)先進(jìn)制程需求提升，加上包括IoT、AR/VR、汽車電子、高效能電算市場(chǎng)都有機(jī)會(huì)在未來5年進(jìn)入成長期，預(yù)測(cè)2017年全球代工增長6%，達(dá)到557億美元，而至2022年時(shí)將達(dá)746.6億美元，2017年至2022年復(fù)合成長率(CAGR)將為6%。2017年臺(tái)積電預(yù)估增長7%, 及它的市占率達(dá)56%。

由于全球代工獲利豐厚，而幾乎由臺(tái)積電獨(dú)享，導(dǎo)致三星，英特爾等眼紅，紛紛涉足代工，而且聲勢(shì)都很高，所以全球代工，尤其是高端代工大戰(zhàn)在即。

然而張忠謀認(rèn)為三星和英特爾兩家各自有長處，也各自有缺點(diǎn)，三星的長處是非常有決心、非常有毅力，一旦決定要做什么事，最高階層決定后，整個(gè)公司是拼命執(zhí)行，這是很了不起的一個(gè)組織，高階一旦決定下令，全體就會(huì)凝聚在一起把目標(biāo)達(dá)成，三星已經(jīng)證明很多次了。

英特爾的長處是有很豐厚的技術(shù)及經(jīng)營基礎(chǔ)，好幾十年來都是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一名，英特爾最大的缺點(diǎn)是在Foundry產(chǎn)業(yè)沒有經(jīng)驗(yàn)，因?yàn)檫@個(gè)行業(yè)的企業(yè)文化是很重要的，F(xiàn)oundry是「服務(wù)」的企業(yè)文化，意即是服務(wù)別的公司，但英特爾的技術(shù)部門長期以來都是服務(wù)自己，這與真正的Foundry文化是徹底不同的。

03編后記

產(chǎn)業(yè)周期性下降不可避免

由于供需關(guān)系的不斷改變，只能是動(dòng)態(tài)平衡，估計(jì)未來半導(dǎo)體業(yè)的周期性下降不可避免，差別在于峰谷值的大小。未來有三個(gè)方面因素：首先是此次由于存儲(chǔ)器的平均售價(jià)大漲，導(dǎo)致三星、美光等利益豐厚，必然招致產(chǎn)能擴(kuò)充過剩，再加上中國還有三家存儲(chǔ)器新進(jìn)者的加入。業(yè)界普遍預(yù)測(cè)存儲(chǔ)器的價(jià)格持續(xù)上升可能性并不大，會(huì)受到終端電子產(chǎn)品的報(bào)復(fù)，所以預(yù)測(cè)在2019年時(shí)可能會(huì)進(jìn)入下降時(shí)段。另一個(gè)因素是新興技術(shù)，包括如EUV光刻設(shè)備導(dǎo)入，2D NAND轉(zhuǎn)為3D NAND及DRAM的堆疊技術(shù)，以及工藝制程進(jìn)入5納米與以下等都有相當(dāng)大的技術(shù)壁壘，推進(jìn)速度一定比預(yù)期的緩慢。最后一個(gè)關(guān)鍵因素，終端電子產(chǎn)品不可能再找到如手機(jī)那樣，單一品種，數(shù)量達(dá)10億個(gè)以上，未來的物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、及自動(dòng)駕駛等產(chǎn)品市場(chǎng)都較為分散，或者如汽車電子，對(duì)于可靠性要求 極高，以及產(chǎn)品的認(rèn)證周期很長。

另外，據(jù)預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體業(yè)在2016 to 2021年期間的年均增長率(CAGR)為4-5%，高于同期的GDP。

中國半導(dǎo)體業(yè)的投資速率會(huì)比預(yù)期緩慢

據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，近期中國半導(dǎo)體業(yè)至少有15個(gè)fab新建項(xiàng)目，至2018年時(shí)有可能半導(dǎo) 體投資達(dá)到120億美元，居全球的前列。但是相信未來中國半導(dǎo)體投資的變數(shù)多，決定于先進(jìn)工藝制程及存儲(chǔ)器產(chǎn)品的突破進(jìn)程，從大概率的分析，由于受先進(jìn)工藝制程技術(shù)的限制，產(chǎn)能的爬坡速率不會(huì)太快，即“有效的產(chǎn)能”(能真正產(chǎn)生銷售額的產(chǎn)能)暫時(shí)不可能太大，所以估計(jì)2019年，甚至2020年的投資速率會(huì)比預(yù)期緩慢，金額會(huì)比預(yù)測(cè)值小些，能達(dá)到50-70%，已是相當(dāng)?shù)牟诲e(cuò)。

莫大康：浙江大學(xué)校友，求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評(píng)論家。