芯片設(shè)計(jì)五部曲之四 | 電磁玄學(xué)宗師——射頻芯片

去年我們發(fā)布的《芯片設(shè)計(jì)五部曲》，還挺受歡迎的：

芯片設(shè)計(jì)五部曲之一 | 聲光魔法師——模擬IC

芯片設(shè)計(jì)五部曲之二 |? 圖靈藝術(shù)家——數(shù)字IC

芯片設(shè)計(jì)五部曲之三 | 戰(zhàn)略規(guī)劃家——算法仿真

不少人輾轉(zhuǎn)問(wèn)過(guò)我們下一集什么時(shí)候出。

放心，我們不鴿。

第四集這不就來(lái)了嘛，雖遲但到！

前幾集我們已經(jīng)分別深入了模擬IC和數(shù)字IC的設(shè)計(jì)過(guò)程，展開(kāi)了解了算法仿真的四大特性，以及結(jié)合EDA工具特性和原理，如何利用計(jì)算機(jī)技術(shù)提高模擬與數(shù)字芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)效率。

就像我們?cè)谀MIC篇講的：射頻芯片作為模擬電路王冠上的明珠，一直被認(rèn)為是芯片設(shè)計(jì)中的“華山之巔”。隱藏在其設(shè)計(jì)過(guò)程中的取舍與權(quán)衡，完全值得單開(kāi)一篇。

射頻芯片不是你想象中的射頻芯片

射頻（Radio Frequency，簡(jiǎn)寫RF），指用于無(wú)線電通信的頻率范圍，對(duì)應(yīng)的電磁波頻率范圍在300kHz～300GHz之間。射頻芯片（RFIC），指能接收或發(fā)射射頻信號(hào)并對(duì)其進(jìn)行處理的集成電路，一般包括功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、濾波器（Filter）、雙工器或多工器（Duplexer或Multiplexer）、開(kāi)關(guān)（Switch）、天線調(diào)諧模塊（ASM）等。

RFIC應(yīng)用領(lǐng)域有：移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)、射頻識(shí)別（RFID）、傳感器等。

射頻電路，是一種特殊類型的模擬電路，是模擬電路在高頻領(lǐng)域的分支。最早的射頻電路是通過(guò)昂貴的分立電路元件搭的，直到CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了把所有器件集成在一片芯片上，提高了系統(tǒng)的集成度與性能，同時(shí)也降低了成本。

摩爾定律發(fā)展到后期，隨著電路和芯片復(fù)雜度提升，高頻下的電磁相互作用對(duì)射頻硬件的干擾開(kāi)始引起了關(guān)注。信號(hào)反射、串?dāng)_和電磁干擾（EMI）以及元件自身的寄生效應(yīng)（也叫寄生參數(shù)效應(yīng)，是指在電路或系統(tǒng)中本來(lái)不希望存在但實(shí)際存在的一些額外參數(shù)或效應(yīng)），會(huì)降低電路性能。

在低頻電子線路或者直流電路中，元器件的特性很一致。

而在高頻影響下，所有的器件都是電阻、電感和電容的組合，存在寄生參數(shù)。

射頻電路中，理想的電阻、電容和電感在實(shí)際中并不存在。

電阻不是電阻、電容不是電容、電感不是電感、導(dǎo)線也不是導(dǎo)線。這些元器件都不是你想象中的元器件，不再只是一個(gè)簡(jiǎn)單、孤立的物理器件，還包括了自身的材料特性、工藝，以及與周圍空間環(huán)境的交互。

頻率越高，影響越大。

以一根導(dǎo)線為例：

同樣一根導(dǎo)線，在射頻領(lǐng)域，導(dǎo)線不能被識(shí)別成導(dǎo)線，存在趨膚效應(yīng)，即在頻率很高的時(shí)候，電流在導(dǎo)線內(nèi)部不是均勻流動(dòng)的，會(huì)集中在導(dǎo)線的表面，中心部分基本沒(méi)有電流通過(guò)。

這是因?yàn)楦哳l電流通過(guò)的時(shí)候，在導(dǎo)線內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生一個(gè)軸向的交變磁場(chǎng)，該交變磁場(chǎng)會(huì)再度產(chǎn)生一個(gè)環(huán)形的徑向交變電場(chǎng)，該電場(chǎng)對(duì)導(dǎo)線外層電流進(jìn)行加強(qiáng)，與內(nèi)層電流相抵消，從而導(dǎo)致導(dǎo)線傳輸電流時(shí)，電流聚集在導(dǎo)線外層，而內(nèi)層“空心化”使得整體效率減低，耗費(fèi)金屬資源。

這時(shí)候，需要根據(jù)不同的頻率去考慮電流在導(dǎo)線里面的分布情況。

因此，射頻芯片的設(shè)計(jì)不能僅僅針對(duì)元器件本身建立數(shù)學(xué)模型，還需要針對(duì)高頻情況下的整個(gè)三維電磁環(huán)境做電磁學(xué)建模仿真。

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電路的集成度和工作頻率不斷提高，如何利用更先進(jìn)的電磁場(chǎng)仿真技術(shù)，精確預(yù)測(cè)和分析寄生參數(shù)對(duì)電路性能的影響，是射頻設(shè)計(jì)工程師們的重要課題之一。

射頻IC設(shè)計(jì) VS 模擬IC設(shè)計(jì)，看起來(lái)只差一步，其實(shí)大不相同

一顆射頻芯片的完整設(shè)計(jì)流程如下：

跟模擬芯片相比，主要是多了電磁仿真這一過(guò)程。

看起來(lái)只多了一小步，但卻是芯片設(shè)計(jì)工程師們的一大步。

1、工程師知識(shí)與能力儲(chǔ)備

射頻工程師和模擬工程師，是從同一根技能樹(shù)上生長(zhǎng)出來(lái)的。

但是，大家都說(shuō)，射頻工程師做模擬沒(méi)問(wèn)題，反過(guò)來(lái)就不行。

為啥？

從知識(shí)儲(chǔ)備角度：

模擬工程師主要學(xué)習(xí)模擬集成電路、信號(hào)系統(tǒng)與高數(shù)/物理相關(guān)知識(shí)。

射頻工程師除了模擬相關(guān)知識(shí)之外，還需要專門學(xué)習(xí)射頻集成電路、電磁場(chǎng)與通信原理等課程。

有人問(wèn)過(guò)射頻芯片界大神——UCLA的Asad.A.Abidi教授一個(gè)問(wèn)題：“Dear Professor, which classes do you think are of the most importance for RF IC research as an undergrad?” 意思是，親愛(ài)的教授，哪門課程對(duì)學(xué)習(xí)RFIC最重要呀？

教授說(shuō)：“All of them. Believe me, all of them.”答案是，每一門。

從經(jīng)驗(yàn)?zāi)芰?lái)說(shuō)：

模擬芯片的設(shè)計(jì)已經(jīng)非常吃經(jīng)驗(yàn)了，射頻芯片在這方面有過(guò)之而無(wú)不及。

射頻IC設(shè)計(jì)與電子元器件關(guān)系緊密，設(shè)計(jì)匹配布局復(fù)雜，需要熟悉大部分的元器件特性及不同的生產(chǎn)制造封裝工藝。因?yàn)樯漕l電路可能會(huì)因附近的外部電路、電場(chǎng)/磁場(chǎng)、溫度、電磁信號(hào)和其他環(huán)境因素的干擾而經(jīng)歷巨大的性能變化，對(duì)所有這些因素的建模與預(yù)測(cè)分析幾乎可以上升為玄學(xué)。

對(duì)工程師來(lái)說(shuō)，不同實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景下的經(jīng)驗(yàn)通用性不強(qiáng)，牽涉性能指標(biāo)多，整體輔助工具少，往往需要挑戰(zhàn)工藝極限。整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中存在對(duì)諸多指標(biāo)的權(quán)衡與取舍，有很大的不確定性，對(duì)設(shè)計(jì)者的經(jīng)驗(yàn)要求極高。

這也是為什么很多射頻IC設(shè)計(jì)公司都是IDM（Integrated Design and Manufacture，垂直整合制造）模式，因?yàn)樾枰喾N不同的生產(chǎn)工藝，與foundry廠的生產(chǎn)鏈各環(huán)節(jié)緊密關(guān)聯(lián)，門檻相當(dāng)高。

2、電路物理模型

從電路物理模型角度，射頻芯片可以說(shuō)是模擬芯片的高階現(xiàn)實(shí)版，模擬芯片算是抽象簡(jiǎn)化版。

模擬芯片屬于集總參數(shù)電路，是一種常用的簡(jiǎn)化電路模型。它將電路中的元件抽象為等效的電阻、電容和電感等參數(shù)，以簡(jiǎn)化的形式描述了復(fù)雜電路的行為，減少了繁瑣的計(jì)算步驟。

歐姆定律和基爾霍夫定律是集總參數(shù)電路的兩個(gè)基本定律，只跟電路的連接方式有關(guān)，與元件的位置無(wú)關(guān)。

模型是關(guān)于時(shí)間的單變量函數(shù)，屬于標(biāo)量計(jì)算（即只有大小，沒(méi)有方向的量）。

適用于描述低頻電路或電路中信號(hào)波長(zhǎng)遠(yuǎn)大于電路尺寸的情況，是麥克斯韋爾方程在低頻電路中的特解。

公式一般長(zhǎng)這樣，看著是能讓人算出來(lái)的樣子：

射頻芯片屬于分布參數(shù)電路，它將元件建模為具有空間分布的電阻、電容和電感。

分布參數(shù)電路考慮了電路中元件在電路中的位置因素，可以更準(zhǔn)確地描述信號(hào)傳輸過(guò)程中的相位、功率損耗等因素；也考慮了電路中各個(gè)導(dǎo)線和元件之間的長(zhǎng)度影響，即電流或信號(hào)在空間上的分布變化。

對(duì)應(yīng)的算法和理論基礎(chǔ)的是麥克斯韋爾方程組和電磁場(chǎng)、電動(dòng)力學(xué)。

模型是關(guān)于時(shí)間與位置的多變量函數(shù)，是復(fù)變函數(shù)，屬于張量計(jì)算（可理解為一個(gè)n維數(shù)值陣列）。

適用于描述高頻電路或電路中信號(hào)波長(zhǎng)大于等于電路尺寸、頻率特性受傳輸線長(zhǎng)度影響較為顯著的情況。

公式一般長(zhǎng)這樣，人是算不出來(lái)的，要用計(jì)算機(jī)輔助：

總結(jié)一下，射頻芯片與模擬芯片在電路物理模型上的差異：

3、仿真計(jì)算特性

關(guān)于模擬芯片設(shè)計(jì)的計(jì)算特性，我們?cè)凇段宀壳?模擬IC》里重點(diǎn)介紹了兩大常見(jiàn)數(shù)值計(jì)算場(chǎng)景：多corner和蒙特卡羅Monte Carlo，這兩種方法的單個(gè)任務(wù)之間都相互獨(dú)立，沒(méi)有數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，很適合進(jìn)行分布式并行計(jì)算。

但每一個(gè)任務(wù)進(jìn)行的都是瞬態(tài)仿真，用于分析電路在特定時(shí)間段內(nèi)電壓和電流的變化趨勢(shì)，仿真結(jié)果跟上一個(gè)時(shí)間的狀態(tài)相關(guān)，是個(gè)串行的過(guò)程。

單純求微分方程數(shù)值解，數(shù)據(jù)量相對(duì)較小，主頻敏感，計(jì)算并行受限較大。

在時(shí)域分析上，計(jì)算量大，在頻域上計(jì)算量小。

常用工具Spectre，有針對(duì)AVX512指令集優(yōu)化（以并行方式對(duì)大量整數(shù)或浮點(diǎn)數(shù)執(zhí)行算術(shù)運(yùn)算）。

射頻芯片設(shè)計(jì)的計(jì)算特性，在模擬芯片的基礎(chǔ)上，還是很不相同的。

射頻電路對(duì)頻率敏感，通常在頻域中建模，在頻域和時(shí)域分析上，計(jì)算量均較大。

常用FEM有限元分析法對(duì)目標(biāo)電磁場(chǎng)空間進(jìn)行切割，劃分成大量四面體，再對(duì)每個(gè)較小的區(qū)域進(jìn)行計(jì)算分析。

無(wú)論是對(duì)不同頻域的取點(diǎn)，還是有限元法的切割，天然具備多線程與分布式優(yōu)勢(shì)，適用并行計(jì)算，存在大量SIMD指令（即單指令多數(shù)據(jù)運(yùn)算，其目的就在于幫助CPU實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)并行，提高運(yùn)算效率）。

張量計(jì)算，數(shù)據(jù)量大，算力需求高。

常用工具ADS，有針對(duì)AVX512指令集優(yōu)化。

因?yàn)槭乔蠼饪臻g問(wèn)題，所以部分工具可用GPU。

總結(jié)一下，射頻芯片與模擬芯片在仿真計(jì)算特性上的差異：

三種電磁場(chǎng)仿真技術(shù)：FEM/MoM/FDTD

近些年，主要有三種電磁仿真技術(shù)：FEM有限元分析、MoM 2.5D矩量法和FDTD有限時(shí)域差分法。

原則上，他們都能解決相同的問(wèn)題，但卻有各自更適合的場(chǎng)景。

1、FEM有限元分析

FEM（Finite Element Method）有限元分析法是真正的3D場(chǎng)求解器，可以分析求解任意形狀的3D結(jié)構(gòu)，是最靈活的電磁仿真分析方法，也可以說(shuō)是一種暴力破解算法。

這種算法將整個(gè)幾何模型劃分為大量四面體，每一個(gè)四面體都是由四個(gè)等邊三角形組成。也就是說(shuō)，整個(gè)目標(biāo)空間被劃分為N個(gè)較小的區(qū)域，并用局部函數(shù)表示每個(gè)子區(qū)域中的場(chǎng)。

然后把一個(gè)個(gè)空間拿出來(lái)，對(duì)微分形式的Maxwell方程在頻域進(jìn)行求解，其求解的未知量是每一個(gè)小網(wǎng)格的電場(chǎng)與磁場(chǎng)。

對(duì)于幾何復(fù)雜或電氣大型結(jié)構(gòu)，網(wǎng)格可能會(huì)變得非常復(fù)雜，形成具有許多四面體的網(wǎng)格單元，導(dǎo)致需要求解巨大的矩陣。

所有端口激勵(lì)只需要一個(gè)矩陣求解。

通常用于復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)的求解，整體消耗仿真資源大，仿真速度慢。

2、MoM 2.5D矩量法

FEM有限元分析是一個(gè)三元方程組，計(jì)算量很大。

而MoM（Method of Moments）2.5D矩量法，是專門針對(duì)3D層狀結(jié)構(gòu)出的優(yōu)化算法。它根據(jù)半導(dǎo)體平面工藝的結(jié)構(gòu)，做了一定數(shù)學(xué)上的簡(jiǎn)化和等價(jià)，把三個(gè)未知數(shù)簡(jiǎn)化成兩個(gè)未知數(shù)，加快了求解速度。

這種算法的關(guān)鍵在于：整個(gè)幾何模型的背景結(jié)構(gòu)信息都包含在了格林函數(shù)中，同一介質(zhì)上的不同結(jié)構(gòu)，只需要計(jì)算一次格林函數(shù)。所以只需要對(duì)需要求解的金屬結(jié)構(gòu)劃分網(wǎng)格，通常由矩形、三角形和四邊形網(wǎng)絡(luò)單元組成。

因此，“平面”MoM網(wǎng)格比FEM所需的等效“3D體積”網(wǎng)格更簡(jiǎn)單且更小。

而網(wǎng)格單元數(shù)量的減少可以減少未知數(shù)并實(shí)現(xiàn)極其高效的模擬，這使得MoM非常適合復(fù)雜分層堆疊結(jié)構(gòu)的分析。

MoM矩量法對(duì)積分形式的Maxwell方程在頻域求解，需要求解的未知量為金屬的表層電流分布。得到電流分布之后，仿真器再根據(jù)格林函數(shù)進(jìn)行數(shù)值積分，即可得到求解空間任何點(diǎn)的場(chǎng)分布。

所有端口激勵(lì)只需要一個(gè)矩陣求解。

理論上，對(duì)于任意結(jié)構(gòu)或者非均勻介質(zhì)，矩量法也可以求解。但需要對(duì)背景環(huán)境進(jìn)行額外描述，導(dǎo)致未知量數(shù)目上升，求解效率下降，反而不如求解微分方程的FEM有限元分析法高效。

因此，MoM矩量法不適用于一般的三維結(jié)構(gòu)，主要適用求解3D層狀結(jié)構(gòu)，常用于片上無(wú)源器件。

3、FDTD有限時(shí)域差分

FDTD（Finite Difference Time Domain）有限時(shí)域差分法，跟FEM一樣，也是真正的3D場(chǎng)求解器，可以分析任何形狀的3D結(jié)構(gòu)。

FDTD通常使用六面體網(wǎng)格單元（也就是“Yee”單元），對(duì)微分形式的Maxwell方程在時(shí)域進(jìn)行求解，當(dāng)前時(shí)刻的電場(chǎng)磁場(chǎng)矢量值由結(jié)構(gòu)中前一時(shí)刻的電場(chǎng)磁場(chǎng)值以及它們的變化情況直接計(jì)算得出。

相對(duì)于FEM和MoM的顯著優(yōu)勢(shì)之一是FDTD技術(shù)不需要矩陣求解，對(duì)于時(shí)域上的問(wèn)題，即便復(fù)雜結(jié)構(gòu)的求解也僅使用少量?jī)?nèi)存，非常高效。FDTD 還非常適合并行化，這意味著可以利用GPU處理能力來(lái)加快模擬速度。

必須為幾何N端口設(shè)計(jì)上的每個(gè)端口運(yùn)行一次仿真。

小結(jié)

MoM仿真速度會(huì)更快，但是FEM的應(yīng)用范圍更廣更靈活。

如果待求解的結(jié)構(gòu)是“平面”或者說(shuō)層狀結(jié)構(gòu)，可以優(yōu)先使用MoM仿真，提高設(shè)計(jì)效率。比如PCB互連、片上無(wú)源器件以及互連和平面天線。

當(dāng)然，如果結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，采用FEM分析也差別不大。如果考慮幾何形狀的復(fù)雜性和問(wèn)題大小，F(xiàn)EM為大量端口問(wèn)題提供了最有效的解決方案。FDTD在時(shí)域進(jìn)行求解，這意味著它對(duì)于連接器接口和轉(zhuǎn)換執(zhí)行時(shí)域反射計(jì) (TDR) 分析非常有用。

射頻_電磁場(chǎng)仿真工具：HFSS/ADS/EMX

電磁場(chǎng)模擬已經(jīng)越來(lái)越成為射頻電路設(shè)計(jì)人的必備技能之一。尤其是專門為射頻和微波電路分析而開(kāi)發(fā)的計(jì)算機(jī)輔助工具的使用，讓射頻芯片工程師能夠獲得前所未有的仿真能力。

當(dāng)然，這并不意味著有了工具就能解決電磁仿真問(wèn)題，前面已經(jīng)反復(fù)說(shuō)了，RFIC設(shè)計(jì)對(duì)經(jīng)驗(yàn)要求非常高。但通過(guò)使用更高效的電磁仿真工具，工程師可以相對(duì)低成本地驗(yàn)證設(shè)計(jì)概念，或在仿真中融入更完整更真實(shí)的數(shù)據(jù)，減少外部條件限制。

目前，業(yè)界主流仿真工具主要有HFSS/ADS/EMX。

在射頻領(lǐng)域，TA們有不同層級(jí)的仿真對(duì)象：EMX是芯片級(jí)，ADS是板級(jí)，HFSS是模塊級(jí)。雖然都叫電路，都是同一套物理規(guī)則出來(lái)的東西，但是制造工藝和尺寸不一樣，所以適用不同的工具。

1、HFSS

HFSS，是世界上第一款商業(yè)化的3D電磁仿真軟件，堪稱電磁場(chǎng)仿真業(yè)界標(biāo)桿，現(xiàn)在屬于Ansys公司。

HFSS使用的是FEM有限元分析法，所以非常通用，適用于任意3D結(jié)構(gòu)。

但通用也就意味著沒(méi)有強(qiáng)針對(duì)性，HFSS把一套叫做有限元分析的數(shù)學(xué)方法應(yīng)用在了電磁學(xué)領(lǐng)域，當(dāng)然，也可以應(yīng)用在其他工程領(lǐng)域。因?yàn)闆](méi)有對(duì)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域做專門優(yōu)化，軟件交互方面不夠友好。

HFSS主要面向的是波導(dǎo)、傳輸線那種比較大的射頻元件和模塊設(shè)計(jì)，偏宏觀的電磁仿真。

如果要界定領(lǐng)域的話，HFSS比較難評(píng)，既可以放到CAE領(lǐng)域，也可以放到EDA領(lǐng)域。一般而言，在智能制造/汽車制造場(chǎng)景下用HFSS進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真更多，當(dāng)然，也可以用于部分芯片設(shè)計(jì)場(chǎng)景。

我們寫過(guò)一篇實(shí)證，詳情可戳：超大內(nèi)存機(jī)器，讓你的HFSS電磁仿真解放天性

2、ADS

ADS和EMX就不一樣了，是純粹的EDA領(lǐng)域工具，在處理芯片設(shè)計(jì)場(chǎng)景的電磁場(chǎng)仿真使用較為廣泛。

這類電磁場(chǎng)仿真工具在算法上，通過(guò)Maxwell方程組求解元件的空間電場(chǎng)分布，將元件映射為特定的RLC電路，做到“化場(chǎng)為路”。這既能降低仿真分析難度，又能將元件的有限元物理模型，轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的Spectre/HSPICE網(wǎng)表，供一般電路仿真工具使用。

ADS，屬于Keysight是德科技，針對(duì)射頻芯片電路有專門的優(yōu)化和研發(fā)，既可以做三維電磁場(chǎng)仿真，也可以針對(duì)PCB布局和部分集成電路設(shè)計(jì)場(chǎng)景。Keysight跟各大元器件廠商都有廣泛合作，可以提供最新的Design Kit供用戶使用。

ADS適合對(duì)片上的電路/元器件做分析仿真，適用小規(guī)模RF/MMIC設(shè)計(jì)，如果需要模擬一個(gè)大的模塊，HFSS可能更合適。

ADS同時(shí)支持FEM有限元分析法與MoM 2.5D矩量法，也可選FDTD有限時(shí)域差分。

MoM適用于層狀結(jié)構(gòu)，而使用FEM或FDTD方法時(shí)可以適用任意3D結(jié)構(gòu)。

ADS與其他工具兼容良好，免去跨平臺(tái)數(shù)據(jù)導(dǎo)入導(dǎo)出，對(duì)Virtuoso提供比HFSS更好的兼容性。

在電磁與射頻的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常需要通過(guò)HFSS設(shè)計(jì)天線，然后通過(guò)ADS來(lái)驗(yàn)證電路，這個(gè)時(shí)候就需要兩者的聯(lián)合仿真，以S參數(shù)作為中繼。

而根據(jù)前面提到的，射頻電路因?yàn)楦哳l產(chǎn)生的電磁場(chǎng)效應(yīng)，會(huì)因?yàn)橥獠凯h(huán)境因素的干擾經(jīng)歷巨大的性能變化。所以，射頻芯片在設(shè)計(jì)之初就需要Foundry廠提供的相關(guān)工藝信息，因?yàn)樾枰勒麄€(gè)芯片制作工藝?yán)锩娴牟牧咸匦院凸ぞ呓Y(jié)構(gòu)才能仿真建模。

早期，ADS占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，F(xiàn)oundry廠會(huì)提供基于ADS的PDK文件，現(xiàn)在逐漸也開(kāi)始提供基于EMX的工藝文件。

3、EMX

EMX是專門針對(duì)射頻集成電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的，作為EDA常用工具Cadence的插件存在，能與TA無(wú)縫集成，對(duì)工程師們極為友好。

芯片級(jí)的集成電路分析，屬于微觀尺度，一般使用EMX最為合適。

EMX只支持MoM 2.5D矩量法，專門針對(duì)片上無(wú)源器件等層狀結(jié)構(gòu)分析，不適用bonding wire、BGA、PGA封裝等非層狀結(jié)構(gòu)，橫截面非直線金屬結(jié)構(gòu)。

HFSS 17.2和19版之后的ADS支持GPU處理電磁場(chǎng)仿真任務(wù)，且通過(guò)并行化處理后，效率提升十分顯著；EMX作為Cadence里的插件暫不支持GPU任務(wù)。

三種射頻芯片電磁場(chǎng)仿真工具對(duì)比

關(guān)于我們?cè)诟鞣NEDA應(yīng)用上的表現(xiàn)，可以點(diǎn)擊以下應(yīng)用名稱查看：

HSPICE │ OPC │ VCS │ Virtuoso │ Calibre │ HFSS

更多半導(dǎo)體用戶案例，可以戳下方查看：

青芯 │ 浙桂 │ 燧原 │ 普冉 │ Alpha Cen │ 深職大

- END -

我們有個(gè)IC設(shè)計(jì)研發(fā)平臺(tái)

IC設(shè)計(jì)全生命周期一站式覆蓋

調(diào)度器Fsched國(guó)產(chǎn)化替代、專業(yè)IT-CAD服務(wù)

100+行業(yè)客戶落地實(shí)踐

支持海內(nèi)外多地協(xié)同研發(fā)與辦公

多層安全框架層層保障

現(xiàn)在就可預(yù)約專家1對(duì)1溝通~

更多EDA電子書(shū)

歡迎關(guān)注小F（ID：imfastone）獲取

你也許想了解具體的落地場(chǎng)景：

遠(yuǎn)離“紙上談兵”，深職大打造國(guó)內(nèi)首個(gè)EDA遠(yuǎn)程實(shí)訓(xùn)平臺(tái)

普冉半導(dǎo)體逐步布局自主可控，漸次提升研發(fā)效率

光電兼修的Alpha Cen，如何應(yīng)對(duì)上升期的甜蜜煩惱？

超大內(nèi)存機(jī)器，讓你的HFSS電磁仿真解放天性

暴力堆機(jī)器之王——Calibre

Auto-Scale這支仙女棒如何大幅提升Virtuoso仿真效率？

芯片設(shè)計(jì)研發(fā)平臺(tái)：

今日上新——FCP

專有D區(qū)震撼上市，高性價(jià)比的稀缺大機(jī)型誰(shuí)不愛(ài)？

從“單打獨(dú)斗”到“同舟共集”，集群如何成為項(xiàng)目研發(fā)、IT和老板的最佳拍檔？

國(guó)產(chǎn)調(diào)度器之光——Fsched到底有多能打？

最強(qiáng)省錢攻略——IC設(shè)計(jì)公司老板必讀

解密一顆芯片設(shè)計(jì)的全生命周期算力需求

近期重大事件：

速石科技正式發(fā)布新質(zhì)生產(chǎn)力教學(xué)科研創(chuàng)新平臺(tái)，聚焦跨學(xué)科專業(yè)教學(xué)實(shí)訓(xùn)與科研

速石科技攜手珠海先進(jìn)集成電路研究院，正式入駐橫琴ICC

速石科技與西門子、亞馬遜云科技共同推出Simcenter?仿真云平臺(tái)，助力工業(yè)領(lǐng)域數(shù)字化轉(zhuǎn)型

速石科技聯(lián)合Altair打造一體化芯片綜合研發(fā)平臺(tái)，提升企業(yè)軟硬件仿真效率

速石科技完成龍芯、海光、超云兼容互認(rèn)證，拓寬信創(chuàng)生態(tài)版圖

速石科技入駐粵港澳大灣區(qū)算力調(diào)度平臺(tái)，參與建設(shè)數(shù)算用一體化發(fā)展新范式

速石科技（ID：Fastone_tech）

我們?yōu)閯?chuàng)新驅(qū)動(dòng)型用戶提供為應(yīng)用優(yōu)化的一站式研發(fā)云平臺(tái)，致力于構(gòu)建為應(yīng)用定義的云，讓任何應(yīng)用程序，始終以自動(dòng)化、更優(yōu)化和可擴(kuò)展的方式，在任何基礎(chǔ)架構(gòu)上運(yùn)行。

說(shuō)出你的應(yīng)用，我們就有故事~~

審核編輯 黃宇