晶豐明源BP3296B高效率非隔離恒流芯片介紹

當前，為了應對全球氣候變暖等挑戰(zhàn)，國家計劃在2060年實現(xiàn)碳中和的目標，而照明行業(yè)消耗的能源作為碳排放的重要領域，如何實現(xiàn)照明的低碳、節(jié)能和環(huán)保成為當下的重要議題。照明設備中，與傳統(tǒng)的白熾燈和節(jié)能燈相比，高光效LED燈有更優(yōu)秀的節(jié)能效果和更長的使用壽命。 但由于目前光源的材料及技術壁壘難以克服，高光效LED光源不僅成本高昂，也面臨著光效提升空間有限的挑戰(zhàn)。提高LED驅(qū)動效率，可以有效降低光源成本。為了滿足市場對于LED照明驅(qū)動高效率、低成本和高可靠性的迫切需求，晶豐明源推出BP3296B高效率非隔離恒流芯片。

BP3296B

BP3296B芯片采用源極驅(qū)動控制技術，結合BCM+QR控制模式，在節(jié)省外圍器件的同時，提高了系統(tǒng)效率。另外，BP3296B芯片內(nèi)置高壓差分采樣OVP及特有的過零檢測技術，提高抗干擾能力，大幅提高了電源的穩(wěn)定性和一致性。

01目標應用

T8燈管、燈絲燈

球泡（非調(diào)光/可控硅調(diào)光）

02性能介紹

支持可控硅調(diào)光

源極驅(qū)動

集成650V高壓供電，外置VCC電容

高壓差分采樣OVP

臨界電流控制模式

內(nèi)置COMP閉環(huán)恒流控制

高精度Tonmax

03典型應用圖

方案優(yōu)勢

01超高系統(tǒng)效率

230V電壓輸入下，輸出為400V 22mA，驅(qū)動效率高達96%（含頻閃電路）

BP3296B在QR工作模式下，降低MOS導通時電感尖峰電流，提升效率，優(yōu)化EMI性能。

圖1.普通方案波形圖

圖2. BP3296B波形圖

內(nèi)置高壓差分采樣OVP，無需外置OVP電阻，減小損耗，提升效率。

源極驅(qū)動技術，降低芯片供電損耗，提升效率。

02良好的EMI性能

芯片BCM+QR工作模式，優(yōu)化EMI性能。

03高可靠性

圖3. 普通方案典型應用圖

圖4. BP3296B典型應用圖

普通方案：采用外置電阻分壓檢測OVP，為提升效率，電阻取值較大，由于生產(chǎn)過程雜質(zhì)殘留，潮濕環(huán)境，上臂電阻兩端容易產(chǎn)生漏電，觸發(fā)OVP，導致閃燈。

BP3296B：采用高壓差分采樣OVP，避免漏電觸發(fā)OVP閃燈，提升可靠性。同時節(jié)省OVP電阻，精簡外圍成本。

BP3296B是一款高性能、高效率的開關電源芯片，內(nèi)部集成500V MOS、高壓差分采樣OVP、內(nèi)置COMP閉環(huán)控制，優(yōu)化芯片外圍成本，提高可靠性。調(diào)試簡單，輕松實現(xiàn)高效率，極大降低燈珠成本，實現(xiàn)LED產(chǎn)品高光效，助力綠色節(jié)能照明。

-晶豐明源-

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