0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

EEPROM的擦除過程

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-05 10:54 ? 次閱讀

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的擦除過程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作的復(fù)雜過程,旨在清除EEPROM內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),以便重新編程。

一、EEPROM擦除原理

EEPROM的每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)浮柵晶體管構(gòu)成,其中浮柵上的電荷代表存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的寫入是通過向浮柵中注入或移除電荷來實(shí)現(xiàn)的,而擦除則是將所有浮柵中的電荷全部清除。這一物理過程使得EEPROM具有非易失性,即斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。

二、EEPROM擦除方式

EEPROM的擦除操作主要有兩種方式:字節(jié)擦除和塊擦除。

  1. 字節(jié)擦除
    • 在某些EEPROM中,支持對(duì)單個(gè)字節(jié)進(jìn)行擦除操作。這種操作通常通過將字節(jié)的地址發(fā)送給EEPROM,然后執(zhí)行擦除命令來實(shí)現(xiàn)。
    • 字節(jié)擦除的具體實(shí)現(xiàn)依賴于EEPROM的硬件設(shè)計(jì)和編程接口。在某些單片機(jī)內(nèi)部集成的EEPROM中,可能需要通過特定的寄存器操作和指令序列來完成字節(jié)擦除。
  2. 塊擦除
    • 大多數(shù)EEPROM支持塊擦除,即將存儲(chǔ)器劃分為多個(gè)塊,每個(gè)塊可以獨(dú)立擦除。塊的大小可以從256字節(jié)到64KB不等,具體取決于EEPROM的型號(hào)。
    • 塊擦除通常比字節(jié)擦除更快,因?yàn)樗试S同時(shí)清除多個(gè)存儲(chǔ)單元。然而,這也意味著在塊擦除時(shí),塊內(nèi)的所有數(shù)據(jù)都將被清除,因此需要謹(jǐn)慎操作以避免不必要的數(shù)據(jù)丟失。

三、EEPROM擦除步驟

無論是字節(jié)擦除還是塊擦除,EEPROM的擦除過程通常包括以下步驟:

  1. 準(zhǔn)備階段
    • 確保EEPROM處于可擦除狀態(tài)。這可能需要將EEPROM的某個(gè)引腳(如CE,片選引腳)置為低電平以選中EEPROM,并設(shè)置其他必要的控制引腳。
    • 如果是在單片機(jī)內(nèi)部集成的EEPROM,可能需要通過軟件來配置相關(guān)的寄存器,如設(shè)置擦除命令、擦除地址等。
  2. 發(fā)送擦除命令
    • 通過I2C、SPI或其他通信協(xié)議向EEPROM發(fā)送擦除命令。擦除命令的具體格式和序列取決于EEPROM的型號(hào)和制造商。
    • 在發(fā)送擦除命令時(shí),需要指定擦除的類型(字節(jié)擦除或塊擦除)以及要擦除的地址(對(duì)于塊擦除,是塊的起始地址)。
  3. 執(zhí)行擦除操作
    • EEPROM在接收到正確的擦除命令和地址后,會(huì)開始執(zhí)行擦除操作。擦除過程可能需要一定的時(shí)間,具體取決于EEPROM的型號(hào)和擦除區(qū)域的大小。
    • 在擦除過程中,EEPROM通常會(huì)停止響應(yīng)其他命令,直到擦除操作完成。
  4. 驗(yàn)證擦除結(jié)果
    • 擦除操作完成后,需要通過讀取操作來驗(yàn)證擦除結(jié)果。這通常涉及讀取被擦除區(qū)域的數(shù)據(jù),并檢查是否所有位都已被清除為“1”(對(duì)于EEPROM來說,擦除后的數(shù)據(jù)通常為全1)。
    • 如果發(fā)現(xiàn)擦除不完全或數(shù)據(jù)有誤,可能需要重新執(zhí)行擦除操作或采取其他補(bǔ)救措施。

四、EEPROM擦除的注意事項(xiàng)

  1. 數(shù)據(jù)安全
    • 在執(zhí)行擦除操作前,務(wù)必確保已備份重要數(shù)據(jù),以防誤操作導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
    • 考慮到EEPROM的擦寫次數(shù)限制(通常在10,000至100,000次之間),應(yīng)避免不必要的擦除操作以延長(zhǎng)EEPROM的使用壽命。
  2. 硬件限制
    • 不同的EEPROM型號(hào)在擦除操作上有不同的限制和要求。因此,在執(zhí)行擦除操作前,應(yīng)仔細(xì)閱讀EEPROM的數(shù)據(jù)手冊(cè)以了解其特性和限制。
    • 某些EEPROM可能具有特定的保護(hù)機(jī)制(如寫保護(hù)引腳、密碼保護(hù)等),以防止未經(jīng)授權(quán)的擦除操作。在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮這些保護(hù)機(jī)制以避免數(shù)據(jù)泄露或損壞。
  3. 軟件實(shí)現(xiàn)
    • 對(duì)于軟件擦除,開發(fā)者通常會(huì)使用C、C++、Python等編程語(yǔ)言,并利用相關(guān)的庫(kù)函數(shù)(如I2C、SPI等通信協(xié)議庫(kù))與EEPROM交互。
    • 在編寫擦除程序時(shí),需要確保程序邏輯正確、錯(cuò)誤處理完善,并能夠應(yīng)對(duì)各種異常情況(如通信失敗、EEPROM損壞等)。

五、EEPROM擦除的未來發(fā)展

隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求也在不斷增長(zhǎng)。EEPROM作為一種靈活、可靠的存儲(chǔ)解決方案,其發(fā)展前景廣闊。未來,EEPROM的擦除技術(shù)可能會(huì)朝著以下幾個(gè)方向發(fā)展:

  1. 提高擦寫次數(shù)
    • 通過改進(jìn)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)和材料,提高EEPROM的擦寫次數(shù)以延長(zhǎng)使用壽命。
  2. 提高速度
    • 通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì)算法,提高EEPROM的讀寫速度以適應(yīng)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/li>
  3. 降低成本
    • 通過技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)?;a(chǎn)降低EEPROM的成本,使其在更多應(yīng)用場(chǎng)景中得到廣泛應(yīng)用。
  4. 增強(qiáng)安全性
    • 提供更高級(jí)別的數(shù)據(jù)加密和訪問控制功能以增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性。

綜上所述,EEPROM的擦除過程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作的復(fù)雜過程。理解其工作原理、遵循正確的操作步驟和注意事項(xiàng)是確保擦除操作成功和數(shù)據(jù)安全的關(guān)鍵。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,EEPROM的性能和應(yīng)用范圍將不斷擴(kuò)大,為各種應(yīng)用提供更加可靠和高效的存儲(chǔ)解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)單元
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    63

    瀏覽量

    16156
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9698

    瀏覽量

    138259
  • EEPROM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    1020

    瀏覽量

    81641
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    如何使用Flash模擬EEPROM存儲(chǔ)參數(shù)

    編程和電擦除,而且大多數(shù)的EEPROM可以被編程和電擦除,大多數(shù)串行EEPROM允許逐字節(jié)程序或擦除操作。與
    的頭像 發(fā)表于 09-22 08:19 ?1687次閱讀
    如何使用Flash模擬<b class='flag-5'>EEPROM</b>存儲(chǔ)參數(shù)

    XMC4200的EEPROM仿真時(shí),EEPROM數(shù)據(jù)都被擦除了的原因?

    字節(jié)的內(nèi)存。讀寫操作進(jìn)展順利,沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。 當(dāng)微控制器開啟時(shí),所有EEPROM數(shù)據(jù)都被擦除了,所有數(shù)據(jù)都為零。 這在之前的 POWER_DRILL2GO 上 POWER_DRILL2GO 下行
    發(fā)表于 01-18 09:25

    STM8會(huì)擦除內(nèi)部EEPROM

    大家好! ST視覺開發(fā) Raisonance調(diào)試器 宇宙編譯器 以下問題: 每次調(diào)試器寫入新內(nèi)容時(shí),似乎都會(huì)擦除內(nèi)部EEPROM 軟件進(jìn)入控制器。是否可以告訴調(diào)試器不要擦除EEPROM
    發(fā)表于 11-01 14:15

    超級(jí)時(shí)序控制器的EEPROM擦除和編程

    Enrico Del Mastro、Michael Bradley本應(yīng)用筆記介紹如何擦除超級(jí)時(shí)序控制器的EEPROM空間,以及如何逐字節(jié)地寫入該空間。成塊擦除EEPROM空間欲對(duì)
    發(fā)表于 11-01 11:36

    PIC的程序存儲(chǔ)器與EEPROM的區(qū)別在哪

    擦除(叫塊擦除更準(zhǔn)確吧,原文是BLOCK),舉例說明:比如你用的FLASH的BLOCK是512個(gè)字節(jié)(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除過(所有位寫“1”)的BLOCK才能重新寫入,意思就是只能從“1”寫到“0”,如果要
    發(fā)表于 11-24 08:12

    ESP32--FreeRTOS任務(wù)的創(chuàng)建與刪除過程是怎樣的?

    ESP32--FreeRTOS任務(wù)的創(chuàng)建與刪除過程是怎樣的?
    發(fā)表于 01-14 06:02

    CH573程序會(huì)在Flash擦除過程中卡死如何處理?

    ,EEPROM_PAGE_SIZE);//擦除計(jì)算采集次數(shù)以及時(shí)間偏差數(shù)據(jù)PRINT("here3!\n");只能打印出here2! EEPROM_PAGE_SIZE的大小定義的是256若新建工程單獨(dú)運(yùn)行這個(gè)程序就沒有問題
    發(fā)表于 05-19 06:12

    請(qǐng)問s32k1中eeprom擦除時(shí)間是多少?

    s32k1中eeprom擦除時(shí)間是多少?
    發(fā)表于 04-10 06:16

    stm8的eeprom可以字節(jié)擦除嗎?

    請(qǐng)問下stm8可以單個(gè)字節(jié)重新寫數(shù)據(jù)嗎,還是要一個(gè)扇區(qū)擦除后在寫,是eeprom區(qū)域,還有flash區(qū)域可以當(dāng)做eeprom
    發(fā)表于 09-25 06:43

    ADM106x EEPROM的塊擦除、塊讀取和塊寫入

    本應(yīng)用筆記說明如何對(duì)ADM106x EEPROM空間的單一頁(yè)面(32字節(jié))進(jìn)行塊擦除、塊寫入和塊讀取。本文中為便于說明,假設(shè)需擦除、寫入和讀取的EEPROM范圍為0xF8;0x00至0
    發(fā)表于 09-01 15:48 ?50次下載

    成塊擦除EEPROM空間的步驟及超級(jí)時(shí)序控制器的EEPROM編程方法

    線測(cè)試(ICT)過程中使該位保持 置位狀態(tài)。 2. 擦除或訪問0xFA00到0xFBFF地址范圍的EEPROM時(shí),首 先必須中止時(shí)序控制引擎。將0x01寫入SECTRL寄存器 0x93以中止時(shí)序控制
    發(fā)表于 09-12 16:44 ?14次下載

    【RT-Thread學(xué)習(xí)筆記】GCC鏈接報(bào)錯(cuò)的排除過程分享

    【RT-Thread學(xué)習(xí)筆記】GCC鏈接報(bào)錯(cuò)的排除過程分享,一個(gè)意想不到的問題。
    的頭像 發(fā)表于 07-30 15:08 ?1116次閱讀
    【RT-Thread學(xué)習(xí)筆記】GCC鏈接報(bào)錯(cuò)的排<b class='flag-5'>除過程</b>分享

    玩轉(zhuǎn)EEPROM——全面指南

    玩轉(zhuǎn)EEPROM——全面指南 EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)配置參數(shù)和少量數(shù)據(jù)的場(chǎng)景。本文將帶您深入了解EEPROM的基礎(chǔ)知
    的頭像 發(fā)表于 07-01 09:36 ?2604次閱讀
    玩轉(zhuǎn)<b class='flag-5'>EEPROM</b>——全面指南

    EEPROM存儲(chǔ)器可以擦除指定區(qū)域嗎?

    。與普通的ROM(Read-Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)相比,EEPROM允許用戶在不移除芯片的情況下對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行編程和擦除操作,因此具有很高的靈活性。 EEPROM的基本原理 EEP
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:10 ?789次閱讀

    ROM芯片如何寫入和擦除

    PROM。紫外線照射是一種常見的方法,它通過改變PROM中的熔絲結(jié)構(gòu)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電子方式則是通過編程器發(fā)送特定的電壓和電流信號(hào)來改變PROM中的存儲(chǔ)單元狀態(tài)。 擦除過程 :PROM一旦編程,就無法擦除。如果需要更改數(shù)據(jù),必須更換一個(gè)新的PROM芯片。 2. EPROM(可
    的頭像 發(fā)表于 11-04 10:19 ?818次閱讀