三星電子近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展，其專為高級(jí)車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)(IVI)及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設(shè)計(jì)的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過(guò)高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺(tái)的嚴(yán)格驗(yàn)證。這一成就不僅標(biāo)志著三星在汽車電子領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力獲得行業(yè)巨頭認(rèn)可，也為未來(lái)智能汽車的發(fā)展注入了新的動(dòng)力。
展望未來(lái)，三星正加速推進(jìn)下一代LPDDR5車規(guī)芯片的研發(fā)工作，并預(yù)計(jì)在今年第四季度提供樣品。據(jù)悉，LPDDR5車規(guī)芯片將引領(lǐng)數(shù)據(jù)傳輸速度的新紀(jì)元，其最高速度可達(dá)每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在極端溫度環(huán)境下，也能確保卓越的性能表現(xiàn)，為智能汽車提供更加流暢、高效的數(shù)據(jù)處理體驗(yàn)。
隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷發(fā)展和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的日益普及，車載內(nèi)存作為支撐這些高級(jí)功能的關(guān)鍵組件，其性能與可靠性顯得尤為重要。三星LPDDR4X與即將問(wèn)世的LPDDR5車規(guī)芯片，無(wú)疑將為智能汽車行業(yè)帶來(lái)更加先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更加智能化、高效化的方向發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
高通
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
7596瀏覽量
192842 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182221 -
智能汽車
+關(guān)注
關(guān)注
30文章
3068瀏覽量
108274
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收
發(fā)表于 05-19 10:05
國(guó)產(chǎn)新突破！江波龍車規(guī)級(jí) LPDDR4x與車規(guī)級(jí)eMMC重磅發(fā)布，定義存儲(chǔ)新標(biāo)桿
4月23日，在上海車展上，江波龍召開了新品發(fā)布會(huì)，亮相了多款創(chuàng)新的車規(guī)存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括車規(guī)級(jí)eMMC全芯定制版和車規(guī)級(jí)UFS，以及車規(guī)級(jí)LPDDR4x和車規(guī)級(jí)SPI NAND Flash。這些產(chǎn)品均符合AEC-Q100可靠性標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足智能輔助駕駛、
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4
發(fā)表于 04-18 10:52
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存
5的6400 Mbps提升約33%，可處理8K視頻流、實(shí)時(shí)AI計(jì)算等密集型任務(wù)。三星近期推出的LPDDR5X-Ultra-Pro甚至將速率提升至12700 MT/s（
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
且能夠感知語(yǔ)境的移動(dòng)AI體驗(yàn)。此外，美光已首次向市場(chǎng)出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存，其功耗降低幅度超過(guò) 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng)，三星Galaxy S25系列成為用戶強(qiáng)大的AI伙伴，
三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎(jiǎng)
在CES 2025開幕前夕，三星半導(dǎo)體憑借其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破，以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù)，獲得了CES 2025在移動(dòng)設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域的創(chuàng)新獎(jiǎng)。
華邦電子推出LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者華邦電子，近日正式推出了其專為最新一代汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列在能效、性能和減少碳排放方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，為
華邦電子推出全新LPDDR4/4X，打造汽車行業(yè)的綠色解決方案
? 2024 年 11 月 13 日，中國(guó)蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日正式發(fā)布 LPDDR4/4X 內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列專為最新一代汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，在能效、性能和
發(fā)表于 11-13 09:40
?703次閱讀
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存，技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X
三星電子實(shí)現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)
三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級(jí)低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲(chǔ)器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時(shí)提供12GB及16GB的存儲(chǔ)容量選項(xiàng)。
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固
新品迅為RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x與LPDDR5的區(qū)別
架構(gòu)與通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n為數(shù)據(jù)位寬)，而 LPDDR5 則引入了 32n的通信方式，可以提供更高的帶寬和性能。
頻率和時(shí)序：LPDDR5 相對(duì)于 LPDDR4
發(fā)表于 07-17 10:13
三星10.7Gbps LPDDR5X成功在聯(lián)發(fā)科天璣平臺(tái)上完成兼容性驗(yàn)證
7月16日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，其最新研發(fā)的10.7千兆比特每秒（Gbps）LPDDR5X DRAM已成功在聯(lián)發(fā)科技即將推出的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)上完成兼容性驗(yàn)證。此次合作中，三
三星10.7Gbps LPDDR5X在聯(lián)發(fā)科技下一代天璣移動(dòng)平臺(tái)上完成驗(yàn)證
三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗(yàn)證。 此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗(yàn)證，使用
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論