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SD NAND SPI模式:如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行

MK米客方德 ? 2024-09-02 11:06 ? 次閱讀

最近,收到客戶(hù)反饋,使用我們SD NAND過(guò)程中,使用SPI模式,對(duì)SD完成操作后,SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式,未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在20mA左右。經(jīng)過(guò)我們分析,發(fā)現(xiàn)SD進(jìn)入低功耗的原因是CMD24后 MISO電平高,這沒(méi)有把busy動(dòng)作做完所以沒(méi)在低功耗

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上電初始化完成,沒(méi)有CMD下發(fā)是進(jìn)入低功耗的必要條件,其他也可能會(huì)有一些因素導(dǎo)致進(jìn)入低功耗失敗,如下圖,busy狀態(tài)需要持續(xù)下發(fā)clock(正常8個(gè)就行),直到一直讀到0xFF為止。

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MK米客方德不斷鉆研技術(shù)創(chuàng)新,推動(dòng)工業(yè)進(jìn)步,致力于為客戶(hù)帶來(lái)更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及服務(wù)體驗(yàn)。

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